用于双面显示的有机发光二极管显示器制造技术

技术编号:5032613 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种用于双面显示的有机发光二极管显示器,包括多个像素单元,每一像素单元包括第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层、第一晶体管和第二晶体管,该第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层依次叠合设置,该第一晶体管用于控制施加在该第一电极层的电压以控制该像素单元一侧的发光量,该第二晶体管用于控制施加在该第三电极层的电压以控制该像素单元另一侧的发光量。本发明专利技术的有机发光二极管显示器增加了有效开口率又减小了重量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于双面显示的有机发光二极管显示器
技术介绍
有机发光二极管显示器(OLED)以其轻、薄、色彩鲜艳、宽视角、高对比度等优点逐 渐成为发展最为迅速的平板显示器之一。有机发光二极管显示器利用有机发光材料来显示 图象,根据施加于该有机发光材料上的电流或者电压大小来改变亮度,以实现不同灰阶的显不。通常,有机发光二极管显示器有顶发射(Top Emitting)和底发射 (BottomEmitting)两种模式,而此两种模式无论哪一种都只能进行单面的显示。但随着市 场要求的提高,特别是手机等移动便携式设备,都有双面显示的需求,因此,能够双面显示 的有机发光二极管显示器越来越受到市场的关注和需求。为了使有机发光二极管显示器具 有双面显示的功能,业界通常有两种做法,其中一种方法是用一块软线电路板(FPC)连接 两块有机发光二极管显示屏,而另一种方法是将一个像素分割成两个子像素,这两个子像 素分别显示屏的两面。由于上述第一种方法采用了两块独立的有机发光二极管显示屏来分别显示两侧 的图像,这样会导致有机发光二极管显示器的成本上升,而且有机发光二极管显示器会变 厚变重,与市场的显示器轻薄化要求不符。上述第二种方法将一个像素分成两个子像素,虽 然可以实现双面显示,但这样有效开口率降低了一半,此种方案牺牲了亮度或者说增加了 显示器的能耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种即增加了有效开口率又减小了重量的用于双面显示 的有机发光二极管显示器。一种用于双面显示的有机发光二极管显示器,包括多个像素单元,每一像素单元 包括第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层、第一晶体管和第二晶 体管,该第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层依次叠合设置,该 第一晶体管用于控制施加在该第一电极层的电压以控制该像素单元一侧的发光量,该第二 晶体管用于控制施加在该第三电极层的电压以控制该像素单元另一侧的发光量。本专利技术优选的一种技术方案,该有机发光二极管显示器还包括一基板以及设置于 该基板表面的薄膜晶体管层,该第一、第二晶体管设置于该薄膜晶体管层。本专利技术优选的一种技术方案,该有机发光二极管显示器还包括覆盖该薄膜晶体管 层的平坦化层,该第一电极层设置于该平坦化层的表面。本专利技术优选的一种技术方案,该第一电极层通过一接触孔与该第一晶体管的漏极 连接,该第三电极层通过另一接触孔与该第二晶体管的漏极连接。本专利技术优选的一种技术方案,该有机发光二极管显示器还包括一缓冲层,该缓冲层设置于该第三电极层和该第二发光层之间。本专利技术优选的一种技术方案,该多个像素单元的第二电极层相互短路连接。本专利技术优选的一种技术方案,该第二电极层接地。本专利技术优选的一种技术方案,该第一电极层、第一发光层、第二电极层形成第一发 光二极管,该第二电极层、第二发光层、第三电极层形成第二发光二极管。本专利技术优选的一种技术方案,该第一电极层为该第一发光二极管的阳极,该第三 电极层为该第二发光二极管的阳极,该第二发光层为该第一、第二发光二极管的公共阴极。本专利技术优选的一种技术方案,该像素单元还包括数据线、第一扫描线、第二扫描 线、电源线、第三晶体管和第四晶体管,该第一扫描线的扫描信号控制该第三晶体管的打开 或者关闭状态,处于打开状态的该第三晶体管将该数据线的数据信号施加在该第一晶体管 的栅极,该第一晶体管的栅极电压控制该第一晶体管的源极、漏极间的电流,从而控制流经 该第一发光二极管的电流,该第二扫描线的扫描信号控制该第四晶体管的打开或者关闭状 态,处于打开状态的该第四晶体管将该数据线的数据信号施加在该第二晶体管的栅极,该 第二晶体管的栅极电压控制该第二晶体管的源极、漏极间的电流,从而控制流经该第二发 光二极管的电流。本专利技术优选的一种技术方案,该第三晶体管的栅极连接该第一扫描线,源极连接 该数据线,漏极连接该第一晶体管的栅极,该第一晶体管的漏极连接该电源线,该第一晶体 管的源极连接该第一发光二极管的阳极,该第一发光二极管的阴极接地,该第四晶体管的 栅极连接该第二扫描线,源极连接该数据线,漏极连接该第二晶体管的栅极,该第二晶体管 的漏极连接该电源线,该第二晶体管的源极连接该第二发光二极管的阳极,该第二发光二 极管的阴极接地。本专利技术优选的一种技术方案,该机发光二极管显示器的驱动频率为120Hz。本专利技术优选的一种技术方案,该像素单元还包括扫描线、第一数据线、第二数据 线、电源线、第三晶体管和第四晶体管,该扫描线的扫描信号控制该第三、第四晶体管的打 开或者关闭状态,处于打开状态的该第三晶体管将该第二数据线的数据信号施加在该第一 晶体管的栅极,该第一晶体管的栅极电压控制该第一晶体管的源极、漏极间的电流,从而控 制流经该第一发光二极管的电流,处于打开状态的该第四晶体管将该第一数据线的数据信 号施加在该第二晶体管的栅极,该第二晶体管的栅极电压控制该第二晶体管的源极、漏极 间的电流,从而控制流经该第二发光二极管的电流。本专利技术优选的一种技术方案,该第三晶体管的栅极连接该扫描线,源极连接该第 二数据线,漏极连接该第一晶体管的栅极,该第一晶体管的漏极连接该电源线,该第一晶体 管的源极连接该第一发光二极管的阳极,该第一发光二极管的阴极接地,该第四晶体管的 栅极连接该扫描线,源极连接该第一数据线,漏极连接该第二晶体管的栅极,该第二晶体管 的漏极连接该电源线,该第二晶体管的源极连接该第二发光二极管的阳极,该第二发光二 极管的阴极接地。本专利技术优选的一种技术方案,该机发光二极管显示器的驱动频率为60Hz。本专利技术优选的一种技术方案,该像素单元还包括第一电容和第二电容,该第一电 容连接于该第一晶体管的漏极和栅极之间,该第二电容连接于该第二晶体管的漏极和栅极 之间。与现有技术相比,本专利技术的双面显示的有机发光二极管显示器只需一块显示屏, 因此,本专利技术的有机发光二极管显示器的厚度和重量减小。由于在该显示屏的每个像素单 元内,该第一、第二发光二极管叠合设置,且分别控制该像素单元一个侧面的发光量,并不 需要将一个像素分成两个子像素,因此,本专利技术的有机发光二极管显示器增加了有效开口率。附图说明图1是本专利技术的用于双面显示的有机发光二极管显示器的像素单元的截面示意 图。图2是本专利技术的用于双面显示的有机发光二极管显示器的第一实施方式的像素 单元的等效电路图。图3是本专利技术的用于双面显示的有机发光二极管显示器的第二实施方式的像素 单元的等效电路图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本专利技术作进一步 的详细描述。本专利技术的用于双面显示的有机发光二极管显示器包括多个像素单元,每一像素单 元主要包括第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层、第一晶体管和 第二晶体管,该第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层依次叠合设 置,该第一晶体管用于控制施加在该第一电极层的电压以控制该像素单元一侧的发光量, 该第二晶体管用于控制施加在该第三电极层的电压以控制该像素单元另一侧的发光量。请参阅图1,图1是本专利技术的用于双面显示的有机发光二极管显示器的截面示意 图。该有机发光二极管显示器10包括多个像素单元,每一像素单元包括第一晶体管121、第 二晶体管12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于双面显示的有机发光二极管显示器,包括多个像素单元,其特征在于:每一像素单元包括第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层、第一晶体管和第二晶体管,该第一电极层、第一发光层、第二电极层、第二发光层、第三电极层依次叠合设置,该第一晶体管用于控制施加在该第一电极层的电压以控制该像素单元一侧的发光量,该第二晶体管用于控制施加在该第三电极层的电压以控制该像素单元另一侧的发光量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:霍思涛凌志华刘保玲何为
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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