【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种石墨热场，特别涉及用于拉制单晶硅棒的高效石墨热场。
技术介绍
直拉单晶硅生产过程中，采用的单晶炉的石墨热场主要由保温筒、导流筒、加热 器、石墨坩埚及石英坩埚组成，石英坩埚位于石墨坩埚内，石墨坩埚位于加热器内，保温筒 位于最外层，导流筒位于石英坩埚之上及保温筒内。当加热器通电后，石墨坩埚开始升温， 当温度升至1400-1600度时，石英坩埚内的硅料充分熔化，再通入惰性气体，在惰性气体的 保护下，经过引晶、放肩等步骤过盛晶体的生长。为了确保晶体的生长，要将热场的温度保 持在1400-1600度左右，因此，消耗的能源较大。为了降低能源的消耗，对导流筒作了改进。近来，出现了一些改进的导流筒，该导 流筒为圆筒状或圆锥型，将热场由原来的开放式改为封闭式，增加了热场保温性能，降低了 热量的损失，从而，节约的能源；但该结构的石墨热场，保温效率还不理想，还待改进的地方。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种单晶炉的石墨热场，该单晶炉的石墨热场 充分利用单晶硅结晶时散发的热量，大大降低了能耗，大大加速了单晶硅生长速度。为了解决上述技术问题，本专利技术一种单晶炉的石墨热场，包括保温筒、导流筒、加 热器，所述保温筒上设有多个排气孔，其中，所述导流筒由导流内层和导流外层组成，所述 导流内层与所述导流外层之间设有间隙。上述一种单晶炉的石墨热场，其中，所述排气孔位于所述保温筒的上部。上述一种单晶炉的石墨热场，其中，所述导流外层的内表面上设有若干圆弧形凹 槽，所述凹槽的底槽面的夹角α为135°。本专利技术可实现以下有益效果1、由于所述导流筒由导流内层和导...
【技术保护点】
一种单晶炉的石墨热场，包括保温筒、导流筒、加热器，所述保温筒上设有多个排气孔，其特征在于，所述导流筒由导流内层和导流外层组成，所述导流内层与所述导流外层之间设有间隙。
【技术特征摘要】
一种单晶炉的石墨热场，包括保温筒、导流筒、加热器，所述保温筒上设有多个排气孔，其特征在于，所述导流筒由导流内层和导流外层组成，所述导流内层与所述导流外层之间设有间隙。2.如权利要求1所述一种单晶炉...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱朝平，
申请(专利权)人：镇江辉煌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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