贵金属组件含锗真空电镀法制造技术

本发明专利技术涉及一种贵金属组件含锗真空电镀法，其方法的步骤至少包括：（一）组件加工、（二）表层处理、（三）镀锗膜处理、（四）镀钛膜处理、（五）气化处理、（六）组装成品，通过上述方法步骤，能大幅减低环保污染，并能提供贵金属具有锗及钛元素的处理效果，且利用该锗与钛元素的物理特性，促进使用者身体健康的提升，以及增加贵金属的成品附加价值与适用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种贵金属组件含锗真空电镀法，尤其涉及一种具有环保与提升成品 附加价值的含锗真空电镀方法，以提供贵金属具有锗及钛元素的处理效果，且利用该锗与 钛元素的物理特性，促进使用者身体健康，以及提升贵金属的商业价值与适用范围。
技术介绍
由于锗元素具有游离及隔离、中和电磁波的物理特性，特别是在32°C时会产生负 电子的游离。医学上已知利用此特性以平衡人体体内的正负电子，来促进人体血液的循环， 更是广为人知的事实。因此近年来已有眼镜框、项链、手镯等贵金属组件的业者，利用含锗 元素的锗粒13镶嵌在贵金属组件其成品1上(如图1、图2所示)，一方面可提升佩戴者的 身分与气质，另一方面更因具有养生效果，而为各界所喜好。上述已有的贵金属组件的成品 1镶嵌锗粒13的结构，主要是在该成品1的组件11上设有一嵌入孔12，利用该嵌入孔12 嵌入(或粘着)该锗粒13，其制造方法2(如图3所示)的步骤为(一)组件加工(步骤21)，利用模具将金属线材裁切，并加以成型成一成品1(如 项链、手镯、眼镜框等)的组件11 ；(二)组装(步骤2 ，将各组件11组合成一雏型加工件；(三)锗粒装设处理(步骤2 ，将锗粒13嵌入于该雏型加工件其组件11的嵌入 孔12，而完成一成品1。上述现有的制造方法，虽可使成品1具有锗元素的效果，但因锗元素的价格十分 昂贵，且镶嵌作业耗费人工，不易大量生产；同时又因锗粒分布不均勻，往往会影响到使用 效果，而广为使用者所垢病；有鉴于此，本案专利技术人提出“饰品的制造方法”(即台湾申请专 利案号第95149751号、中国专利申请案号第200710005684. 4号的专利案，以下简称前案)。 按上述方法所制成的成品，不但成本低且可大量快速生产。此前案虽可有效解决已有的利 用锗粒镶嵌作业上耗费人工，不易大量生产等缺失，但此制造方法是一种利用液态(水)电 镀的方法，必需耗费大量用水；其电镀过程会产生如Cr、Ni、Zr、Sn及其合金的重金属废水 与空气污染问题，特别是六价铬、氰化物为剧毒，即使经由昂贵废水处理，仍会存有残余物， 长期累积也是一大毒害；而且，液态(水)电镀的产品其附着度的控制不易，常造成其成品 锗膜分布不均勻，以致浪费昂贵的锗原料。如上所述，液态(水)电镀存有环境污染缺失，要解决此问题以现有技术只能仰赖 金属真空电镀法，此方法俗称电浆被覆法，又称IP电镀法。其工作原理是在一真空镀膜机 内，利用放电产生电浆作用，以使金属靶材其金属元素游离附着在加工件表面，而形成一金 属间化合物膜。然而此技术在其他单一金属镀膜处理上(如钛膜)，虽已被广泛使用，但有 关锗材料利用IP电镀法，使用在贵金属成品上，仍为无法克服的问题。其原因除了将锗制 成锗靶材的技术无法突破外，现有的IP电镀法仍存有镀膜不均勻，以及不能在一次工作流 程中做出多层复合镀膜的技术。此外，由于贵金属组件的成品，已被要求制成各种高雅色系 的发展趋势下，传统的IP电镀法却仅能提供有限的基本色系，而广为人所垢病。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的，在于提供一种具有环保与提升成品附加价值的贵金属 组件含锗真空电镀法，其方法的步骤至少包括(一)组件加工、(二)表层处理、(三)镀 锗膜处理、(四)镀钛膜处理、(五)气化处理、(六)组装成品，由上述方法的步骤，能大幅 减低生产时的环境污染，并能提供贵金属具有锗及钛元素的处理效果，且利用该锗与钛元 素的物理等性，促进使用者身体健康的提升，以及贵金属表面色泽变化，有效提升其附加价 值与适用范围。上述本专利技术的方法，其中该镀锗膜处理及镀钛膜处理的步骤，更透过一真空镀膜 机内的挂具的自转配合一转盘的公转，在该真空镀膜机其真空舱四周环绕的复数靶材设置 下，能全面包围工作物，而使镀膜均勻，且在不同材料的靶材(如锗靶材、钛靶材)配置下， 以达到一次工作流程中做出多层次的复合镀膜，实现成品的底层镀锗，表面镀钛的目的。上述本专利技术的方法，其中该气化处理的步骤，更透过不同的气体进入该真空镀膜 机内，使该钛膜表面形成各种不同的表面色系的钛膜，以符合市场的需求色系，例如加入氮 气可产生玫瑰金，加入二氧化碳产生宝蓝色，加入乙炔产生灰色等。附图说明图1为现有的贵金属组件的立体示意图；图2为现有的贵金属组件的剖面示意图；图3为现有的贵金属组件其制造方法的流程图；图4为本专利技术其真空镀膜机动作示意图；图5为本专利技术其真空镀膜机平面示意图；图6为本专利技术其电浆作用区动作示意图；图7为本专利技术其方法的步骤流程图；图8为本专利技术其加工件剖面示意图；图9为本专利技术其成品实施例的立体示意图。具体实施例方式以下结合附图，对本专利技术上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。本专利技术一种贵金属组件含锗真空电镀法4(请参阅图4至图7所示)，其利用一真 空镀膜机3进行本专利技术的方法4各步骤的进行。其中该真空镀膜机3其壳体30内部设有 一真空舱300，其底部设有一抽气马达31，而该壳体30外接至少一供气管32。该真空舱300 的周围环设有复数靶材座37，该每一靶材座37是由一永久磁铁结合电磁铁所组成的磁铁 373连结一靶材371所构成(该靶材371可依镀膜的不同，选用各种不同金属材料所制成的 靶材，例如锗靶材、钛靶材)。各不同材料的靶材371可在该真空舱300的周围等分均勻分 布，由此以多靶材371全面包围各加工件50。同时为考虑每一加工件50的表面镀膜能够均 勻附着，该真空舱300的底部设有一转盘34。该转盘34上置设有复数挂具35，该挂具35 提供该加工件50的挂设，且该挂具35本身透过动力控制会定时作正向自转或反向自转，并 配合该转盘34本身的公转。如此将使每一加工件50挂设在挂具35上时，会具有多方向容易达到全面性镀膜处理效果，以获取一均勻的镀膜层。由上述的真空镀膜机3，本专利技术的方 法4步骤(如图7所示)至少包括有(一)组件加工(步骤41)，利用模具将金属材料裁切，并加工成型成为一雏型的 加工件50 (如项链、手镯、眼镜框等零组件)；( 二)表层处理(步骤42)，将加工件50进行酸洗、脱脂作业，以去除该加工件50 上不必要的杂质，再将该加工件50放入该真空电镀膜机3中；(三)镀锗膜处理(步骤43)，加工件50置设在挂具35上，驱动电源单元33对具 有锗靶材的靶材座37其磁铁373通电，使其产生磁场与电子交互作用，在真空舱300内会 产生一电浆作用区A (如图6所示)，在该电浆作用区A作用下靶材371 (指锗靶材)的靶面 372从而溅射出锗元素，并附着于加工件50的表面，而形成一锗膜501 (如图8所示)。同 时因该挂具35定时作正、反向自转及配合转盘34的公转，因此锗膜501能更均勻披覆在加 工件50表面；(四)镀钛膜处理(步骤44)，在完成镀锗膜处理后，驱动电源单元33对具有钛靶 材的靶材座37其磁铁373通电，使其产生磁场与电子交互作用，在真空舱300内会产生一 电浆作用区A(如图6所示)，在该电浆作用区A作用下靶材(指钛靶材)的靶面372从而 溅射出钛元素，并附着于该加工件50其锗膜501的表面，而形成一钛膜502 (如图8所示)；(五)气化处理(步骤45)，在镀锗膜处理(步骤43)的步骤中，由至少一供气管 32释出气体(如氩气)引发该磁铁373在通电后产生电浆作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种贵金属组件含锗真空电镀法，其特征在于其至少包括以下步骤：（一）组件加工，利用模具将金属材料裁切，并加工成型成为一雏形的加工件；（二）表层处理，将该加工件进行酸洗、脱脂作业，再将加工件放入一真空镀膜机中；（三）镀锗膜处理，将加工件置设在一挂具上，驱动一电源单元对具有锗靶材的靶材座其磁铁通电，使产生一电浆作用区，对锗靶材的靶面溅射出锗元素附着于该加工件的表面，而形成一锗膜；（四）镀钛锗处理，驱动该电源单元对具有钛靶材的靶材座其磁铁通电，使产生一电浆作用区，对钛靶材的靶面溅射出钛元素附着于该加工件的表面，而形成一钛膜；（五）气化处理，在镀锗膜及镀钛膜处理过程中，由至少一供气管释出气体引发该磁铁在通电后产生电浆作用；（六）组装成品，将各镀膜处理完成的加工件，组装成一成品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁逸祥，
申请(专利权)人：梁逸祥，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]