涂层材料的涂布方法技术

本发明专利技术揭露了一种涂层材料的涂布方法，所述方法包括如下步骤：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片的边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。所述涂布方法可形成厚度均匀的涂层，解决了半导体晶片边缘较厚的涂层材料对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
半导体制造工艺中，通过一系列的光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积、平坦化以及 清洗等工艺在半导体晶片上形成具有各种功能的集成电路，其中，用于定义刻蚀或掺杂 区域的光刻工艺起着十分重要的作用。在光刻工艺中，首先，通过旋涂设备在半导体晶片上形成光刻胶层；然后，将 所述光刻胶层进行烘烤后置于曝光设备中，通过曝光工艺对所述光刻胶层进行曝光，以 将掩模板上的图案转移到光刻胶层中；接着，对曝光后的光刻胶层进行曝光后烘烤，并 通过显影工艺进行显影，在光刻胶层中形成光刻图形。一般的，用以形成光刻胶层的涂布方法包括如下步骤首先，需要将半导体晶片放置于旋涂设备的晶片支撑台上，通过真空吸附所述 半导体晶片；然后，将光刻胶喷头移动至所述半导体晶片的上方，所述半导体晶片处于静止 状态，所述光刻胶喷头向所述半导体晶片表面喷洒光刻胶；接着，通过马达驱动所述晶片支撑台旋转，所述晶片支撑台带动所述半导体晶 片以较小的速率旋转，使光刻胶沿所述半导体晶片表面向外铺开，并覆盖整个半导体晶 片的表面；最后，以较大的速率继续旋转所述半导体晶片，使多余的光刻胶被甩出所述半 导体晶片之外，并使光刻胶中的溶剂挥发，以在所述半导体晶片表面形成光刻胶层。然而，在半导体晶片旋转的离心力的作用下，最终形成的光刻胶层的表面大致 呈凹形，也就是说，所述半导体晶片的边缘区域聚集较多的光刻胶，而中央区域则较 少，使得所述半导体晶片边缘区域的光刻胶层厚度比中央区域的光刻胶层厚度大，这极 易导致光刻胶沿半导体晶片的侧边流向半导体晶片的背面而造成污染，并且所述半导体 晶片还会对曝光机台的载片台造成污染，更为严重的是，半导体晶片表面的边缘较厚的 光刻胶还将影响曝光工艺的线宽，使得在靠近半导体晶片侧边3mm范围内的产品的良率 严重下降。同样，利用所述旋涂设备在半导体晶片上形成其它涂层的过程中，例如在聚酰 亚胺的涂布工艺中，在半导体晶片的旋转的离心力的作用下，形成的聚酰亚胺层的厚度 也是不均勻的，半导体晶片的边缘区域的聚酰亚胺层厚度比中央区域的聚酰亚胺层的厚 度大，这将影响后续的曝光工艺，给工艺生产带来巨大的损失。
技术实现思路
本专利技术提供一种涂布方法，所述涂布方法可以形成厚度均勻性较好的涂层，解 决了半导体晶片边缘区域较厚的涂层对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，包括如下步骤 提供一半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所 述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片的边缘区域的涂层厚度比中央区域的 涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域 喷 洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。可选的，所述涂层材料是光刻胶。可选的，所述半导体晶片的边缘区域是靠近该半导体晶片侧边3mm的区域，所 述半导体晶片边缘区域的部分区域是靠近该半导体晶片侧边1.5mm的区域，向所述半导 体晶片边缘区域的部分区域喷洒的清洗液的体积为5 25ml。可选的，以第一速率旋转所述半导体晶片以在该半导体晶片表面形成涂层。可选的，以第一速率旋转所述半导体晶片之前，还包括以小于所述第一速率 的第四速率旋转所述半导体晶片。可选的，以第二速率继续旋转所述半导体晶片，其中所述第二速率小于所述第 一速率，以第三速率再次旋转所述半导体晶片，其中所述第三速率大于所述第二速率并 小于所述第一速率。可选的，向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料。可选的，在向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料之前，还包括向 所述半导体晶片表面的中央区域喷洒表面活性剂；以第五速率旋转所述半导体晶片。可选的，以第六速率旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片表面的中央 区域喷洒涂层材料。可选的，所述涂层材料是聚酰亚胺。与现有技术相比，本专利技术提供的具有以下优点本专利技术在半导体晶片表面形成涂层之后，继续旋转该半导体晶片，并且同时向 该半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液，所述清洗液可去除该半导体晶片边缘区 域的部分区域内的涂层，接下来再次旋转该半导体晶片，使该半导体晶片边缘区域的未 被清洗掉的较厚的涂层材料向所述已被清洗液清洗过的区域流动，进一步进行平坦化， 可形成厚度均勻性较好的涂层，解决了半导体晶片边缘区域较厚的涂层对曝光机台造成 污染的问题，提高了产品的良率。附图说明图1为本专利技术实施例所提供的涂布方法的流程图；图2A至图2F为本专利技术实施例所提供的涂布方法的各步骤相应结构的剖面示意 图。具体实施例方式在
技术介绍
中已经提及，在光刻胶以及聚酰亚胺等涂层材料的涂布工艺中，由 于旋转所产生的离心力的影响，使得形成的涂层表面呈凹形，也就是说，半导体晶片的 边缘区域聚集了较多的光刻胶，而中央区域则较少，使得半导体晶片的边缘区域的涂层 厚度比中央区域的涂层厚度大，这不仅导致涂层材料沿半导体晶片的侧边流向背面而造成污染，还会导致半导体晶片对曝光机台的载片台造成污染，并且半导体晶片表面的边 缘区域较厚的涂层材料还将影响曝光工艺的线宽，降低产品的良率，给工艺生产带来巨 大的损失。本专利技术的核心思想在于，提供一种，所述方法可以形成厚 度均勻的涂层，解决了半导体晶片边缘区域较厚的涂层材料对曝光机台造成污染的问 题，极大的提高了产品的良率。请参考图1，其为本专利技术实施例所提供的涂布方法的流程图，如图所示，所述方 法包括步骤步骤S110，提供一半导体晶片；步骤S120，向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料； 步骤S130，旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述 半导体晶片边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；步骤S140，继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分 区域喷洒清洗液；步骤S150，再次旋转所述半导体晶片。本专利技术实施例所提供的涂布方法在半导体晶片表面形成涂层之后，继续旋转该 半导体晶片，并且同时向该半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液，所述清洗液可 去除该半导体晶片边缘区域的部分区域内的涂层，接下来再次旋转该半导体晶片，使该 半导体晶片边缘区域的未被清洗掉的较厚的涂层向所述已被清洗液清洗过的区域流动， 进一步进行平坦化，可形成厚度均勻性较好的涂层，解决了半导体晶片边缘区域较厚的 涂层对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。下面将结合剖面示意图对本专利技术进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选 实施例，应所述理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的 有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为 对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的 功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施 例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有 关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能 是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利 要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种涂层材料的涂布方法，包括：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：章国伟，张尔飚，吴欣华，刘贵娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]