一种改进的电子式接触器控制回路制造技术

本实用新型专利技术涉及电子式接触器的控制回路，尤其涉及主要应用于低压电器领域的电子式接触器线圈的控制回路，特别是对线圈施加脉冲或脉动电压的控制回路。本实用新型专利技术的电子式接触器控制回路，包括接入接触器线圈两端的电压源，并联于接触器线圈的反向通路，以及快速关断控制通路，所述的快速关断控制通路是串联于接触器线圈上，所述的反向通路是反向并联于接触器线圈和快速关断控制通路的二极管。本实用新型专利技术的方案，解决了原有技术中接触器的释放缓慢的问题和发热问题。并且电路结构简单有效，可通过改变参数方便的对接触器的释放延迟时间进行控制。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子式接触器的控制回路，尤其涉及主要应用于低压电器领域的电子式接触器线圈的控制回路，特别是对线圈施加脉冲或脉动电压的控制回路。
技术介绍
传统的电子式接触器存在电磁噪音大、能耗高、工作电压范围窄、线圈种类繁多等 缺点，由此而产生了各种接触器线圈驱动装置。 此类装置大多采用电子电路控制原理是将交流电磁铁改用直流控制，并对吸持阶 段进行降压，从而达到消声和节能的目的，并且此类装置大多采用脉动或脉冲电压对其线 圈进行驱动。由于电子式接触器线圈上得到的是不连续的电压，因此电磁吸力不连续，使电 子式接触器并不能可靠地吸合，甚至无法吸合。为解决此问题，一般在线圈两端反向并联一 个续流二极管构成续流回路，可在电压脉冲间隔期间提供反向续流回路，保证线圈电流的 连续，使接触器可靠的吸持。 但是增加的续流回路带来了新的问题点接触器的释放变的十分缓慢。这是因为 接触器线圈的电感量很大，在控制电压消失后，其通过续流回路的续流过程仍将持续一定 时间，此过程将持续几十mS，甚至上百mS时间，直至电流衰减到不能维持接触器吸持为止。 接触器释放延迟的增大在一般的应用场合尚可接受，但是在某些应用场合是危害 极大的。例如在电动机正逆转控制电路中，正逆转接触器的吸合和释放必须交替进行，绝对 不能出现时间上的重叠。如果所用接触器释放延迟过长，正转(逆转)接触器接通时逆转 (正转)接触器还未完全释放，将会直接导致电源的短路而烧毁设备。
技术实现思路
针对上述的问题，本技术的提供了一种可使电子式接触器加速释放的控制电 路，大大縮短了电子式接触器的释放延迟时间，最短延时可小于20Ms接近传统型接触器。 其结构简单，并且可通过改变参数方便的对接触器的释放延迟时间进行控制。 本技术的技术方案是 本技术的电子式接触器控制回路，包括接入接触器线圈两端的电压源，并联 于接触器线圈的反向通路，以及快速关断控制通路，其特征在于所述的快速关断控制通路 是串联于接触器线圈上，所述的反向通路是反向并联于接触器线圈和快速关断控制通路的二极管。 进一步的，所述的快速关断控制通路包括一半导体开关管，电压源的输入端通过 一整流二极管和分压电阻及并联的稳压管和滤波电容至电压源的输出端或接地，所述的半 导体开关管的控制极连接于分压电阻与稳压管的端电压。 再进一步的，所述的半导体开关管的控制极还连接一方向保护的二极管和限流电阻，所述的开关管的控制极还并联一电阻至电压源的输出端或接地。 所述的半导体开关管可以是场效应管或者双极型三极管。 进一步的，所述的电压源是脉冲控制电压源，所述的二极管的正极串联一半导体 开关管再接地。所述的半导体开关管的控制极接脉冲端。如果所述的电压源是整流输出电 压源，则所述的二极管一样如上所述的反向并联于接触器线圈和快速关断控制通路或者可 以省略该二极管。 本技术的方案，解决了原有技术中接触器的释放缓慢的问题和发热问题。并 且电路结构简单有效，可通过改变参数方便的对接触器的释放延迟时间进行控制。附图说明图1是本技术的实施例一的电路图； 图2是本技术的实施例二的电路图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步说明。 本技术的工作原理对电子式接触器线圈的续流回路进行开关控制，当接触 器释放时，迅速切断续流回路使线圈不再续流，从而加速接触器的释放。 电子式接触器线圈的控制电路一般包括接入接触器线圈L1两端的电压源，并联 于接触器线圈Ll的反向通路，以及快速关断控制通路。具体做法是在续流回路中串入一个 半导体开关管Q2，当接触器正常吸持时，电压源的脉动或脉冲直流电压加在电压源的输入 端VIN与电压源的输出端V0UT之间或者电压源的输入端VIN与地GND之间，此时令半导体 开关管Q2完全开通，接触器线圈Ll通过半导体开关管Q2、二极管D4进行续流而得到持续 流通的电流使接触器可靠吸持；当接触器释放时，令半导体开关管Q2迅速关断，从而切断 接触器线圈L1的续流回路，接触器线圈L1电流立即消失，因此接触器得以快速释放。半导 体开关管Q2的位置一般串连于续流二极管D4所在的反向通路当中，但是由于电流方向相 反因此驱动变得困难，驱动电路复杂而且开关管发热严重，而且效果不明显。 参阅图1 、图2所示，半导体开关管Q2构成的快速关断控制通路是串联于接触器线 圈L1上，所述的反向通路是反向并联于接触器线圈和快速关断控制通路的二极管D4。同样 起到控制续流回路的目的，但半导体开关管Q2的驱动因此而变的非常简单而且驱动能力 强，开关管不发热，并且可获得更短的延时。 图1是本技术的实施例一的电路图，而图2是本技术的实施例二的电路图。两者的区别仅是接入的供电电源不一样，其电路控制原理是相同的。 所述的半导体开关管Q2可以是场效应管或者双极型三极管。现以场效应管进行说明。半导体开关管Q2由二极管D1、电阻R1、稳压管D2、电容C1构成的驱动电路进行控制。其中二极管Dl对电压源的输入电流进行半波整流，再通过电阻Rl分压并由稳压管D2稳压及电容Cl滤波后，输出一直流电压，并通过二极管D3、电阻R2加在半导体开关管Q2 (场效应管)的G极与S极之间。电容Cl的取值在满足滤波的基础上应尽量小，以保证驱动电压在电压源上电后迅速建立，而在电压源切断后又能迅速放电完毕使半导体开关管Q2关断。为对放电时间进行调节，在半导体开关管Q2的G极与S极又增加并联一电阻R3，改变其阻值可调节电容Cl的放电时间，从而达到对半导体开关管Q2关断时间的调节。 —般的电子式接触器如果未加释放延迟控制释放时间在70ms甚至达到上百ms，某些带续流控制的电子式接触器最多也只能达到40-50ms左右。而本电路实际装在400A 接触器测试时，释放延迟最短可在20ms以内，本技术的实际测试数据仅为17. 6ms，相 对于不加本电路的207ms，释放延迟时间大大縮短，已接近传统型接触器。 如果所述的电压源是整流输出电压源，即经过整流桥电路输出的电压源后，则图2 所示的电路中所述的二极管D4可以省略。 尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应 该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节 上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。权利要求一种改进的电子式接触器控制回路，包括接入接触器线圈(L1)两端的电压源，并联于接触器线圈(L1)的反向通路，以及快速关断控制通路，其特征在于所述的快速关断控制通路是串联于接触器线圈(L1)上，所述的反向通路是反向并联于接触器线圈和快速关断控制通路的二极管(D4)。2. 根据权利要求1所述的电子式接触器控制回路，其特征在于所述的快速关断控制 通路包括一半导体开关管(Q2)，电压源的输入端(VIN)通过一整流二极管(Dl)和分压电阻 (Rl)及并联的稳压管(D2)和滤波电容(CI)至电压源的输出端(VOUT)或接地(GND)，所述 的半导体开关管(Q2)的控制极连接于分压电阻(Rl)与稳压管(D2)的端电压。3. 根据权利要求2所述的电子式接触器控制回路，其特征在于所述的半导体开关管 (Q2)的控制极还连接一方向保护的二极管(D3)和限流电阻(R2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进的电子式接触器控制回路，包括接入接触器线圈（Ｌ１）两端的电压源，并联于接触器线圈（Ｌ１）的反向通路，以及快速关断控制通路，其特征在于：所述的快速关断控制通路是串联于接触器线圈（Ｌ１）上，所述的反向通路是反向并联于接触器线圈和快速关断控制通路的二极管（Ｄ４）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫红，陈春发，刘剑锋，
申请(专利权)人：厦门士林电机有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92[中国|厦门]