一种口腔抗齿垢配方,最好是牙膏或含漱剂,其中包含有效的抗齿垢作用的氮杂环烷-2,2-二膦酸或其盐,最好是氮杂环庚环-2,2-二膦酸,还包含水溶性或水膨润的聚合物,其分子量大约为1000-2000000,例如马来酸酐与乙烯基甲基醚的线型共聚物或是聚乙烯磷酸盐。该聚合物意外地可增强配方中氮杂环烷-2,2-二膦酸或其盐的抗齿垢效果。并表明在这样的使用过程中,与上述口腔配方中只用两种有效成分之一的配方对照体外和体内两种试验都显示显著的可重复的改善抗齿垢作用。(*该技术在2011年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抗齿垢口腔用配方。特别是关于用于牙齿的配方,这样的配方希望能有效地抑制会导致齿龈炎发生的齿垢的形成。生产和销售的牙膏和漱口剂中的处方成分除主要是清洁牙齿和出气爽口外,还要能增进牙齿健康。例如氟化物多年来成功地放到牙膏和漱口剂中,使牙齿坚固并减少龋齿的发生。三氯生和美洲血根提取物用于牙膏中以减低齿斑的生成。氮杂环烷-2,2-二膦酸(AAP),特别是氮杂环庚烷-2,2-二膦酸(AHP)及其盐类(亦称AAP和AHP)被建议组合于牙膏中以减少齿垢和齿斑,因为这些化合物能够使牙齿上难以溶解的钙盐溶解掉或防止钙盐沉积于牙齿上。合成的阴离子型的多聚羧酸盐(SAPP),例如马来酸酐或马来酸与甲基乙烯醚的共聚物,也被建议与氟化物和焦磷酸盐共同组合于牙膏中。因此,该技术已知是用AAP和SAPP作为牙膏成分,但并未公布一起使用,或者如果这样合用后,会有某种特殊的或意料不到的效果。所以把这两种化合物合并用于牙膏或口腔用制剂是新颖和不易想到的,特别是有意料不到的能提高抗齿垢作用的有益的结果。已观察到包括SAPP在内的合成的阴离子型聚合物(SAP),但也包括了聚羧酸盐以外的其它聚合物,例如聚磷酸乙烯酯等等,可有效地抑制羟基磷灰石结晶的生成,尤其于AAP存在时更可有效地抑制。根据本专利技术的口腔用抗齿垢配方包含有口腔用辅料或基质,由下式组成的一组化合物中选择出的口腔用氮杂环烷-2,2-二膦酸化合物(AAP)及其口腔用盐的有效抗齿垢比例量,以及水溶性或水膨润性的合成阴离子型聚合物(SAP),该聚合物可抑制羟基磷灰石结晶的生成,分子量范围大约为1000-2000000,含量应可有效地增加上述配方中AAP的抗齿垢作用。 式中R选自氢原子和1-3个碳的烷基,n为整数3-5。本申请者了解并注意到了如下重要的专利技术美国专利3941772和3988443,内容涉及氮杂环烷-2,2-二膦酸及它们用于牙膏和漱口剂以延迟齿垢和齿斑的形成;美国专利4323551,4515772,4627977和4931273公布了牙膏中用的SAPP,例如是马来酸酐或马来酸与甲基乙烯醚的共聚物( ),如同在欧洲专利申请NO.89114192.1和89200710.5以及美国专利申请07/505628,07/547641和07/547642中公布那样(后三个美国专利也公布了三氯生用作牙膏中的抗菌剂,它可抑制齿斑的沉积),除SAPP处还有SAP;美国专利4022880公布了牙膏中作为抗菌剂的三氯生并与锌离子源合用,作用是抗齿垢。德国OLS3532860公布了牙膏中用的三氯生与铜化合物合用。从评述本领域技术看来,AAP,AHP,SAP(包括SAPP)与三氯生都是已知的牙膏成分,都是分别加入或两种成分组合应用。未见到这样的参考文献,即在牙膏或其它口腔用剂中AAP,SAP和三氯生共同存在,或某种AAP与SAP一同存在,也未见到提出这种制剂的建议。因此,本专利配方和要求是新颖而不易想到的。口腔配方中单独用SAP仅有极微弱的抗齿垢活性,从这一点看,AAP的抗齿垢作用有意料不到的有益的改善,因为在口腔配方中AAP与SAP合用后,SAP的抗齿垢活性出人意外地增高了。这种改进作用是显著的,体外试验表明常常比二者单用时的作用高30%,即羟基磷灰石的过饱和溶液沉积到硬基质上的时间大大地延迟了。用齿垢形成的体内试验,经实际测定证明这种形成作用减少了。虽然本专利技术的SAPP和其它SAP可有效地抑制羟基磷灰石结晶的形成,但在抑制齿垢形成上是无效的。这虽无理论解释,但相信是因为两者的竞争现象。首先,当羟基磷灰石结晶生长时,它们在结晶的前沿生长。阴离子型聚合物被吸附在生长前沿处,似乎大大地抑制了结晶在吸附部位的生长,因为SAP被包埋前需要众多的生长前沿。然而竞争现象看来也与阴离子型聚合物分子的大小有关,较大的分子防碍了SAP的吸附,也防碍了向羟基磷灰石的所有生长前沿部位的填充。本专利技术之成功看来是由于AAP有出乎意料的填充前沿部位的能力,即除能有效地抑制结晶生长外,还可填充到SAP不能达到的前沿部位。本专利技术配方中的AAP或氮杂环烷-2,2-二膦酸化合物是可口腔用的膦酸或其盐,如果用其盐,通常是钠或钾盐,为水溶性盐。所用的盐最好是膦酸中的羟基氢至少有一个被希望的碱金属例如钠取代。酸型的AAP如下式所示 式中R是氢或1-3个碳原子的烷基,n为整数3~5,最好是R为氢、n为5形成的氮杂环庚烷基。本配方中虽可用上述二膦酸的盐类,或虽是酸型但在某些口腔用制剂中可就地转变成或部分转变成盐型,但本配方一般用的是酸型AAP。应注意到此处所说的AAP应是可“口腔应用的”。在上下文中和本说明书中自始至终意味着所提及的物质对口腔、齿龈和牙齿均应无毒和无害,且味道容易接受(或根本无味)。还应与本口腔制剂的其它成分基本上可配伍。所述的AAP应当满足上述的要求。本口腔配方的另一主要成分是合成的阴离子聚合物(SAP),它可改进AAP的抗齿垢作用。当SAP是SAPP时,也有抑制碱性磷酸酶作用的功能,不然碱性磷酸酶会对多聚磷酸例如焦磷酸有不利的作用,因此,除AAP外在本配方中存在有作为抗齿垢剂的AAP。这类SAPP及其与阳离子型杀菌剂和例如锌及镁等金属形成的复合物已在美国专利3429963、3956480、4138447,4152420,4183914和4627977中作了叙述。抑制羟基磷灰石结晶生长的聚合物一般是合成的阴离子聚合物,例如包括有低聚物,均聚物、两个或多个单体构成的共聚物、离聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物、交联聚合物、交联共聚物等等。聚合物是水(唾液)溶性或膨润性的(能水合的或形成水凝胶)。其平均分子量以大约1000~2000000为宜,大约1000~1000000较好,大约2000,2500或6000到100000,250000或500000更好,最好是大约6000~100000。SAP一般含有至少一个酸性基团,例如磺酸、次膦酸或羧酸基,最好是次膦酸或羧酸基或它们的盐,例如碱金属或铵盐;也可含有至少一个有机基团,最好是兼有酸性和有机基团。该有机基团最好如式-(X)n-R所示,式中X为O、N、S、SO、SO2、P、PO或Si等等;R是疏水性烷基、烯基、酰基、芳基、烷芳基,杂环基或它们的惰性取代衍生物;n为零、1或大于1。上述“惰性取代衍生物”是指在R上的取代基,一般是非亲水性基团,而且不会明显干扰所希望的SAP对羟基磷灰石结晶生成的阻断作用,可用的有机基团叙述于英国公开专利说明书2235133A中,此处作为参考文献引用。含有这种有机基团的SAP应仍保留水溶性和膨润性。SAP若是交联聚合物时,这种聚合物中可以有分子量较高、疏水性较高的交联片段。SAP最好是由含有重复单元的链或骨架构成的阴离子聚合物,每个单元最好含有至少一个碳原子和至少一个直接或间接连接的侧链的一价酸性基团。也可以有至少一个有机基团,直接或间接地侧连在链上的同一个原子或较差的情况下是连位原子上,所连接的原子以碳原子较好,但SAP还得是有水溶性和可膨润性。不大优选的聚合物可含有酸性基团和(或)有机基团和(或)作为聚合物链中键合的其它二价原子或基团,以代替碳原子连接或除碳原子以外的连接方式,或作为交联片段。这里会看到所公布的SAP的任何实本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种口腔用的抗齿垢配方,其特征是,含有为这种配方的一种口腔用的辅料或基质,一种有效的抗齿垢的按重量比含量大约为0.01%到大约5%的可口腔应用的由下式构成的氮杂环烷-2,2-二膦酸化合物(AAP)及其口腔用盐。 *** 式中R是选自氢原子和1-3个碳原子的烷基,n是整数3-5,以及含有大约0.1%到大约5%重量比的水溶性或水膨润性合成阴离子聚合物(SAP),分子量范围大约是1000-2000000它可有效地增加该配方中AAP的抗齿垢作用。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:阿杜尔伽法,约翰阿福里多,马里露T约兹克,
申请(专利权)人:科尔加特帕尔莫利弗公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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