半导体设备的器件清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提出一种半导体设备的器件清洗装置，包括：外部清洗槽；内部清洗槽，设置于所述外部清洗槽内部；去离子水入水管，其开口位于所述内部清洗槽上方；污水排水管，其开口连接于所述外部清洗槽底部；其中，所述内部清洗槽内具有上下运动的第一承载部和第二承载部，用于承载所述半导体设备的器件。本实用新型专利技术提出的半导体设备的器件清洗装置，其能够大大提高半导体设备的器件的清洗效果，从而延长半导体设备的器件的使用寿命，保证半导体产品的性能和质量。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，且特别涉及一种半导体设备的器件清洗装置。
技术介绍
在半导体制造工艺中，为制作分立器件与集成电路，需要在晶片的衬底上沉积不 同种类的薄膜，在沉积薄膜的方法中，化学气相沉积(CVD， ChemicalVapor D印osition)是 一种常用的方法。所述的化学气相沉积方法包括低压化学气相沉积、高压化学气相沉积、等 离子体增强化学气相沉积以及其它各种半导体制作过程中用到的化学气相沉积方法。 在化学气相沉积过程中会产生污染物微粒，例如是氮化硅、二氧化硅等氧化物，沉 积在化学气相沉积设备的器件上。这类污染物微粒若没有及时清洗去除，容易造成晶圆表 面的薄膜厚度不均匀，严重的会造成晶圆报废。因此需要更换这些受到污染的设备器件，但 是这类器件成本较高，同时需要停机拆卸替换，浪费了大量人力物力，降低了生产效率。 现有技术中，对化学气相沉积设备器件进行清洗采用单一的清洗槽，参见图l，其 将多个设备器件10垂直放入清洗槽20中，清洗槽20上部的入水口 30通入去离子水对设 备器件10进行清洗，清洗槽20底部的排水口 40将污水排出。然而这种清洗方式设备器件 10静止放置在清洗槽20中，去除的污染物微粒并不会有效的随着去离子水排出，而是依然 大量存在于清洗槽20中，因此其清洗效果并不理想。
技术实现思路
本技术提出一种半导体设备的器件清洗装置，其能够大大提高半导体设备的 器件的清洗效果，从而延长半导体设备的器件的使用寿命，保证半导体产品的性能和质量。为了达到上述目的，本技术提出一种半导体设备的器件清洗装置，包括 外部清洗槽； 内部清洗槽，设置于所述外部清洗槽内部； 去离子水入水管，其开口位于所述内部清洗槽上方； 污水排水管，其开口连接于所述外部清洗槽底部； 其中，所述内部清洗槽内具有上下运动的第一承载部和第二承载部，用于承载所 述半导体设备的器件。 进一步的，该清洗装置具有第一溢面探测器和第二溢面探测器，分别位于外部清 洗槽和内部清洗槽中。 进一步的，所述第一承载部和第二承载部分别具有多个开孔。 进一步的，所述第一承载部和第二承载部靠近内部清洗槽侧壁部分的开孔密度大 于靠近半导体设备的器件部分的开孔密度。 进一步的，所述内部清洗槽侧壁顶部具有锯齿状开口 。 进一步的，所述内部清洗槽内底部具有超声波清洗装置。 进一步的，所述外部清洗槽为边长50cm的立方体，所述内部清洗槽为边长30cm的立方体。 进一步的，所述第一承载部和第二承载部的上下运动速度为0 5m/min。 进一步的，所述第一承载部和第二承载部的上下运动速度为2. 4m/min。 进一步的，每清洗一件所述半导体设备的器件，所述第一承载部和第二承载部的 上下运动次数大于10次。 本技术提出的半导体设备的器件清洗装置，采用内外清洗槽的分离式清洗，将半导体设备的器件水平放置并多次在内部清洗槽中上下运动清洗，随后将污水通过内部清洗槽侧壁顶部的锯齿状开口迅速排出到外部清洗槽中，避免二次污染。 内外清洗槽分别具有的溢面探测器，控制内部清洗槽的水平面高于外部清洗槽的水平面，避免污水倒流造成污染。内部清洗槽内底部具有的超声波清洗装置，大大提高了半导体设备的器件的清洗效果。第一承载部和第二承载部上不同密度的开孔，加强了内部清洗槽侧面的水流溢出效果，利于污水迅速排出，粒子污染物不易积累，从而提高了清洗效果。附图说明图1所示为现有技术中半导体设备的器件清洗装置的结构示意图。图2所示为本技术较佳实施例的半导体设备的器件清洗装置的结构示意图。 图3所示为本技术较佳实施例的内部清洗槽的侧壁结构示意图。 图4所示为本技术较佳实施例的第一承载部和第二承载部的结构示意图。具体实施方式为了更了解本技术的
技术实现思路
，特举具体实施例并配合所附图说明如下。 本技术提出一种半导体设备的器件清洗装置，其能够大大提高半导体设备的 器件的清洗效果，从而延长半导体设备的器件的使用寿命，保证半导体产品的性能和质量。 请参考图2，图2所示为本技术较佳实施例的半导体设备的器件清洗装置的 结构示意图。本技术提出一种半导体设备的器件清洗装置，包括外部清洗槽210和 内部清洗槽220，所述内部清洗槽220设置于所述外部清洗槽210内部；该清洗装置包括去 离子水入水管300，其开口位于所述内部清洗槽220上方，用于向内部清洗槽220充入洁净 的去离子水；该清洗装置还包括污水排水管400，其开口连接于所述外部清洗槽210底部， 用于排出外部清洗槽210的污水；其中，所述内部清洗槽220内具有上下运动的第一承载部 230和第二承载部240，用于承载半导体设备的器件100。 根据本技术较佳实施例，该清洗装置具有第一溢面探测器240和第二溢面探 测器250，分别位于外部清洗槽210和内部清洗槽220中。所述第一溢面探测器240和第二 溢面探测器250控制内部清洗槽220的水平面高于外部清洗槽210的水平面，避免污水倒 流造成污染。当探测到外部清洗槽210的水平面接近内部清洗槽220的水平面时，控制打 开去离子水入水管300的阀门310，向内部清洗槽220充入洁净的去离子水，从而保证内部 清洗槽220的水平面高于外部清洗槽210的水平面。 根据本技术较佳实施例，所述外部清洗槽210为边长50cm的立方体，所述内 部清洗槽220为边长30cm的立方体。所述内部清洗槽220内底部具有超声波清洗装置260，用于加强对半导体设备的器件100的清洗能力，大大提高了清洗效果。 再请参考图3，图3所示为本技术较佳实施例的内部清洗槽的侧壁结构示意 图。所述内部清洗槽侧壁221顶部具有锯齿状开口 222，锯齿状开口 222的存在大大提升了 内部清洗槽220向外部清洗槽210的水流溢出能力，利于污水迅速排出，粒子污染物不易积 累，从而提高了清洗效果。 再请参考图4，图4所示为本技术较佳实施例的第一承载部230和第二承载 部240的结构示意图。所述第一承载部230和第二承载部240分别具有多个开孔，便于水 流通过。进一步的，所述第一承载部230和第二承载部240靠近所连接的内部清洗槽侧壁 部分的开孔密度大于靠近半导体设备的器件部分的开孔密度。使得靠近所连接的内部清洗 槽侧壁部分的水流更加强烈，加强了内部清洗槽侧面的水流溢出效果，利于污水迅速排出， 粒子污染物不易积累，从而提高了清洗效果。 在使用过程中，首先将半导体设备的器件100水平放置在内部清洗槽220的第一 承载部230和第二承载部240之间，由第一承载部230和第二承载部240支撑； 接着通过打开去离子水入水管300的阀门310，向内部清洗槽220充入洁净的去离 子水，并且溢出到外部清洗槽210内，通过第一溢面探测器240和第二溢面探测器250控制 内部清洗槽220的水平面高于外部清洗槽210的水平面； 然后控制第一承载部230和第二承载部240承载着半导体设备的器件100在内 部清洗槽220中上下运动进行清洗，所述第一承载部230和第二承载部240的上下运动速 度范围为0 5m/min，较佳的，所述第一承载部230和第二承载部240的上下运动速度为 2. 4m/min，其中，每清洗一件所述半导体设备的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备的器件清洗装置，其特征在于，包括：外部清洗槽；内部清洗槽，设置于所述外部清洗槽内部；去离子水入水管，其开口位于所述内部清洗槽上方；污水排水管，其开口连接于所述外部清洗槽底部；其中，所述内部清洗槽内具有上下运动的第一承载部和第二承载部，用于承载所述半导体设备的器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李景伦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]