发光二极管晶元封装体及其封装方法技术

本发明专利技术涉及发光二极管晶元封装体及其封装方法。一种发光二极管晶元封装体包括：一个发光二极管晶元，其具有一个半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面的电极、一个形成于该电极安装表面上且具有两个暴露对应的电极的穿孔的绝缘层、一个形成于该绝缘层上且具有两个与该绝缘层的对应的穿孔连通的导体安装孔的导体形成层、及形成在这种连通的穿孔与导体安装孔内以可与对应的电极电连接的导体单元；及一个形成在该发光二极管晶元的与该电极安装表面相对的表面上的覆盖层，该覆盖层延伸至该发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管晶元封装体及其封装体方法。
技术介绍
从1996年日亚化学量产白光LED开始，全球LED业者纷纷将研发的重点转移至白 光LED。至目前为止，市面上的白光LED的结构多与日亚化学提供的白光LED的结构雷同。 然而，该白光LED的结构存在有若干缺点，这种缺点已在本案共同申请人的中国台湾专利技术 专利第097146076号申请案中说明，在此不再赘述。本专利技术提供一种完全与日亚化学的白光LED的结构不同且能够克服其缺点的白 光LED结构。
技术实现思路
本专利技术的一个目的为提供一种完全与日亚化学的白光LED的结构不同且能够克 服其的缺点的白光LED结构。根据本专利技术的特征，一种发光二极管晶元封装体被提供，该发光二极管晶元封装 体包括一个发光二极管晶元，其具有一个半导体基体、至少两个配置在该半导体基体的 电极安装表面的电极、一个形成于该电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的 绝缘层、一个形成于该绝缘层上且具有两个与该绝缘层的对应的穿孔连通的导体安装孔的 导体形成层、及形成在这种连通的穿孔与导体安装孔内以可与对应的电极电连接的导体单 元；及一个形成在该发光二极管晶元的与该电极安装表面相对的表面上的覆盖层，该覆盖 层延伸至该发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。根据本专利技术的另一特征，一种发光二极管晶元封装体的封装方法被提供，该封装 方法包括如下的步骤提供多个发光二极管晶元，每个发光二极管晶元具有一个半导体基 体、至少两个配置在该半导体基体的电极安装表面的电极、一个形成于该电极安装表面上 且具有两个曝露对应的电极的穿孔的绝缘层、一个形成于该绝缘层上且具有两个与该绝缘 层的对应的穿孔连通的导体安装孔的导体形成层、及形成在这种连通的穿孔与导体安装孔 内以可与对应的电极电连接的导体单元；把该多个发光二极管晶元以矩阵形式排列在一个 支承体的支承表面上；形成一透光的覆盖层在该支承体的支承表面上以至于所有的发光二 极管晶元被覆盖，该覆盖层掺杂有荧光粉；及切割该覆盖层以可得到多个各包括至少一个 发光二极管晶元的发光二极管晶元封装体。附图说明图1至5为用于说明本专利技术的第一优选实施例的发光二极管晶元封装体的封装方 法的示意图；图6为一个显示本专利技术的第一实施例的发光二极管晶元封装体的封装方法的一 变化的示意剖视图7为一个显示本专利技术的第二优选实施例的发光二极管晶元封装体的示意剖视 图；图8为一个显示本专利技术的第一优选实施例的发光二极管晶元封装体的变化的示 意剖视图；图9为一个显示本专利技术的第二优选实施例的发光二极管晶元封装体的变化的示 意剖视图；图10至16为用于说明本专利技术的第三优选实施例的发光二极管晶元封装体的封装 方法的示意图；以及图17至22为显示本专利技术的导体单元的例子的示意平面图。 具体实施例方式在后面的本专利技术的优选实施例的详细说明中，相同或类似的元件由相同的标号标 示，而且它们的详细描述将会被省略。此外，为了清楚揭示本专利技术的特征，于图式中的元件 并非按实际比例描绘。图1至5为用以说明本专利技术的第一优选实施例的发光二极管晶元封装体的制造方 法的示意图。请配合参阅图1至5所示，首先，多个如在图1中所示的发光二极管晶元1被准备 (在图1中仅显示一个发光二极管晶元1)。每个发光二极管晶元1具有一个半导体基体 10、至少两个配置在该半导体基体10的电极安装表面100的电极11、一个形成于该电极安 装表面100上且具有两个曝露对应的电极11的穿孔120的绝缘层12、一个形成于该绝缘 层12上且具有两个与该绝缘层12的对应的穿孔120连通的导体安装孔130的导体形成层 13、及形成在这种连通的穿孔120与导体安装孔130内以可与对应的电极11电连接的导体 单元14。每个导体单元14可以由单一材料形成或者可以由两种或以上的材料形成。在本 实施例中，该导体单元14以由四种材料形成为例子，其中，第一导体层140可以由诸如铜、 钻石墨、碳化硅、铝、锌、与银及其类似中的任一者的材料形成，第二导体层141可以由诸如 铜、钻石墨、碳化硅、铝、锌、与银及其类似中的任一者的材料形成，第三导体层142可以由 诸如镍及其类似的材料形成，而第四导体层143可以由诸如金及其类似的材料形成。请参阅图2所示，这种发光二极管晶元1以矩阵形式排列在一个支承体2的支承 表面20上。随后，一个透光的覆盖层3形成在该支承体2的支承表面20上以至于所有的 发光二极管晶元1被覆盖。应要注意的是，该覆盖层3掺杂有荧光粉以至于当该发光二极 管晶元1被作动时能产生具有所需颜色的光线。在该覆盖层3被形成之后，该支承体2被 移除以至于这种导体单元14的第四导体层143露出，如在图3中所示。请配合参阅图17至22所示，这种导体单元14可以具有各式各样的形状。然后，如在图4中所示，一保护层4形成在覆盖层3的与这种导体单元14齐平的 表面上以至于所有导体单元14被覆盖。接着，该保护层4形成有多个曝露对应的导体单元 14的曝露孔40。随后，导电材料5填充于每个曝露孔40中以可与对应的导体单元14电连 接。最后，藉由切割处理，得到多个各如在图5中所示的发光二极管晶元封装体。应要注意的是，导电材料5的面积比导体单元14的面积大许多，因此，在把发光二极管晶元封装体安装于其他装置(图中未示)上会有很大的帮助。此外，这种发光二极管晶元1在该支承体2的支承表面20上的置放依据 0603/0402/0201/01005等等规格的LED SMD作业标准尺寸而定。图6为一个显示本专利技术的第一实施例的发光二极管晶元封装体的封装方法的一 变化的示意剖视图。如在图6中所示，在以上图4的步骤中，该保护层4的曝露孔40依需要被形成曝 露至少两个发光二极管晶元1的相同极性或不同极性的电极的导体单元14以至于至少两 个发光二极管晶元1以导电材料5串联及/或并联连接，以可在切割步骤之后形成一个包 括至少两个发光二极管晶元1的AC/DC 100-130V发光二极管模块或者一个包括至少两个 发光二极管晶元1的AC/DC 200-M0V发光二极管模块。图7为一个显示本专利技术的第二实施例的发光二极管晶元封装体的示意剖视图。如在图7中所示，与第一实施例不同的地方仅在于在形成覆盖层3之前所提供的 发光二极管晶元1还包括多个设置在对应的导体单元14的第四导电层143上的锡球6。图8为一个显示本专利技术的第一实施例的变化的示意剖视图。如在图中所示，这种 导体单元14各仅具有三个导体层，S卩，在第一实施例中所述的第一与第二导体层140与141 中的任一者被移除。当然，其他的导体层被移除也是可以的。图9为一个显示本专利技术的第二实施例的变化的示意剖视图。与在图8中所示相同， 这种导体单元14各仅具有三个导体层，S卩，在第一实施例中所述的第一与第二导体层140 与141中的任一者被移除。当然，其他的导体层被移除也一样是可以的。图10至16为用以说明本专利技术的第三优选实施例的发光二极管晶元封装体的制造 方法的示意图。请配合参阅图10至16所示，首先，一片发光二极管晶圆W被提供(在图9中，仅显 示该发光二极管晶圆W的一部分)。该发光二极管晶圆W具有多个发光二极管晶元1。每 个发光二极管晶元1具有一个半导体基体10及至少两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管晶元封装体，其特征在于包括：一个发光二极管晶元，其具有一个半导体基体、至少两个配置在所述半导体基体的电极安装表面的电极、一个形成于所述电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的绝缘层、一个形成于所述绝缘层上且具有两个与所述绝缘层的对应的穿孔连通的导体安装孔的导体形成层、及形成在这种连通的穿孔与导体安装孔内以可与对应的电极电连接的导体单元；以及一个形成在所述发光二极管晶元的与所述电极安装表面相对的表面上的覆盖层，所述覆盖层延伸至所述发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈育浓，王琮淇，
申请(专利权)人：沈育浓，王琮淇，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]