具备电容（６１ｂ），其是使连接到源极电极（６２）的第１电容电极（６２ａ）和连接到栅极电极（６４）的第２电容电极（６４ａ）具有在面板厚度方向上隔着第１绝缘膜而对置的区域，并且是使上述第１电容电极（６２ａ）和连接到上述栅极电极（６４）的第３电容电极（８０ａ）具有相对于上述第１电容电极（６２ａ）在与上述第２电容电极（６４ａ）侧相反的一侧在面板厚度方向上隔着第２绝缘膜而对置的区域而形成的。由此，实现能够抑制连接到ＴＦＴ主体部的电容的占有面积的ＴＦＴ。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备附加在栅极、源极之间的电容的TFT。
技术介绍
近几年，在液晶面板上以非晶硅形成栅极驱动器来实现成本削减的栅极单片化正 在发展。栅极单片也称为无栅极驱动器、面板内置栅极驱动器以及面板内栅极等。例如在 专利文献1中，公开了利用栅极单片来构成移位寄存器的例子。图7表示专利文献1所记载的移位寄存器的各级的电路结构。说明该电路的主要结构和动作，在同一附图中表示级联连接的各级中的第n级的 结构，对输入端子12输入前级的栅极输出。该输入通过晶体管18的漏极将输出晶体管16 置为导通状态。在输出晶体管16的栅极、源极之间连接有自举电容30。当输出晶体管16 为导通状态时从漏极侧输入时钟信号C1的高电平，此时由于隔着自举电容30的栅极、源极 之间的电容耦合，输出晶体管16的栅极电位急剧上升到电源电压以上。由此，输出晶体管 16的源极、漏极之间的电阻变得非常小，时钟信号C1的高电平被输出到栅极总线118，并且 其栅极输出被供给后级输入。图8表示在显示面板中制成这种自举电容时的元件平面图。图8所示的自举电容101b作为TFT101的一部分连接到TFT主体部101a。在显 示面板是由非晶硅等迁移率小的材料制成的情况下，一般的是通过使在显示面板上制作成 单片的TFT101的沟道宽度变得非常地大来降低TFT主体部101a的源极、漏极之间的电阻。 因此，图11的TFT主体部101a是使梳齿状的源极电极102和漏极电极103彼此咬合地对 置配置，来确保大的沟道宽度。在该源极电极102和漏极电极103进行咬合的区域下方设 有栅极电极104。自举电容101b是通过从TFT主体部101a的源极电极102引出的第1电 容电极102a和从TFT主体部101a的栅极电极104引出的第2电容电极104a隔着栅极绝 缘膜对置而形成的。并且，第1电容电极102a连接到移位寄存器级的输出OUT，输出OUT通过接触孔 105连接到栅极总线GL。图9表示图8的X-X’线截面图。如该截面图所示，图8的结构是采用在玻璃基板100上按照顺序层叠栅极金属GM、 栅极绝缘膜106、Si的i层107、Si的n+层108、源极金属SM以及钝化膜109的结构而形 成的。栅极电极104、第2电容电极104a以及栅极总线GL均是由在工艺中同时成膜的栅极 金属GM形成的。源极电极102、漏极电极103以及第1电容电极102a均是由在工艺中同时 成膜的源极金属SM形成的。i层107是在TFT主体部101a中成为沟道形成区域的层。n+ 层108是在i层107与源极电极102和漏极电极103之间作为源极、漏极的接触层而设置 的层。具备如上所说明的自举电容的晶体管在专利文献2等中也有记载。专利文献1 日本特许第3863215号公报(2006年10月6日授权)2 日本国公开特许公报“特开平8-87897号公报(公开日1996年4月 2 曰)，，
技术实现思路
如上所述，在具备现有的自举电容的TFT中，TFT主体部为了确保大的沟道宽度而 需要采用大的尺寸。因此，如果成品率不高地制造TFT，则得到优质面板的比例有可能会大 幅度地降低。但是，如果具备自举电容的TFT的输出所连接的负载变大，则为了得到充分的 自举效应，自举电容需要具有大的电容值，因此自举电容相应地会在面板上占有较大的面 积。该电容值的大小也依赖于显示面板的电路结构、规格，例如在7时的面板中电容 值的大小在3pF以上，如果屏幕尺寸变大则该电容值就变得更大。因此，图8所示的自举电 容101b的大小是非常大的值。例如，对于在7时WVGA中进行RGB三种颜色的栅极扫描的 栅极单片显示装置所具备的TFT，在自举电容101b的电容值为3pF的情况下，如果将栅极驱 动器配置成与显示区域仅单侧相邻并将栅极扫描方向的点距设为63 u m,另外将栅极绝缘 膜(SiNx)的相对介电常数设为6.9，将膜厚设为4100 ±矣，则自举电容101b的栅极扫描方向 的一条边H为50 y m，另一条边W为400 y m。其结果，显示装置的边框尺寸变得非常大。这样，具备现有的自举电容的TFT存在自举电容的占有面积非常大的问题。本专利技术是鉴于上述现有的问题点而完成的，其目的在于实现能够抑制连接到TFT 主体部的电容的占有面积的TFT和具备上述TFT的移位寄存器、扫描信号线驱动电路以及 显示装置。为了解决上述问题，本专利技术的TFT的特征在于具备电容，上述电容是使连接到源 极电极的第1电容电极和连接到栅极电极的第2电容电极具有在面板厚度方向上隔着第1 绝缘膜而对置的区域，并且是使上述第1电容电极和连接到上述栅极电极的第3电容电极 具有相对于上述第1电容电极在与上述第2电容电极侧相反的一侧在面板厚度方向上隔着 第2绝缘膜而对置的区域而形成的。根据上述专利技术，TFT所具备的电容是并联连接形成在第1电容电极与第2电容电 极之间的电容和形成在第1电容电极与第3电容电极之间的电容的结构。因此，TFT所具 备的上述电容与对应于第1绝缘膜和第2绝缘膜各自的厚度不并联连接的结构的现有情况 相比，能够减小面板上的占有面积。由此，还能够与现有的相比缩小显示装置的边框区域的 宽度。即，能够减小边框的尺寸。其结果，不会增加TFT的电容元件所使用的面板上的占有 面积。由此，发挥这样的效果能够实现能够抑制连接到TFT主体部的电容的占有面积 的 TFT。为了解决上述课题，本专利技术的TFT的特征在于上述第1电容电极由源极金属形 成，上述第2电容电极由栅极金属形成，上述第3电容电极由透明电极或者反射电极形成。根据上述专利技术，发挥这样的效果能够由TFT本来所具备的金属材料容易地构成 TFT所具备的上述电容。为了解决上述问题，本专利技术的TFT的特征在于上述第1绝缘膜是栅极绝缘膜，上 述第2绝缘膜是钝化膜。4根据上述专利技术，发挥这样的效果能够由TFT本来所具备的绝缘材料容易地构成 TFT所具备的上述电容。为了解决上述问题，本专利技术的TFT的特征在于上述第3电容电极通过在层叠上述 第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的部位形成的接触孔与上述栅极电极接触，由此连接到上述 栅极电极。根据上述专利技术，发挥这样的效果将第3电容电极利用其与第1电容电极之间所具 备的第1绝缘膜和第2绝缘膜容易地连接到栅极电极。为了解决上述问题，本专利技术的TFT的特征在于其是使用非晶硅制造而成的。根据上述专利技术，采用了非晶硅的TFT普遍的沟道宽度较大而TFT主体占有面积变 大，因此发挥这样的效果通过使由该材料制造而成的TFT的电容的占有面积变小，能够不 大幅度地增加TFT整体的占有面积。为了解决上述问题，本专利技术的TFT的特征在于其是使用微晶硅制造而成的。根据上述专利技术，发挥这样的效果采用了微晶硅的TFT与非晶硅TFT相比具有高迁 移率，因此，与非晶硅TFT相比能够使晶体管的尺寸小型化。另外，发挥这样的效果若TFT 采用微晶硅，则能够小空间化，因此对边框变窄是有利的。另外，发挥这样的效果能够抑制 由于施加直流偏压而导致的阈值电压的变动。为了解决上述问题，本专利技术的移位寄存器的特征在于具备上述TFT作为构成各 级的晶体管中的至少1个。根据上述专利技术，发挥这样的效果能够在抑制了占有面积的状态下制造移位寄存o为了解决上述问题，本专利技术的扫描信号线驱动电路的特本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊池哲郎，田中信也，今井元，北川英树，山崎周郎，片冈义晴，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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