压敏粘合剂膜和使用该压敏粘合剂膜的背磨方法技术

本发明专利技术涉及一种压敏粘合剂膜和一种使用该压敏粘合剂膜的半导体晶片背磨方法。本发明专利技术提供了一种压敏粘合剂膜，由于该压敏粘合剂膜在半导体制备过程中具有优越的切割性能和粘合性能且具有优异的减震性能，其可以在半导体制备过程的晶片背磨中显著地提高生产效率。此外，本发明专利技术提供了兼具提供优异的耐水性和对晶片具有优越剥离性能和再剥离性能和润湿性的压敏粘合剂膜，还提供了使用该压敏粘合剂膜的背磨方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种压敏粘合剂膜和一种背磨方法。
技术介绍
随着近来电子产品的小型化和轻型化的趋势，对于无引线、薄膜和高集成度的 半导体封装芯片的需求不断增加。为了满足此需求，对在半导体封装芯片中包括的大直 径薄膜晶片的需求也增加了。为了有效应对大直径薄膜半导体晶片的趋势，重要的是精确控制背磨工艺(其 为一种晶片研磨工艺)和切割工艺(其为一种重组工艺)。为此，需要能够控制这些工 艺的高性能技术。背磨工艺是一种机械地或者化学地抛光具有高集成度互连电路的晶片 表面以使晶片减薄的工艺。在此工艺中，例如，在8英寸晶片的情况下，通常将晶片研 磨至约200μιη至400μιη，这大约是预处理厚度的一半。然而，随着对于薄膜晶片的需 求，现在需要将晶片研磨至200 μ m以下，且因此常常使用保护膜，不仅用于在研磨过程 中保护薄膜晶片，而且也作为处理薄膜晶片的增强物。此外，随着晶片直径的增加，在 背磨工艺中经常发生晶片损坏，例如晶片污染和裂缝。在这方面，晶片加工保护膜的作 用被认为是很重要的。韩国注册专利第624293号公开了一种压敏粘合剂膜，其可以通过在特别的温度 范围内限制基底膜的动态粘弹性(tan δ)而被用于加工具有不平坦的大表面形状的粘附体 的背面。韩国专利公开第2006-47526号公开了一种半导体晶片压敏粘合剂保护膜，其中 限定了其在具体温度下的储能模量以防止薄膜半导体晶片的损坏。然而，虽然在上述常规技术中建议的压敏粘合剂膜可以防止在背部表面研磨的 过程中损坏晶片，但在此工艺中，它们的性能在晶片的切割方面非常差。当保护膜的切 割性能较差时，由于在联机进行的半导体加工工艺中膜切割失败，使得半导体加工工艺 不连续进行，导致加工效率劣化。
技术实现思路
技术问题本专利技术致力于解决现有技术中的上述问题，且本专利技术的目的是提供一种在半导 体制备工艺中具有优异的可切割性、粘合性能、减震性能、剥离性能、耐水性和对于晶 片的润湿性的压敏粘合剂膜，以及使用该压敏粘合剂膜的方法。技术方案为了实现上述目的，本专利技术提供了一种压敏粘合剂膜，其包括基底膜，其在23°C的温度下具有小于240Kg · mm的韧性(toughness)；以及压敏粘合剂层，其形成于所述基底膜上。为了实现上述目的，本专利技术还提供了一种背磨方法，其包括将根据本专利技术的压敏粘合剂膜粘合到半导体晶片上的第一步骤；以及研磨其上粘附了压敏粘合剂膜的半导体晶片的背面的第二步骤。有益效果本专利技术提供了一种压敏粘合剂膜，由于该压敏粘合剂膜在半导体制备工艺中具 有优越的可切割性和粘合性能且具有优异的减震性能，所以其可以显著地提高半导体制 备工艺的生产效率。此外，本专利技术还提供了具有优越剥离性能和再剥离性能的压敏粘合 剂膜，其在提供优异的耐水性的同时提供对晶片的润湿性。本专利技术还提供了使用该压敏 粘合剂膜的背磨方法。根据本专利技术，当将保护膜粘附到晶片上，并根据晶片的形状切割 该保护膜时，没有外来物质被引入到膜上，且由于干净的切削平面，毛刺的形成可以最 小化。因此，根据本专利技术，可以解决可能在半导体加工中发生的操作延误，且可以最小 化在膜切削平面中的毛刺形成，从而最小化由于在背磨工艺中水或者其他物质的引入导 致的晶片的污染和损坏。此外，根据本专利技术，该膜因其优异的减震性能可以防止晶片被 弯曲，从而解决在常规半导体加工中的一些问题并改进连续加工操作的效率。附图说明图1是一个拉伸曲线图；以及图2和图3是根据本专利技术的一个实施方式的压敏粘合剂膜的横截面图。<附图标记说明>10 基底膜20:压敏粘合剂层30 可剥离膜具体实施例方式本专利技术涉及一种压敏粘合剂膜，其包括基底膜，其在23°C的温度下具有小于240Kg · mm的韧性；以及压敏粘合剂层，其形成于所述基底膜上。以下将详述根据本专利技术的压敏粘合剂膜。所述压敏粘合剂膜包括具有优化韧性的基底膜，所述韧性是在特定条件下的拉 伸试验中测量的。在此使用的术语“拉伸试验”是指，当标准化样品被施加的力以预定的速度拉 伸时，通过施加于该样品上的力(力，应力)和该样品的伸长率之间的关系而测量该标准 化样品的物理性能的试验。拉伸试验的结果可以通过拉伸曲线表达，拉伸曲线显示出相 对于施加的力的样品的应变。拉伸曲线可以典型地分为“负载对伸长率曲线”(图1 中的左图)，其通过伸长率(mm)与施加的力(IO3N)的关系表示；以及“应力对应变曲 线”(图1中的右图)，其通过工程应变与工程应力的关系表示。以上使用的术语“工程应力”和“工程应变”是指所施加的力和相应应变的标 准化值，可由下式表示权利要求1.一种压敏粘合剂膜，其包括基底膜，其在23°c的温度下具有小于240Kg · mm 的韧性；以及压敏粘合剂层，其形成于所述基底膜上。2.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述基底膜在20°C至25°C的温度下具有 小于240Kg · mm的韧性。3.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述基底膜具有210Kg· mm以下的韧性。4.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述基底膜具有小于700%的伸长率。5.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述基底膜在20°C的温度下具有IXIO7Pa 至IXlO9Pa的储能模量。6.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述基底膜为聚烯烃膜、聚酯膜、聚氯乙 烯、聚酯弹性体或聚氨酯膜。7.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述基底膜具有50μιη至300μιη的厚度。8.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述压敏粘合剂层包含硅压敏粘合剂、合 成橡胶压敏粘合剂、天然橡胶压敏粘合剂或丙烯酸酯压敏粘合剂。9.权利要求8所述的压敏粘合剂膜，其中，所述丙烯酸酯压敏粘合剂包含单体的共聚 物，该单体含有90至99.9重量份的(甲基)丙烯酸酯单体和0.1至10重量份的含有交联 官能团的单体。10.权利要求9所述的压敏粘合剂膜，其中，所述(甲基)丙烯酸酯单体包括(甲基) 丙烯酸异冰片酯。11.权利要求9所述的压敏粘合剂膜，其中，所述共聚物具有-50至15°C的玻璃化转变温度。12.权利要求9所述的压敏粘合剂膜，其中，所述共聚物具有50,000至700,000的重均分子量。13.权利要求9所述的压敏粘合剂膜，其中，相对于100重量份的共聚物，所述压敏 粘合剂进一步包含0.1 10重量份的交联剂。14.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其中，所述压敏粘合剂层具有0.5μ m至50 μ m的厚度。15.权利要求1所述的压敏粘合剂膜，其进一步包括在所述压敏粘合剂层上形成的可 剥离膜。16.—种背磨方法，包括第一步，将权利要求1所述的压敏粘合剂膜粘合到半导体晶片上；以及 第二步，研磨其上粘附了压敏粘合剂膜的半导体晶片的背面。全文摘要本专利技术涉及一种压敏粘合剂膜和一种使用该压敏粘合剂膜的半导体晶片背磨方法。本专利技术提供了一种压敏粘合剂膜，由于该压敏粘合剂膜在半导体制备过程中具有优越的切割性能和粘合性能且具有优异的减震性能，其可以在半导体制备过程的晶片背磨中显著地提高生产效率。此外，本专利技术提供了兼具提供优异的耐水性和对晶片具有优越剥离性能和再剥离性能和润湿性的压敏粘合剂膜，还提供了使用该压敏粘合剂膜的背磨方法。文档编号C09J5/00GK102015937SQ200980本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压敏粘合剂膜，其包括：基底膜，其在２３℃的温度下具有小于２４０Ｋｇ·ｍｍ的韧性；以及压敏粘合剂层，其形成于所述基底膜上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金世罗，白允贞，金章淳，孙贤喜，洪宗完，朴炫佑，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR