【技术实现步骤摘要】
本技术涉 及磁控溅射薄膜制备装置，尤其涉及用于单面双层DVDR9光盘薄 膜制备的磁控溅射靶材装置。
技术介绍
在光盘薄膜制备时，先将溅镀腔抽真空达到设定值，将盘片放入腔内，真空腔 内盘片会被抽真空至高真空10E-4mbar范围，注入氩气到溅镀腔，这时溅镀腔的真空度 降至IOE — 3mbar范围，然后对靶材(阴极)和盘片(阳极)之间施以几百伏特的直流 电压，使氩气在电场中被离子化，产生氩离子及自由电子；在电场的作用下，带正电荷 的氩离子向阴极(靶材)加速，而自由电子向阳极加速，被加速的氩离子和自由电子撞 向其他氩原子，因动能转移使更多的氩原子被离子化，最后产生雪崩现象。当靶材原子 获得足够动能，它们会脱离靶材表面并自由地在溅镀腔内移动，最后覆盖于盘片及腔内 其他表面。上述溅镀过程适用于均勻溅镀膜层。在DVD9R光盘生产过程中，要求溅镀 的膜层在盘片由里向外逐渐变薄，以使光穿透率逐渐增高，而传统的平面靶材溅镀出的 盘片内外圈膜层厚度一致，不能满足穿透率在盘片外圈逐渐升高的要求。
技术实现思路
本技术的目的，就是要提供一种磁控溅镀靶材装置，使得薄膜在外圈形成的 厚度渐薄，以改变盘片在外圈的光穿透率，使光穿透率逐渐升高之目的。本技术的解决方案是磁控溅射靶材装置内面为凹形，内底面由中心至外 逐渐呈下坡，也就是分为四个区域靶材中心孔区为凸起区域，为非有效工作区，再向 外的区域为平面区，使溅镀膜层厚度均勻一致，再向外的区域设计为增大区，该区域与 盘片的距离逐渐增大，从而影响盘片中、外部的溅镀层的厚度，使得盘片中部和外部的 光穿透率曲线形状发生改变，最后为金属挡板区，阻挡...
【技术保护点】
光盘薄膜制备中磁控溅射靶材装置，由溅镀靶材组成，其特征在于：磁控溅射靶材装置内面为凹面，内底面由中心至外逐渐呈下坡阶梯型，分为中心孔区（１）、平面区（２）、增大区（３）和挡板区（４）。
【技术特征摘要】
1.光盘薄膜制备中磁控溅射靶材装置，由溅镀靶材组成，其特征在于磁控溅射靶 材装置内面为凹面，内底面由中心至外逐渐呈下坡阶梯型，分为中心孔区(1)、平面区 ⑵、增大区⑶和挡板区⑷。2.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑飞璠，马琰，李明，刘娟，马超，周寒雪，
申请(专利权)人：河南凯瑞数码有限公司，
类型：实用新型
国别省市：41
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