制造存储电路堆栈和寻址存储电路的方法及对应堆栈和设备技术

本发明专利技术涉及一种用于制造存储电路堆栈的方法（１０），其中该方法包括对至少两个存储电路的有效性进行测试的步骤（１４）。根据本发明专利技术，该方法包括对每个存储电路进行配置的阶段（１８），配置阶段包括在包含于堆栈中的每个存储电路的配置设备内写入与给堆栈中的存储电路所赋予的标识符相关的信息和与存储电路的有效性测试的结果相关的信息的步骤（１１０）。本发明专利技术也涉及一种用于对存储电路进行寻址的方法、一种存储电路堆栈和一种包含这样的堆栈的电子设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造存储电路堆栈的方法。本专利技术也涉及存储电路堆栈。本专利技术还涉及用于对存储电路堆栈内的存储电路进行寻址的方法。这样的存储电路堆栈可以用于许多电子设备，在这些电子设备中尤其是可以列举 电子物体(或记号(英文为token))，诸如芯片卡、USB (通用串行总线(Universal Serial Bus)的首字母缩合词)钥匙和狗(英文为dongle)。本专利技术最后涉及相对应的电子设备。
技术介绍
公知的是作为存储器而使用存储芯片或存储电路的堆栈，其中存储容量对应于与 在该堆栈之内所包含的不同存储电路相关的各个容量的总和。也公知的是从微处理器或在堆栈外部的逻辑单元访问堆栈中的存储电路，以便在 所选堆栈中的存储电路之内或者写入要被存储的新数据项或者读取所存储的数据项。文献EP 1 736 994描述了用于在堆栈的存储电路中选择存储电路的解决方案。为了选择存储电路，建议添加数个附加地址位。这些附加地址位对于与被命名为 “芯片选择(Chip Select)”的存储电路选择相关的存储电路的输入是特定的。不同存储电 路的“芯片选择”输入彼此全部电连接。给每个存储电路的“芯片选择”输入赋予特定的值。 然后，借助于被赋予其“芯片选择”输入的特定的值，每个存储电路在所有存储电路中以逻 辑方式被标识。
技术实现思路
本专利技术旨在提供上面描述的现有技术的解决方案的可替换的解决方案。更具体地说，本专利技术是用于制作存储电路堆栈的方法。该方法包括对至少两个存 储电路的有效性进行测试的步骤。根据本专利技术，该方法包括对至少一个存储电路进行配置的阶段，该配置阶段包括 在包含于堆栈内的每个存储电路的配置设备之内写入与给堆栈内的存储电路所赋予的标 识符相关的信息项和与存储电路有效性测试的结果相关的信息项的步骤。本专利技术的一般原理基于每个存储电路的标记，以便在堆栈内的若干存储电路中区 分出一个存储电路并在其可能被使用之前了解其运行有效性的状态。这样，在配置模式期间，构成堆栈的存储电路在存储电路的专有的存储器的独特 部分内被单独地标记。然后，在运行模式下，堆栈中的由其标记所标识的每个存储电路被识 别为运行有效或无效。“存储电路有效性测试”的表达涉及用于存储来自外部的一个或更多数据项的存 储电路的“存储”部分。可以理解的是，这样的制造方法为其可能的后续使用允许给出到形成堆栈的部分 的任何存储电路的物理的和逻辑的通路。根据本专利技术制造存储电路堆栈的方法提出了不同于上述公知的解决方案的在所 有存储电路中选择一个存储电路的解决方案。应陈述的是，根据公知的解决方案的制造规定写入与每个存储电路的“Chip Select”选择的输入相关的逻辑值，从而影响这样的存储电路的存储部分，以便在存储电路 堆栈之内被标识。根据本专利技术，在制造堆栈期间，规定在存储电路的存储部分相分离的独特的配置 设备之内写入与这样的存储电路相关的逻辑值。需要注意的是，按照本专利技术制造的存储电路堆栈包含一个或更多运行无效的存储 电路。因此，相对于对在堆栈内使用的每个存储电路的有效性测试的结果的性质，本发 明不强加任何约束。与上面标识出的公知的解决方案相比，不仅借助于运行有效的一个或更多存储电 路、而且也利用运行无效的一个或更多存储电路来制造存储电路堆栈。与现有技术的解决 方案相反，没有任何用来生产堆栈的材料被排除，并且这些包括被测试为运行无效的材料 都被用来生产堆栈。因此，没有选择运行有效的存储电路的步骤被实施来形成堆栈。这样，按照本专利技术的对存储电路堆栈的制造更快速并且生产起来更廉价，因为任 何被测试为无效的存储电路都没有被排除。因此，本专利技术的制造方法提出了一种新颖的用于标识并且因此选择堆栈内的存储 电路并且同时改善了堆栈的生产效率的方法。根据另一方面，本专利技术是一种用于在存储电路堆栈内对存储电路进行寻址的方 法。根据本专利技术，该方法包括在用于配置堆栈内的存储电路的设备处将地址信息项与 和给堆栈内的存储电路所赋予的标识符相关的信息项进行比较的步骤，并且如果地址信息 应对应于与该存储电路的标识符相关的信息，则还包括读取与存储电路有效性测试的结果 相关的信息项的步骤。存储电路由对于其特定的标记或标识符所标记。标记用来标识其所属堆栈内的存 储电路。当地址因为地址信息项至少部分对应于给存储电路所赋予的标识符而标识堆栈 内的特定存储电路时，与存储电路的有效性相关的信息被读取。涉及存储电路的有效性的信息告知由其标识符所标识的存储电路的存储部分是 否有效，也就是说，该存储部分是没有故障还是相反地有缺陷。最后，本专利技术是存储电路堆栈。更确切地说，堆栈包含至少两个相互堆叠的存储电路。根据本专利技术，每个存储电路包含用于对堆栈内的每个存储电路进行配置的设备， 所述配置设备包含用于存储与给堆栈内的存储电路所赋予的标识符相关的信息和与对存 储电路的有效性测试的结果相关的信息的装置。清楚的是，存储电路配置设备可以在该存储电路的内部或外部。存储电路配置设备可以组成在其自己的制造期间就与其相关联的存储电路的可配置部分。这样，除了专有的存储部分以外，存储电路可以包含在存储电路之内的或与在电 路外部的设备相关联的“配置”部分作为配置设备。“配置”设备一方面用来在构成堆栈的 不同存储电路中标识出或标记存储电路，而另一方面用来告知存储电路的存储部分的运行 状态。因此将理解的是，存储电路的“配置”设备在能够在读取和/或写入时对存储电路 的“存储”部分进行寻址之前在配置模式下用来进行写入并且然后在运行模式下用来进行 读取。根据涉及存储电路有效性的信息是对应于存储电路的存储部分的正确运行还是 对应于存储电路的存储部分的有故障运行，确认或不确认存储电路的有效性。附图说明本专利技术的其它特点和优点将通过阅读对本专利技术的优选实施方式和附图的描述而 显现，所述优选实施方式通过简单的非限制性的说明性例子给出，在附图中-图1呈现了根据本专利技术的制造存储电路堆栈的方法的实施方式的简化流程图；-图2图示了借助于根据图1的制造方法制造的堆栈的实施方式的剖面的示意图； 以及-图3呈现了对于在图2的堆栈之内设置的每个存储电路特定的配置设备的实施 方式的详图。具体实施例方式如图1所示，制造存储电路堆栈的方法10的实施方式作为例子被阐述。每个存储电路堆栈或堆垛包括来自于彼此堆叠的相应独特晶片(英文为wafer) 的存储电路。晶片是包括同时被刻蚀的数个存储电路的基于硅的材料构成的薄片。通常，根据 晶片的尺寸和每个存储电路的尺寸，晶片包含直到几万个存储电路。特别是，如可以应用下述制造方法10的存储电路，可以列举以下几种类型的非易 失性存储器-EEPR0M(英文为"Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory(电 可擦可编程只读存储器)”的首字母缩合词)；-ROM(英文为“Read Only Memory (只读存储器)，，的首字母缩合词)；-闪存；-FERAM (英文为 “Ferroelectric Random Access Memory (铁电存储器)”的首字 母缩合词)；-MRAM(英文为“Magnetoresistive Random Access Memory(磁阻随机存取存储 器)”的首字母缩合词)。当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造存储电路堆栈的方法（１０），该方法包含对至少两个存储电路的有效性进行测试的步骤（１４），其特征在于，该方法包含对每个存储电路进行配置的阶段（１８），配置阶段包含在包括在堆栈内的每个存储电路的配置设备之内写入与给堆栈内的存储电路所赋予的标识符相关的信息和与对存储电路的有效性测试的结果相关的信息的步骤（１１０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P格拉夫，M蒂尔，
申请(专利权)人：格马尔托股份有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]