基板载置台的降温方法、计算机可读取的存储介质和基板处理系统技术方案

基板载置台的降温方法使用基板（Ｗ）处理系统，该系统包括：第一基板载置台（２ｂ）；一个以上的处理室（１ｂ），其在内部设置有第一基板载置台（２ｂ），在第一基板载置台（２ｂ）上载置有基板（Ｗ）的状态下进行规定的处理；向处理室（１ｂ）搬送基板（Ｗ）的基板搬送装置（３１）；在内部设置有基板搬送装置（３１）的搬送室；和用于冷却基板（Ｗ）的第二基板载置台（６ａ）。基板载置台的降温方法包括：利用基板搬送装置（３１）将载置在第一基板载置台（２ｂ）上的基板（Ｗ）向第二基板载置台（６ａ）搬送的第一移载工序；和利用基板搬送装置（３１）将载置在第二基板载置台（６ａ）上的基板（Ｗ）向第一基板载置台（２ｂ）搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序，利用载置在第一基板载置台（２ｂ）上的基板（Ｗ）吸收第一基板载置台（２ｂ）的热，由此使第一基板载置台（２ｂ）降温。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对半导体晶片等基板进行例如成膜等处理时载置该基板的基板载置 台的降温方法、该方法所使用的计算机可读取的存储介质和进行上述方法的基板处理系 统。本专利技术对2008年9月16日提出的专利申请2008-236340号主张优先权，参照该 专利申请2008-236340号的所有内容并援引于此。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，对半导体晶片等基板进行成膜处理的成膜装置，在 腔室内具备载置基板的基板载置台，在由该基板载置台支承基板的状态下进行处理。在基 板载置台中内置有能够根据处理内容加热基板的加热器，在进行例如基于等离子体CVD法 等的成膜处理的情况下，利用加热器将基板载置台的温度加热至600°C 700°C左右(例如 日本特开2008-1923号公报)。在成膜装置中，在进行腔室内部的清洁、将腔室大气开放进行维修的情况下，需要 将基板载置台从上述处理温度下降至室温附近。为了避免急剧的温度变化对基板载置台的 损伤，而通过向腔室内导入冷却气体的气体冷却，以间接方法花费几小时慢慢地进行该基 板载置台的降温。但是，在气体冷却中，存在降温所需要的时间长，装置的停机时间增加而 导致生成率下降的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够提高基板载置台的降 温效率、缩短降温时间的方法。为了解决上述课题，本专利技术的第一方面提供一种基板载置台的降温方法，其使用 具有如下构成的基板处理系统，该基板处理系统包括设有用于加热基板的加热机构的第一基板载置台；一个以上的处理室，其在内部设置有该第一基板载置台，在该第一基板载置台上 载置有该基板的状态下进行规定的处理；向该处理室搬送该基板的基板搬送装置；在内部设置有该基板搬送装置的搬送室；和用于冷却该基板的第二基板载置台，上述基板载置台的降温方法包括利用上述基板搬送装置将载置在上述第一基板载置台上的上述基板向上述第二 基板载置台搬送的第一移载工序；和利用上述基板搬送装置将载置在上述第二基板载置台上的上述基板向上述第一 基板载置台搬送的第二移载工序，通过反复进行上述第一移载工序和上述第二移载工序，利用载置在上述第一基板 载置台上的上述基板吸收该第一基板载置台的热，使该第一基板载置台降温。根据本专利技术的基板载置台的降温方法，通过在第一基板载置台和第二基板载置台 之间反复进行基板的移载，使作为冷却对象的第一基板载置台的温度传递到基板冷却用的 第二基板载置台，能够以适当的降温速度使第一基板载置台有效地降温。通过像这样将基 板作为热介质加以利用，与在第一基板载置台设置冷却机构的情况相比，能够实现设备的 简化。而且，能够缩短降温时间，由此能够减少装置的停机时间，提高工作效率。此外，在本专利技术的基板载置台的降温方法中，也可以还包括利用设置于上述第二 基板载置台的冷却机构，对载置在该第二基板载置台上的上述基板进行冷却的冷却工序。 根据该特征，第二基板载置台具备冷却机构，从而能够提高基板的冷却效率，并且提高第一 基板载置台的降温效率，缩短降温时间。此外，在本专利技术的基板载置台的降温方法中，也可以为上述基板处理系统还具有 作为真空准备室的装载锁定室，该装载锁定室与上述搬送室邻接设置，并且在内部设有载 置台，上述装载锁定室内的上述载置台兼用作上述第二基板载置台。根据该特征，能够将装 载锁定室的载置台作为基板冷却用的第二基板载置台加以利用，不需要专用的设备，能够 仅用现有设备实施本专利技术方法。此外，在本专利技术的基板载置台的降温方法中，也可以将上述第二基板载置台设置 在上述搬送室内。根据该特征，通过将基板冷却用的第二基板载置台设置在搬送室内，能够 缩短交替移载基板时的时间，因此能够提高第一载置台的降温处理的生产率。此外，在本专利技术的基板载置台的降温方法中，也可以为上述基板处理系统还具有 用于冷却上述基板的基板冷却室，上述第二基板载置台设置在上述基板冷却室内。根据该 特征，通过在专用的基板冷却室内设置第二基板载置台进行降温处理，从而能够提高基板 的冷却效率，并且提高第一基板载置台的降温效率，缩短降温时间。此外，在本专利技术的基板载置台的降温方法中，也可以为在规定的温度带，控制在一 定的速度进行上述第一基板载置台的降温的第一降温工序；和在比上述规定的温度带低的 温度带，通过自然降温进行上述第一基板载置台的降温的第二降温工序，仅在上述第二降 温工序期间进行上述第一移载工序和上述第二移载工序。根据该特征，仅在进行自然降温 的第二降温过程应用第一移载工序和第二移载工序，从而能够提高第二降温过程的降温速 度，并且能够缩短整个降温时间。此外，在本专利技术的基板载置台的降温方法中，也可以在上述处理室和上述搬送室 成为真空状态时进行上述第一移载工序和上述第二移载工序。根据该特征，在等离子体处 理等真空条件下进行处理的基板处理系统中，由于不必大气开放就能够进行降温处理，所 以是有利的。此外，在本专利技术的基板载置台的降温方法中，也可以为上述基板由降温处理专用 基板构成，该降温处理专用基板具有在上表面形成有多个凸部，与上述第一载置台的接触 面积大且表面积大的散热构造。根据该特征，使用降温处理专用基板，能够提高作为热介质 的吸热和散热效率。因此，能够提高降温处理的生产率。此外，本专利技术的第二方面的计算机可读取的存储介质由存储有在计算机上动作的 控制程序的计算机可读取的存储介质构成，上述控制程序，对基板处理系统进行控制，在上述计算机中执行基板载置台的降 温方法，其中，上述基板处理系统包括设有用于加热基板的加热机构的第一基板载置台；—个以上的处理室，其在内部设置有该第一基板载置台，在该第一基板载置台上 载置有该基板的状态下进行规定的处理；向该处理室搬送基板的基板搬送装置；在内部设置有该基板搬送装置的搬送室；和用于冷却该基板的第二基板载置台，上述基板载置台的降温方法包括利用上述基板搬送装置将载置在上述第一基板载置台上的基板向第二基板载置 台搬送的第一移载工序；和利用上述基板搬送装置将载置在上述第二基板载置台上的上述基板向上述第一 基板载置台搬送的第二移载工序，通过反复进行上述第一移载工序和上述第二移载工序，利用载置在上述第一基板 载置台上的上述基板吸收该第一基板载置台的热，使该第一基板载置台降温。此外，本专利技术的第三方面的基板处理系统，包括设有用于加热基板的加热机构的第一基板载置台；—个以上的处理室，其在内部设置有上述第一基板载置台，在该第一基板载置台 上载置有上述基板的状态下进行规定的处理；向上述处理室搬送上述基板的基板搬送装置；在内部设置有上述基板搬送装置的搬送室；和对上述基板搬送装置进行控制的控制部，上述控制部通过使上述基板搬送装置反复进行将载置在上述第一基板载置台上 的基板向第二基板载置台搬送的动作和将载置在上述第二基板载置台上的上述基板向上 述第一基板载置台搬送的动作，利用载置在上述第一基板载置台上的上述基板吸收该第一 基板载置台的热，使该第一基板载置台降温。根据本专利技术，由于能够避免对处理室中的基板载置台的损伤并且提高基板载置台 的降温效率，所以起到能够缩短降温时间、并且也能够缩短装置的停机时间这样的效果。附图说明图1是基板处理系统的概略结构图。图2是表示基板处理系统的内部构造的主要部分截面图。图3是表示第一实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板载置台的降温方法，其使用具有如下构成的基板处理系统，该基板处理系统包括：　　设有用于加热基板的加热机构的第一基板载置台；　　一个以上的处理室，其在内部设置有该第一基板载置台，在该第一基板载置台上载置有该基板的状态下进行规定的处理；向该处理室搬送该基板的基板搬送装置；　　在内部设置该基板搬送装置的搬送室；和　　用于冷却该基板的第二基板载置台，　　所述基板载置台的降温方法的特征在于，　　包括：　　利用所述基板搬送装置将载置在所述第一基板载置台上的所述基板向所述第二基板载置台搬送的第一移载工序；和　　利用所述基板搬送装置将载置在所述第二基板载置台上的所述基板向所述第一基板载置台搬送的第二移载工序，　　通过反复进行所述第一移载工序和所述第二移载工序，利用载置在所述第一基板载置台上的所述基板吸收该第一基板载置台的热，使该第一基板载置台降温。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林贤一，仲山阳一，甲斐亘三，白坂贤治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]