ＴＦＴ阵列基板及其制造方法技术

一种ＴＦＴ阵列基板包含一基板、至少一闸极线及闸极、一闸极绝缘层、及至少一通道元件、源极、汲极及资料线。该闸极线及闸极配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形成于该第一导体层上，且该第二导体层含有铜元素。该闸极绝缘层配置于该闸极线、闸极及基板上。该通道元件配置于该闸极绝缘层上。该源极及汲极配置于该通道元件上，且该资料线配置于该闸极绝缘层上。本发明专利技术由铜金属层及钼氮化合物层所组成之闸极线及闸极可克服铜导线与玻璃基板之间附着性不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板及其制造方法
本专利技术是关于一种TFT阵列基板制造方法，特别有关于一种TFT阵列基板制造方 法，可克服铜导线与玻璃基板之间附着性不佳的问题。
技术介绍
随着高科技之发展，视讯产品，诸如数位化之视讯或影像装置，已经成为在一般日 常生活中所常见的产品。该数位化之视讯或影像装置中，其液晶显示面板为一重要元件，以 显示相关资讯。使用者可由该液晶显示面板读取所需之资讯。参考图1、2，一种现有液晶显示面板10包含一TFT(THIN FILMTRANSISTOR)阵列基 板20、一彩色滤光片基板40及一液晶层12。该液晶层12位于该TFT阵列基板20与彩色 滤光片基板40之间。该TFT阵列基板20包含数个闸极22 (gate electrode)、一闸极绝缘 层24、数个通道元件25、数个汲极(drain electrode) 26、数个源极(sourceelectrode) 28、 一护层30及数个像素电极32，依序形成于一玻璃基板34上，其中每一间极22、间极绝缘层 24、通道元件25、汲极26及源极28形成一薄膜电晶体21。该通道元件25包含第一及第二 半导体层25a、25b，该第一半导体层25a为主动层(active layer)，该第二半导体层25b为 含N型掺杂物质的欧姆接触层(ohmic contact layer)。数个间极线52配置于该玻璃基板 34上。该间极绝缘层24覆盖该些间极线52。数个资料线54是配置该间极绝缘层24上。 相邻的两个闸极线52及两个资料线54定义了一像素(pixel) 56。该护层30覆盖该些资料 线54。数个像素电极32是配置于该护层30上，并分别位于该些像素56内。该彩色滤光片 基板40包含数个黑色矩阵48、一彩色滤光片层42及一相应的透明电极层44，依序形成于 另一玻璃基板46上。目前液晶显示面板所使用的导线材料是以铝(Al)或铝合金(Al alloy)为主，其 原因在于其低阻值及可制造性。然而，随着大尺寸液晶显示面板愈来愈普及，更低阻值的导 线材质开发已是当务之急，而铜(Cu)将可能成为导线材料的主流。发展铜导线制程首先要克服的是铜导线与玻璃基板之间附着性不佳的问题。解决 此问题的办法为增加一粘层(adhesion layer)在该铜导线与玻璃基板之间，用以帮助该铜 导线与玻璃基板之附着性。然而，该粘层的材质的阻值通常不低，如此将会增加该铜导线的 阻值；或者，该粘层与铜在进行蚀刻制程时，不具有类似被蚀刻的特性，如此将增加制程成 本。另外，铜导线制程亦须克服铜导线与具有N型掺杂物质的半导体层间会有铜原子 与硅原子的互相扩散问题。因此，便有需要提供一种TFT阵列基板制造方法，能够解决前述的问题。
技术实现思路
为了解决前述现有技术的技术问题，本专利技术提供一种TFT阵列基板及其制造方法。本专利技术提供一种TFT阵列基板制造方法，包含下列步骤提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上，其中该闸极线及闸极的形成包含下列 步骤将一第一导体层形成于该基板上，其中该第一导体层是含钼氮化合物；将一第二导体层形成于该第一导体层上，其中该第二导体层是含有铜元素；以及将该第一及第二导体层图案化成该闸极线及闸极；将一闸极绝缘层形成于该闸极线及闸极及该基板上；将一第一半导体层形成于该闸极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含N型掺杂 物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸 极绝缘层上。本专利技术还提供一种TFT阵列基板，包含一基板；至少一闸极线及一闸极，配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第 二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形 成于该第一导体层上，且该第二导体层是含有铜元素；一闸极绝缘层，配置于该闸极线、闸极及基板上；至少一通道元件，配置于该间极绝缘层上，其中该通道元件包含第一及第二半导 体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导体层形成于该第一半导体层上， 且该第二半导体层是含N型掺杂物质；以及至少一源极及一汲极，配置于该通道元件上，且至少一资料线，配置于该闸极绝缘层上。本专利技术还提供一种TFT阵列基板制造方法，包含下列步骤提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上；将一闸极绝缘层形成于该闸极线及闸极及该基板上；将一第一半导体层形成于该闸极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含N型掺杂 物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸 极绝缘层上，其中该源极、汲极及资料线的形成包含下列步骤将一第三导体层形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，其中该第三 导体层是含钼氮化合物；将一第四导体层形成于该第三导体层上，其中该第四导体层是含有铜元素；以及将该第三及第四导体层图案化成该源极、汲极及资料线。本专利技术还提供一种TFT阵列基板，包含一基板；至少一闸极线及一闸极，配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第 二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形 成于该第一导体层上，且该第二导体层是含有铜元素；一闸极绝缘层，配置于该闸极线、闸极及基板上；至少一通道元件，配置于该间极绝缘层上，其中该通道元件包含第一及第二半导 体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导体层形成于该第一半导体层上， 且该第二半导体层是含N型掺杂物质；以及至少一源极及一汲极，配置于该通道元件上，且至少一资料线，配置于该闸极绝缘 层上，其中该源极、汲极及资料线皆包含第三及第四导体层，该第三导体层形成于该通道元 件的第二半导体层及间极绝缘层上，该第三导体层是含钼氮化合物，该第四导体层形成于 该第三导体层上，且该第四导体层是含有铜元素。本专利技术提供一种TFT阵列基板，包含一基板、至少一闸极线及一闸极、一闸极绝缘 层、至少一通道元件、至少一源极、一汲极及一资料线。该闸极线及闸极配置于该基板上，其 中该间极线及间极皆包含第一及第二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体 层是含钼氮化合物，该第二导体层形成于该第一导体层上，且该第二导体层是含有铜元素。 该闸极绝缘层配置于该间极线、间极及基板上。该通道元件配置于该间极绝缘层上，其中该 通道元件包含第一及第二半导体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导 体层形成于该第一半导体层上，且该第二半导体层是含N型掺杂物质。该源极及汲极配置 于该通道元件上，且该资料线配置于该闸极绝缘层上。本专利技术由铜金属层及钼氮化合物层所组成之闸极线及闸极可克服铜导线与玻璃 基板之间附着性不佳的问题。该钼氮化合物层可作为一粘层(adhesion layer)在该铜金 属层与玻璃基板之间，用以帮助该铜金属层与玻璃基板之附着性。再者，根据本专利技术的闸极 线及闸极，其钼氮化合物层的材质与铜金属层皆具有低阻值，如此将不会增加该铜导线的 阻值；且该钼氮化合物与铜金属层在进行蚀刻制程时皆具有类似被蚀刻的特性，如此将减 少制程成本。另外，本专利技术在该闸极线及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＴＦＴ阵列基板制造方法，包含下列步骤：提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上，其中该闸极线及闸极的形成包含下列步骤：将一第一导体层形成于该基板上，其中该第一导体层是含钼氮化合物；将一第二导体层形成于该第一导体层上，其中该第二导体层含有铜元素；以及将该第一及第二导体层图案化成该闸极线及闸极；将一闸极绝缘层形成于该闸极线及闸极及该基板上；将一第一半导体层形成于该闸极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含Ｎ型掺杂物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸极绝缘层上。

【技术特征摘要】
一种TFT阵列基板制造方法，包含下列步骤提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上，其中该闸极线及闸极的形成包含下列步骤将一第一导体层形成于该基板上，其中该第一导体层是含钼氮化合物；将一第二导体层形成于该第一导体层上，其中该第二导体层含有铜元素；以及将该第一及第二导体层图案化成该闸极线及闸极；将一闸极绝缘层形成于该闸极线及闸极及该基板上；将一第一半导体层形成于该闸极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含N型掺杂物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸极绝缘层上。2.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第二导体层为一铜金属层。3.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第二导体层为一铜合金层。4.如权利要求3所述的阵列基板制造方法，其特征在于该铜合金层含有铜元素大于 95%，且含有少量金属元素是选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、铟(In)及铝 (Al)所构成的群组中至少一者。5.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该基板为一玻璃基板。6.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该钼氮化合物为氮化钼。7.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第一导体层借由一第一溅 镀制程而形成于该基板上，且该第二导体层借由一第二溅镀制程而形成于该第一导体层 上。8.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于在该第二导体层的形成步骤 后，该阵列基板制造方法另包含下列步骤提供一去氧化剂，用以去除氧化铜。9.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该源极、汲极及资料线的形成 包含下列步骤将一第三导体层形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，其中该第三导体 层是含钼氮化合物；将一第四导体层形成于该第三导体层上，其中该第四导体层是含有铜元素；以及 将该第三及第四导体层图案化成该源极、汲极及资料线。10.如权利要求9所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第三导体层借由一第三溅 镀制程而形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，且该第四导体层借由一第四 溅镀制程而形成于该第三导体层上。11.如权利要求10所述的阵列基板制造方法，其特征在于在该第四导体层的形成步 骤后，该阵列基板制造方法另包含下列步骤提供一去氧化剂，用以去除氧化铜。12.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于另包含下列步骤将一护层形成于该源极、汲极、资料线及闸极绝缘层；以及将一像素电极形成于该护层上，并电性连接于该汲极。13.一种TFT阵列基板，包含 一基板；至少一闸极线及一闸极，配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形成于 该第一导体层上，且该第二导体层含有铜元素；一闸极绝缘层，配置于该闸极线、闸极及基板上；至少一通道元件，配置于该间极绝缘层上，其中该通道元件包含第一及第二半导体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导体层形成于该第一半导体层上，且该 第二半导体层是含N型掺杂物质；以及至少一源极及一汲极，配置于该通道元件上，且至少一资料线，配置于该闸极绝缘层上。14.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该第二导体层为一铜金属层。15.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该第二导体层为一铜合金层。16.如权利要求15所述的阵列基板，其特征在于该铜合金层含有铜元素大于95%，且 含有少量金属元素是选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、铟(In)及铝(Al)所 构成之群组中至少一者。17.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该基板为一玻璃基板。18.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该钼氮化合物为氮化钼。19.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该源极、汲极及资料线皆包含第三及 第四导体层，该第三导体层形成于该通道元...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宪堂，萧建智，蔡志鸿，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]