成膜装置制造方法及图纸

一种成膜装置包括：成膜室（１１），在真空中将希望的膜成膜在基板（Ｗ）上；放入取出室（１３），经由第一开闭部（２５）被固定于所述成膜室（１１），并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部（３６），设置在所述放入取出室（１３）的、与设置有所述第一开闭部（２５）的面相反的面上；以及托架（２１），以所述基板（Ｗ）的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板（Ｗ），所述托架或所述基板（Ｗ）通过所述第二开闭部（３６）被搬入、搬出所述放入取出室（１３），在所述放入取出室（１３）中并列配置多个所述托架（２１），在所述放入取出室（１３）与所述成膜室（１１）之间所述多个托架（２１）被并列地搬入或搬出，在所述成膜室（１１）中对保持在所述多个托架（２１）上的多个所述基板（Ｗ）同时进行成膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及成膜装置。本申请基于2008年6月6日申请的特愿2008-149938号主张优先权，在此援用其 内容。
技术介绍
现在的太阳能电池所使用的材料中，被单晶Si型和多晶Si型材料占据大半，人们 担心Si的材料不足等。因此，近年来，制造成本低且材料不足的风险小、形成有薄膜Si层的薄膜太阳能 电池的需求升高。进一步，在仅具有现有型a-Si (非晶硅)层的现有的薄膜太阳能电池的基础上，最 近通过层积a-Si层与μ C-Si (微晶硅)层而实现转换效率提高的叠层型薄膜太阳能电池 的需求升高。这种薄膜太阳能电池的薄膜Si层(半导体层)的成膜工序中，多使用等离子体 CVD装置。作为等离子体CVD装置，已知有群集式PE-CVD(等离子体CVD)装置、线列型 PE-CVD装置、批次式PE-CVD装置等。如果考虑薄膜太阳能电池的转换效率，作为上述叠层型太阳能电池的μ c-Si层 的膜厚，与a-Si层相比较需要确保约5倍左右的膜厚(1. 5 μ m左右)。另外，为了获得 μ c-Si层需要均勻地形成优质的微晶层，增加成膜速度来形成微晶层是有成膜工序的界限 的。因此，例如要求增加批处理数，以使生产率提高。即，要求以低成膜速度且高生产能力 实现成膜处理的装置。另外，提出了能够形成高品质的薄膜、且以降低制造成本或维护成本为目的的CVD 装置(例如，参考专利文献1)。专利文献1的CVD装置由基体(基板)接收发送装置、可收 纳多个基体的成膜腔室群、移动用腔室、以及腔室移动装置构成。另外，在成膜腔室的成膜 室出入口设置有具有气密性的挡板，移动用腔室的收纳室出入口总是开放的。而且，对基体 实施成膜时，通过腔室移动装置移动用腔室移动到基体接收发送装置的位置，将基体托架 移送到移动用腔室中。另外，通过腔室移动装置，接合移动用腔室与成膜腔室，使基体托架 移动到成膜腔室中，并对基体进行成膜。专利文献1 特开2005-139524号公报但是，在专利文献1的CVD装置中，为了对基体进行薄膜Si层的成膜，在将移动用 腔室与成膜腔室接合，并进行减压以使移动用腔室内为真空状态后，打开成膜腔室的挡板， 从移动腔室向成膜腔室移送基体托架。然后，在成膜腔室内加热基体，通过等离子体CVD法 对基体进行薄膜Si层的成膜。成膜结束后，冷却基体，并将基体向与成膜腔室不同的处理 室搬送。因此，虽然能够同时对多个基体实施成膜，但是为了对基体进行薄膜Si层的成膜， 除了用于对基体进行成膜的时间以外，还需要用于进行多个步骤的时间。因此，为了实现高 生产能力需要增加CVD装置的设置台数。但是，如果考虑装置的设置面积或成本效益，实现高生产能力是有界限的。另外，由于将移动用腔室与成膜腔室接合之后需要对腔室内进行 减压，因此有时会由接合部产生泄漏而导致减压所需的时间变长。另外，由于移动用腔室 的数量与成膜腔室的数量相比少，因此托架的更换时间有时会对整个装置的运转率造成影 响。
技术实现思路
因此，本专利技术有鉴于上述情况而产生，提供一种在生产率或制造成本方面优异、且 能够实现高生产能力的成膜装置。本专利技术的第一方式的成膜装置包括成膜室，在真空中将希望的膜成膜在基板上； 放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能对内部减压为真空气氛；第二开闭 部，设置在所述放入取出室的、与设置有所述第一开闭部的面相反的面上；以及托架，以所 述基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板。进一步，在本专利技术的第一方式 的成膜装置中，所述托架或所述基板通过所述第二开闭部被搬入、搬出所述放入取出室，在 所述放入取出室中并列配置多个所述托架，在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个 托架被并列地搬入、搬出，在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时 进行成膜。根据具有上述结构的成膜装置，在放入取出室中能够并列配置多个托架，并且能 够将多个托架搬入成膜室或从成膜室搬出多个托架，能够对保持在所述多个托架上的多个 基板同时进行成膜，因此能够提高生产效率。即、即使进行低成膜速度的处理时也能够实现 高生产能力。另外，通过在托架上以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持基板，能够 缩小基板在装置内移动所需的面积。因此，能够实现装置的小型化，并且能够在与现有相同 的设置面积之中配置更多的装置。因此，能够增加可同时成膜的基板块数，能够提高生产 率。另外，在基板的成膜面与重力方向大致平行地沿铅直方向竖立的状态下进行成膜时，能 够抑制成膜时产生的颗粒堆积在基板的成膜面上。因此，能够对基板进行高品质的半导体 层的成膜。本专利技术的第二方式的成膜装置包括成膜室，在真空中将希望的膜成膜在基板上； 放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能将内部减压为真空气氛；以及基板 装卸室，经由第二开闭部被固定于所述放入取出室，并对能够保持所述基板的托架装卸所 述基板。进一步，在本专利技术的第二方式的成膜装置中，所述托架以所述基板的成膜面与重力 方向大致平行的方式保持所述基板，在所述基板装卸室内并列配置多个所述托架，在所述 基板装卸室与所述放入取出室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，在所述放入取出室 与所述成膜室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，在所述成膜室中对保持在所述多个 托架上的多个所述基板同时进行成膜。根据具有上述结构的成膜装置，在基板装卸室和放入取出室中能够并列配置多个 托架，并且能够将多个托架搬入成膜室或从成膜室搬出多个托架，能够对保持在所述多个 托架上的多个基板同时进行成膜，因此能够提高生产效率。即、即使进行低成膜速度的处理 时也能够实现高生产能力。另外，通过在托架上以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持基板，能够缩小基板在装置内移动所需的面积，因此能够实现装置的小型化，并且能够在与现有相同 的设置面积之中配置更多的装置。因此，能够增加可同时成膜的基板块数，能够提高生产 率。另外，在基板的成膜面与重力方向大致平行地沿铅直方向竖立的状态下进行成膜时，能 够抑制成膜时产生的颗粒堆积在基板的成膜面上。因此，能够对基板进行高品质的半导体 层的成膜。优选地，在本专利技术的第二方式的成膜装置中，包括多个流程模块，以所述基板装 卸室、所述放入取出室、以及所述成膜室为一组；以及驱动机构，共用于多个所述基板装卸 室，搬入、搬出所述基板。根据具有上述结构的成膜装置，通过配置多个流程模块，能够进一步增加可同时 成膜的基板的块数，因此即使在以低速率对基板进行成膜时，也能够实现高生产能力。此 时，由于驱动机构进行基板装卸室与基板收纳盒之间的基板的传递，因此能够进一步提高 生产效率。另外，由于装置作为流程模块被一体化，因此能够缩短在工厂等中构筑制造线时 的装置的设置时间(制造线的启动时间)。进一步，进行成膜室的维护时，能够分别对每个 流程模块进行维护，无需停止整个制造线。因此，能够将维护时的生产效率的下降抑制到最 小限度。优选地，在本专利技术的第二方式的成膜装置中，所述流程模块并列配置，所述驱动机 构具有移动部。根据具有上述结构的成膜装置，由于并列配置多个流程模块，因此能够进一步增 加可同时成膜的基板的块数。因此，即使在以低速率对基板进行成膜时，也能够实现高生产 能力。此时，由于进行基板装卸室与基板收纳盒之间的基板的传递的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其特征在于，包括：成膜室，在真空中将希望的膜成膜在基板上；放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部，设置在所述放入取出室的、与设置有所述第一开闭部的面相反的面上；以及托架，以所述基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板，所述托架或所述基板通过所述第二开闭部被搬入、搬出所述放入取出室，在所述放入取出室中并列配置多个所述托架，在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时进行成膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水康男，小形英之，松本浩一，野口恭史，若森让治，冈山智彦，森冈和，杉山哲康，重田贵司，栗原広行，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]