半导体发光器件及其制造方法技术

公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：包括多个化合物半导体层的发光结构，在发光结构外部的钝化层，在发光结构上的第一电极层，和在发光结构下的第二电极层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施方案涉及。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而作为发光二极管(LED)或激 光二极管(LD)的核心材料受到关注。III-V族氮化物半导体主要包括具有组成式为 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料。LED是一种半导体器件，其通过利用化合物半导体的特性将电转化成红外线或光 来传输/接收信号并用作光源。使用这种氮化物半导体的LED和LD主要用于发光器件以获得光，并作为光源用于 各种装置(例如移动电话键盘板的发光部件、电子公告牌、照明装置)。
技术实现思路
技术问题实施方案提供一种半导体发光器件，包括在发光结构上/下提供的反射电极层。实施方案提供一种半导体发光器件，包括在发光结构上/下的具有多个开口的 电极部。实施方案提供一种半导体发光器件，其中通过在发光结构外部提供钝化层，芯片 可以不使用导线通过四个侧壁或360度的角度来进行管芯接合。技术解决方案一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括包括多个化合物半导体层的发光 结构；在发光结构外部的钝化层；在发光结构上的第一电极层；和在发光结构下的第二电 极层。一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括包括第一导电半导体层、在第一导 电半导体层上的有源层、和在有源层上的第二导电半导体层的发光结构；在第二导电半导 体层上的包括第一开口部的第一电极层；在第一电极层上的包括第一开口部的第一导电支 撑构件；在第一导电半导体层下的第二电极层；和在第二电极层下的第二导电支撑构件。一个实施方案提供一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括在衬底上形 成包括多个化合物半导体层的发光结构；在发光结构上形成具有第一开口部的第一电极 层；在第一电极层上形成具有第一开口部的第一导电支撑构件；移除在发光结构下的衬 底；在发光结构的外围部周围形成钝化层；在发光结构下形成具有第二开口部的第二电极 层；和在第二电极层下形成具有第二开口部的第二导电支撑构件。以下附图和说明书中阐述一个或更多个实施方案的细节。其它特征可通过说明书 和附图以及权利要求而明显。有益效果根据实施方案，发光器件可通过其四个侧壁或者选自四个侧壁中的一个侧壁在360°角度内进行封装。实施方案可提供适用于侧封装或者顶封装的垂直型发光器件。实施方案可提供能够沿着六个横向方向发光的垂直型发光器件。根据实施方案，发光器件不需要垫。根据实施方案，不使用导线，从而不会出现由导线所导致的光干涉。 附图说明图1是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的透视图。图2是图1的侧视图。图3至11是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的制造工艺的图。图12是显示根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视图。图13是显示根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视图。实施专利技术的最优模式在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一衬底、 另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或者“下”时，其可以“直接”或者“间 接”地在其它衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者可以存在一个或更多个中间层。层 的这种位置已经结合附图进行描述。下文中，实施方案将结合附图进行描述。在对实施方 案的描述中，附图中所示的组件的尺寸仅仅用于说明性的目的，而实施方案不限于此。图1是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的透视图，图2是图1的侧视图参照图1和2，半导体发光器件100包括发光结构135、第一钝化层140、第二钝化 层170、第一电极层150、第二电极层152、第一导电支撑构件160和第二导电支撑构件162。半导体发光器件100可以利用包含III-V族元素的化合物半导体的发光二极管 (LED)来实现。LED可以是发射蓝色光、绿色光或红色光的彩色LED或者紫外(UV)LED。在 本实施方案的技术范围内可以使用各种LED。发光结构135包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。第一导电半导体层110可包括掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物 半导体中的一种。例如，第一导电半导体层110可包括选自GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN、 InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的一种。当第一导电半导体是 N 型 半导体时，第一导电掺杂剂包括N型掺杂如Si、Ge、Sn、Se或Te。第一导电半导体层110可 具有单层或多层，但是实施方案不限于此。第一导电半导体层110可在由其形成的底表面 上提供有凹凸粗糙结构以改善光提取效率。有源层120形成在第一导电半导体层110上，并且可具有单量子阱结构或者多量 子阱结构。有源层120可具有利用III-V族元素的化合物半导体材料的阱层和势垒层的 结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN势垒层、InGaN阱层/AlGaN势垒层或者 InGaN阱层/InGaN势垒层的结构。导电覆层(clad layer)可以形成在有源层120上和/或下并且可包括AlGaN基 半导体。第二导电半导体层130形成在有源层120上。第二导电半导体层130可包括选自 其为掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体的GaN、A1N、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的一种。当第二导电半导体是 P 型 半导体时，第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂如Mg和Zn。第二导电半导体层130可具有单层 或多层，但是实施方案不限于此。发光结构135可包括在第二导电半导体层130上的N型半导体层或者P型半导体 层。另外，第一导电半导体层110可以实现为P型半导体层，第二导电半导体层130可以实 现为N型半导体层。因此，发光结构135可具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和 P-N-P结结构中的至少一种。第一电极层150设置在发光结构135上，第一导电支撑构件160设置在第一电极 层150上。在第一电极层150和第一导电支撑构件160中形成有多个第一开口 155。第一 开口 155设置在第一电极层150和第一导电支撑构件160的内部图案165中。例如，第一 开口 155可具有矩阵形图案或者条纹形图案。欧姆接触层(未示出)可以介于第一电极层150和第二导电半导体层130之间。 欧姆接触层(未示出)可具有层或者图案的形式。欧姆接触层可以包括选自以下中的至少 一种铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、 铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧 化物(GZO)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、 Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf。第一电极层150在第二导电半导体层130的顶表面内形成，第一钝化层140包围 第二导电半导体层130的顶表面的外围部。第一电极层150在第一钝化层140上形成，并且第一钝化层140的外部可以从发 光结构135的外部向外延伸。因此，第一钝化层140本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：包括多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构外部的钝化层；在所述发光结构上的第一电极层；和在所述发光结构下的第二电极层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2008-10-16 10-2008-0101642一种半导体发光器件，包括包括多个化合物半导体层的发光结构；在所述发光结构外部的钝化层；在所述发光结构上的第一电极层；和在所述发光结构下的第二电极层。2.权利要求1的半导体发光器件，其中所述发光结构包括 在所述第二电极层上的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；和在所述有源层和所述第一电极层之间的第二导电半导体层。3.权利要求2的半导体发光器件，包括在所述第一电极层和所述第二导电半导体层 之间的第一欧姆接触层、以及在所述第二电极层和所述第一导电半导体层之间的第二欧姆 接触层中的至少之一。4.权利要求2的半导体发光器件，包括在所述第二导电半导体层和所述第一电极层 之间的透射导电层。5.权利要求1的半导体发光器件，其中所述钝化层包括 在所述发光结构的顶表面的外围部周围的第一钝化层；和在所述发光结构的外壁上并且在所述发光结构的底表面的外围部周围的第二钝化层。6.权利要求1的半导体发光器件，其中所述第一电极层和所述第二电极层中的至少之 一包括多个开口部。7.权利要求6的半导体发光器件，包括在所述第一电极层上的包括开口部的第一导电支撑构件；和 在所述第二电极层下的包括开口部的第二导电支撑构件。8.权利要求6的半导体发光器件，其中所述开口部具有矩阵图案或者条纹图案。9.权利要求6的半导体发光器件，其中所述开口部形成在所述第一电极层和所述第二 电极层的内部区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]