一种液晶面板，其具备扫描信号线（１６ｘ）、数据信号线（１５ｘ）以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管（１２ａ），在１个像素（１０１）内，设置有第１和第２像素电极（１７ａ、１７ｂ），所述液晶面板具备第１和第２电容电极（３７ａ、３７ｂ），第１电容电极（３７ａ）、第１像素电极（１７ａ）以及晶体管的一方导通电极（９ａ）电连接，并且第２电容电极（３７ｂ）和第２像素电极（１７ｂ）电连接，第１电容电极（３７ａ）与第２像素电极（１７ｂ）形成电容，第２电容电极（３７ｂ）与第１像素电极（１７ａ）形成电容。这样的话，在电容耦合型像素分割方式的有源矩阵基板以及具备其的液晶面板中，成为可以提高其成品率的结构。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在1个像素区域内设置多个像素电极的有源矩阵基板以及使用该有 源矩阵基板的液晶显示装置(像素分割方式)。
技术介绍
为了提高液晶显示装置的Y特性的视角依存性(例如，抑制画面的浮白等)，提 出如下液晶显示装置(像素分割方式，例如，参照专利文献1):将在1个像素内所设置 的多个子像素控制为不同的亮度，通过这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级。在专利文献1记载的有源矩阵基板中，如图41所示，在1个像素区域内，3个像 素电极121a 121c沿着数据信号线115排列，晶体管116的源极电极116s连接到接触 电极117a，接触电极117a和控制电极118通过引出配η线11 9连接，控制电极118和接 触电极117b通过引出配线126连接，接触电极117a和像素电极121a通过接触孔120a连 接，接触电极117b和像素电极121c通过接触孔120b连接，电悬浮的像素电极112b通过 绝缘层与控制电极118重叠，像素电极121b相对于像素电极121a、121c分别进行电容耦 合(电容耦合型像素分割方式)。另外，在控制电极118与电容配线113重叠的部分形成 保持电容。在使用了该有源矩阵基板的液晶显示装置中，可以使像素电极121a、121c所 对应的子像素分别成为亮子像素，使像素电极121b所对应的子像素成为暗子像素，可以 通过这些亮子像素(2个)、暗子像素(1个)的面积灰度级来显示中间灰度级。专利文献1 特开2006-39290号公报(公开日2006年2月9日)
技术实现思路
但是，在图41的有源矩阵基板中，例如，在控制电极118和像素电极121b发生 短路的情况下，可以通过切断引出配线119来避免从数据信号线向像素电极121b写入信 号电位，但是，不能控制像素电极121b的电位。这样，在以往的有源矩阵基板中，像素 电极121b所对应的子像素(暗子像素)易于成为缺陷，成为成品率降低的原因。鉴于上述问题，在本专利技术中提出了如下方案在电容耦合型像素分割方式的有 源矩阵基板中，采用可提高其成品率的结构。本有源矩阵基板具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所 连接的晶体管，在1个像素区域内设置有第1和第2像素电极，其特征在于具备第1和 第2电容电极，第1电容电极、第1像素电极以及上述晶体管的一方导通电极电连接，并 且第2电容电极和第2像素电极电连接，第1电容电极与第2像素电极形成电容，第2电 容电极与第1像素电极形成电容。上述结构是在电容耦合型像素分割方式的有源矩阵基板中，将在1个像素区域 内所设置的第1和第2像素电极通过并列的2个电容(耦合电容)连接。这样的话，在制造工序等中，即使一方电容产生缺陷，也可以通过另一方电容，将写入了来自数据信 号线的信号电位的第1像素电极和第2像素电极维持在连接状态。例如，即使在第1像素 电极和第2像素电极发生短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和 短路位置之间切断，由此可以将写入了来自数据信号线的信号电位的第1像素电极和第2 像素电极通过电容维持在连接状态。由此可以提高本有源矩阵基板以及具备其的液晶面 板的制造成品率。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构在同层中形成上述晶体管的一方 导通电极、第1电容电极以及第2电容电极。这样的话，可以简化有源矩阵基板的层结 构和制造工序。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1电容电极的至少一部分隔着 覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜与第2像素电极重叠，第2电容电极的至少一部分隔着上 述层间绝缘膜与第1像素电极重叠。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1和第2像素电极的外周包括多 个边，并且第1像素电极的一边与第2像素电极的一边相邻，第1和第2电容电极分别被 配置为与该相邻的2边的间隙、第1像素电极以及第2像素电极重叠。这样的话，存在 如下优点即使在第1和第2像素电极的对准相对于第1和第2电容电极在与上述间隙正 交的方向上发生偏离的情况下，第1电容电极和第2像素电极重叠的面积与第2电容电极 和第1像素电极重叠的面积互相补偿，2个电容(耦合电容)的总量也难以改变。在这种 情况下，也可以采用假设将第1电容电极以上述间隙上的点为中心旋转180°，则与第2 电容电极大致一致的结构。另外，也可以采用假设使第1电容电极在上述间隙的长度方 向上平行移动，并且以与该长度方向平行且穿过间隙中央的线为轴进行线对称移动，则 与第2电容电极大致一致的结构。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构上述晶体管的一方导通电极通过 接触孔连接到第1像素电极，并且该导通电极通过从其引出的引出配线连接到第1电容电 极。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构上述晶体管的一方导通电极与第 1像素电极通过接触孔连接，并且第1像素电极与第1电容电极通过接触孔连接。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构将扫描信号线的延伸方向作为行 方向，第1和第2像素电极在列方向上排列。另外，也可以采用如下结构将扫描信号 线的延伸方向作为行方向，第1和第2像素电极在行方向上排列。另外，也可以采用第1 像素电极包围第2像素电极的结构。另外，也可以采用第2像素电极包围第1像素电极 的结构。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构从平面图上看，第1像素电极比 第2像素电极更接近上述晶体管。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构对于在行方向上相邻的2个像素 区域而言，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在行方向上相邻。另外，也 可以采用如下结构对于在列方向上相邻的2个像素电极而言，其一方的第1像素电极与 另一方的第2像素电极在列方向上相邻。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构具备保持电容配线，其与第1像素电极或者电连接到该第1像素电极的导电体形成电容，并且与第2像素电极或者电连接 到该第2像素电极的导电体形成电容。在这种情况下，也可以采用上述保持电容配线以 横穿像素区域中央的方式在与扫描信号线相同的方向上延伸的结构。另外，也可以采用 第1电容电极和第2电容电极分别与保持电容配线形成电容的结构。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构上述层间绝缘膜包括无机绝缘膜 和比该无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，但是对于与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分 的至少一部分以及与第2电容电极和第1像素电极重叠的部分的至少一部分，除去了有机 绝缘膜。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1和第2像素电极的间隙发挥取 向控制构造物的功能。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1和第2像素电极的外周包括多 个边，并且第1像素电极的一边与第2像素电极的一边相邻，第1和第2电容电极分别被 配置为与该相邻的2边的间隙、第1像素电极以及第2像素电极重叠，在上述保持电容配 线中，设置有与上述间隙和第1电容电极重叠的开口部。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1像素电极包围第2像素电极， 包含与上述第2像素电极的外周平行的2个边，并且在第1像素电极的外周，包含与上述 2个边的一方通过第1间隙对置的边以及与另一方通过第2间隙对置的边，第1电容电极 被配置为与第1像素电极、第1间隙以及第2像素电极重叠，并且第2电容电极被配置为 与第2像素电极、第2间隙以及第1像素电极重叠。本有源矩阵基板的制造方法本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有源矩阵基板，其具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在１个像素区域内，设置有第１和第２像素电极， 所述有源矩阵基板的特征在于： 具备第１和第２电容电极， 第１电容电极、第１像素电极以及上述晶体管的一方导通电极电连接，并且第２电容电极和第２像素电极电连接， 第１电容电极与第２像素电极形成电容，第２电容电极与第１像素电极形成电容。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：津幡俊英，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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