半导体器件封装制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件封装。该半导体器件封装包括封装主体、多个电极、粘合构件和半导体器件。所述电极包括设置在封装主体上的第一电极。粘合构件设置在第一电极上，并且包括无机填充剂和金属粉末中的至少一种。半导体器件被粘晶在粘合构件上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)可以形成使用基于GaAs、基于AlGaAs、基于GaN、基于InGaN和 基于InGaAlP的化合物半导体材料的发光源。这类LED被封装起来，用作发射各种颜色的发光器件。在表现颜色的各种应用(包 括开/关指示器、文本显示器和图像显示器)中，发光二极管用作光源。
技术实现思路
这些实施例提供了一种半导体器件封装，该半导体封装包括粘合构件，该粘合构 件包含反射性金属并且设置在半导体器件和电极之间。这些实施例提供了一种半导体器件封装，该半导体器件封装包括粘晶 (die-bonded)在含反射性金属或/和无机填充剂的粘合构件上的半导体器件。这些实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括粘合构件，该粘合构件包 含反射性金属或/和无机填充剂并且设置在电极的粘合凹槽中；LED，该LED粘晶在所述粘 合构件上。实施例提供了一种半导体器件封装，该半导体器件封装包括封装主体；多个电 极，所述多个电极包括所述封装主体上的第一电极；粘合构件，所述粘合构件在所述第一电 极上并且包含无机填充剂和金属粉末中的至少一种；以及半导体器件，所述半导体器件粘 晶在所述粘合构件上。实施例提供了一种半导体器件封装，该半导体器件封装包括封装主体，所述封装 主体包括腔；多个电极，所述多个电极包括所述腔中的第一电极；粘合构件，所述粘合构件 在所述第一电极上，并且包含白色无机填充剂和反射性金属；至少一个发光二极管芯片，所 述发光二极管芯片粘晶在所述粘合构件上；布线，所述布线将所述电极电连接到所述发光 二极管芯片；以及树脂材料，所述树脂材料在所述腔中。实施例提供了一种半导体器件封装，该半导体器件封装包括发光二极管芯片； 第一电极，所述第一电极在所述发光二极管芯片之下；第二电极，所述第二电极与所述第一 电极分隔开；有机粘合构件，所述有机粘合构件在所述第一电极上并且包含无机填充剂和 反射性金属中的至少一种；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片粘晶在所述有机粘合构 件上；以及连接构件，所述连接构件将发光二极管芯片连接到电极。在以下的附图和说明书中阐述了一个或多个实施例的细节。从说明书和附图中以 及从权利要求书中，其它特征将是显而易见的。附图说明图1是根据第一实施例的半导体器件封装的横截面图。图2是上面安装有图1中的半导体器件的第一电极的顶部平面图。图3是示出图1中的粘合构件的散热路径的横截面图。图4是示出根据第二实施例的半导体器件封装的横截面图。图5是示出根据第三实施例的半导体器件封装的横截面图。图6是示出根据第四实施例的半导体器件封装的横截面图。图7是图6的侧截面图。图8是示出根据第五实施例的半导体器件封装的横截面图。图9是示出根据第六实施例的半导体器件封装的横截面图。具体实施例方式现在，将详细参照本专利技术的实施例，在附图中示出这些实施例的实例。图1是根据第一实施例的半导体器件封装的横截面图，图2是上面安装有图1中 的半导体器件的第一电极的顶部平面图，并且图3是示出图1中的粘合构件的散热路径的 横截面图。参照图1，半导体器件封装100包括封装主体110、半导体器件120、树脂材料125、 多个电极132和134及粘合构件140。封装主体110可以由从以下物质组成的组中选择的材料形成聚邻苯二甲酰 胺(PPA)、液晶聚合物、基于树脂的材料，例如间规聚苯乙烯(SPS)、金属芯印刷电路板 (MCPCB)、印刷电路板(PCB)、陶瓷PCB、阻燃剂-4 (FR-4)、氮化铝(AlN)。封装主体110可以 被设置成板上芯片(COB)的形式。在封装主体110的上部112形成具有开口顶部的腔115，并且腔115的内壁可以形 成为相对于其底表面垂直或者以预定角度倾斜。腔115可以形成为圆形或多边形的形状并且形成为单层腔结构或多层腔结构。然 而，本专利技术不限于这些构造。电极132和134形成在封装主体110的腔115中。电极132和134的第一端设置 在腔115中，并且电极132和134的第二端暴露于封装主体110的外侧。电极132和134 的第二端可以用作外部电极Pl和P2。电极132和134的第二端延伸到封装主体110的侧 表面或底表面。然而，本专利技术不限于这种构造。通过选择性地使用引线框架型、PCB(印刷 电路板)型、陶瓷型、电镀型和通孔型，可以形成电极132和134。电极132通过具有预定深度的粘合凹槽136而被设置在第一区域中。可以通过穿 孔工艺或蚀刻工艺形成粘合凹槽136。可以在制造封装主体110之前或之后，在电极132上 形成粘合凹槽136。粘合凹槽136可以形成在上面附着有半导体器件120的电极132上。以下将描述 粘合凹槽136形成在第一电极132上的实例。粘合凹槽136可以形成在其中半导体器件120被粘晶处理的区域上。粘合凹槽136 可以形成为圆形形状、多边形形状或任意形状。从电极132的顶表面算起，粘合凹槽136的 深度是1-100 μ m。另外，粘合构件140形成在粘合凹槽136中。可以通过打点、压印和分配工艺中的 至少一种形成粘合构件140。5粘合构件140可以由含反射性金属的有机粘合材料形成。可以通过以预定比率将 有机树脂与无机填充剂或/和反射性金属混合，形成粘合构件140。有机树脂包含硅或环氧树脂。无机填充剂包括高反射性的白色无机填充剂或者反 射性无机填充剂，例如Ti02。反射性金属可以包括在反射特性和导热性方面表现优良的金 属粉末，例如Ag和Al。粘合构件140可以由混合有0. 1-30重量％的无机填充剂或/和0. 1-30重量％的 金属粉末的有机树脂形成。粘合构件140比诸如环氧树脂的树脂材料具有更高的导热性和反射特性，并且与 环氧树脂具有相同的绝缘特性。粘合构件140的底部和外周可以表百接触第一电极132。半导体器件120被粘晶到粘合构件140上。半导体器件120包括例如LED芯片。 LED芯片可以是带色LED芯片，例如红色LED芯片、绿色LED芯片或蓝色LED芯片或紫外LED 芯片。具有LED芯片的封装可以被称作LED封装。另外，半导体器件120可以包括诸如齐 纳二极管这样的保护性器件。可以设计粘合构件140，使得可以对至少一个半导体器件120进行粘晶处理。可以 根据粘合凹槽136的尺寸来变化半导体器件120的数量。参照图2，粘合构件140的第一宽度Dl大于半导体器件120的第一宽度D2。也就 是说，粘合构件140的面积可以大于半导体器件120的底面积。再次参照图1和图2，半导体器件120通过布线122和124连接到电极132和134。树脂材料125形成在腔115中。树脂材料125包括透明硅或环氧树脂。可以将荧 光体加入到树脂材料125。形成为预定形状的透镜(未示出)可以附着或形成在树脂材料 125 上。封装主体110可以包括用于保护半导体器件120的保护性器件(未示出)，例如齐纳二极管。参照图1和图3，通过电极132和134向半导体器件封装100提供电力。电极132 向半导体器件120提供第一极性电力，第二电极134向半导体器件120提供第二极性电力。 当半导体器件120是LED芯片时，半导体器件120沿着所有方向发射光。在这种情况下，半 导体器件120产生热。一部分产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件封装，包括：封装主体；多个电极，所述多个电极包括在所述封装主体上的第一电极；粘合构件，所述粘合构件在所述第一电极上并且包括无机填充剂和金属粉末中的至少一种；以及半导体器件，所述半导体器件粘晶在所述粘合构件上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金忠烈，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]