结型场效应管制造技术

本实用新型专利技术提供一种结型场效应管。包括第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚、芯片和塑封体，芯片上具有Ｄ极、Ｓ级和Ｇ极，三个引线脚对应地连接在芯片的对应极上后，封装固定在塑封体内，芯片的正面设有Ｄ级和Ｓ级，和Ｄ极焊球、Ｓ极焊球；反面设有Ｇ级，且Ｇ级与第三引线脚相连；第一导线的一端通过第一焊球焊接在第一引线脚上，且第一导线从第一焊球中向上方拉出，其另一端与芯片上的Ｄ级焊球相连；第二导线的一端通过第二焊球焊接在第二引线脚上，且第二导线从第二焊球中向上方拉出，其另一端与芯片上的Ｓ级焊球相连；本实用新型专利技术的这种结构封装后的成品结型场效应管超薄，完全可以满足市场上的需求。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及送活器的部件，特别是一种结型场效应管。
技术介绍
在微电子技术^^迅速的时代，手机的送话器、对讲机、微型麦克风等都广泛地应用到结型场效应管，这类产品一4殳都^:将芯片的各个极与相对应 的引线脚采用金丝球焊的形式，通过金丝导线焊接在-^,然后封^i一个 塑封体内成型，由于金丝球焊接这种工艺对第 一焊点的要求是金丝导线一定 要从^t早接件上的焊球中拉出一定高度后才能弯曲与第二被焊接件相连，否 则会产生断丝等缺陷，直4妄影响焊4妻质量，参见图4现有的结型场效应管， 均是在芯片的各个极上首先焊#^丝导线，金丝导线从芯片上的焊球垂直拉 出一定高M,再与相对应极的引线脚焊接后进行封装成型，这种结构，使 得成品结型场效应管比较厚，同时为了保证产品质量，特别是金丝导线不能 折断，在封装时一般采用上，下封模的形式，上、下封模均有足够的空腔， 以使芯片与各引线脚及M丝导线在焊接后不易改变位置，这样进一步增加 了成品结型场效应管的厚度，4rt适应目前手机向小而薄方向t艮的需要。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种超薄形的结型场效应管。 为实现上述目的，克服已有技术的不足而采取的技术方案是一种结型场 效应管，包括第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚、芯片和塑封体，芯片 上具有与第一引线脚1相连的D极、与第二引线脚2相连的S级和与第三引 线脚3相连的G极，三个引线脚对应地连接在芯片(4)的对应极上后，封 装固定在塑封体(5)内，其创新点在于a、 芯片4的正面设有D级和S级，iLit面的D级上具有D极焊球4-D， S极上具有S极焊球4-S;b、 芯片4反面设有G级，且G级与第三引线脚3相连；c、 第一引线脚1与芯片4上的D极通过第一导线1-1相连，第一导线1- 1的一端通过第一焊球l-D焊接在第一引线脚1上，且第一导线1-1从第一 焊球1-D中向上方拉出，其另一端与芯片4上的D级焊球4-D相连；d、 第二引线脚2与芯片4上的S才及通过第二导线2-1相连，第二导线2- 1的一端通过第二焊球2-S焊接在第二引线脚2上，且第二导线2-1从第二 焊球2-S中向上方拉出，其另 一端与芯片4上的S级焊球4-S相连。所it^个引线脚(1、 2、 3)在塑封体(5)内均具有折弯。 本技术首先在芯片的D才及和S才及上先打好焊球，而金丝导线则先与 引线脚打球焊接，然后以引线脚的垂直方向从焊球中拉出一定高度，再折弯 焊接到芯片相对应的D极或S极的焊球上，由于芯片本身的位置就高出引线 脚，这样从引线脚上垂直拉出的金丝导线到一定高度后折弯可以从水平方向 与芯片相连，这样就大大降低了总体的高度，封装后的成品结型场效应管会 超薄，完全可以满足市场上的需求。附图说明图1是本技术的结型场效应管剖开封装的结构示意图； 图2是图1的A-A剖视图； 图3是图1的右^见图4是现有技术中结型场效应管剖开封装的结构示意图。具体实施方式以下结合附图给出的实施例，对本技术作进一步详细描述。 参见图1、 2, —种结型场效应管，包括第一引线脚l、第二引线脚2、 第三引线脚3、芯片4和塑封体5，芯片上具有与第一引线脚1相连的D极、 与第二引线脚2相连的S级和与第三引线脚3相连的G极，三个51线脚对应 地连接在芯片4的对应极上后，封装固定在塑封体5内，其创新点在于a、 芯片4的正面设有D级和S级，JUt面的D级上具有D极焊球4-D, S极上具有S极焊球4-S;b、 芯片4反面设有G级，且G级与第三引线脚3相连；c、 第一引线脚1与芯片4上的D4及通过第一导线1-1相连，第一导线1- 1的一端通过第一焊球l-D焊接在第一引线脚1上，且第一导线1-1从第一 焊球l-D中向上方拉出，其另一端与芯片4上的D级焊球4-D相连；d、 第二引线脚2与芯片4上的S才及通过第二导线2-1相连，第二导线2- 1的一端通过第二焊球2-S焊接在第二引线脚2上，且第二导线2-1从第二 焊球2-S中向上方拉出，其另一端与芯片4上的S级焊球4-S相连。参见图3，为了使用的方便所ii^个引线脚1、 2、 3在塑封体5内均具 有折弯。参见图1、 2、 3,本技术的结型场效应管，改变了以往习惯的连接 方式，首先将芯片4反面设有的G级与第三引线脚3相连；然后在芯片4正 面的D极和S极上先各打一个焊球4-D和4-S,为下一步的焊接做好准备， 而金丝导线的第一个焊点是先与引线脚相焊接，在第一引线脚1上将第一金 丝导线1-1的一端与其打球焊接后，将第一金丝导线1-1从第一焊球l-D中 与第一引线脚l垂直的方向拉出，由于芯片4的反面G级与第三引线脚3直4接相连，则芯片4的正面D级上的焊球4-D就比第一引线脚1高出一定高度， 这样可以使从第一引线脚1的第一焊球l-D中拉出的第一金丝导线1-1达到 芯片4的D极焊球4-D的高度就可以打弯，从水平方向与芯片4上的D极 焊球4-D焊接相连，同样，在第二引线脚2上，将第二金丝导线2-l的一端 与其打球焊接后，将第二金丝导线2-1从第二焊球2-S中与第二引线脚2的 垂直方向拉出，至芯片4的S极焊球4-S的高#,水平方向折弯与芯片4 的上的S极焊球4-S相连，这样，整体的高度就只是芯片4加焊球4-D或4-S 再加引线脚的高度，既保证了金丝导线从第一焊点中垂直拉出不易断线，又 降低了总体的高度，达到实现成品超簿的目的。本技术由于金丝导线在 芯片4上不用向上拉出一^殳再打弯，降低了高度，同时在封装时，由于引线 脚预先有折弯，可以利用折弯处卡在一平板模上，既保证了塑体封装时，不 易移位、掉脚，又减少了下封模的空腔，进一步降低了产品的厚度，实现成 品超簿的目的，完全可以满足手机向小而簿方向t艮的需求。权利要求1、一种结型场效应管，包括第一引线脚(1)、第二引线脚(2)、第三引线脚(3)、芯片(4)和塑封体(5)，芯片上具有与第一引线脚(1)相连的D极、与第二引线脚(2)相连的S级和与第三引线脚(3)相连的G极，三个引线脚对应地连接在芯片(4)的对应极上后，封装固定在塑封体(5)内，其特征在于a、芯片(4)的正面设有D级和S级，且正面的D级上具有D极焊球(4-D)，S极上具有S极焊球(4-S)；b、芯片(4)反面设有G级，且G级与第三引线脚(3)相连；c、第一引线脚(1)与芯片(4)上的D极通过第一导线(1-1)相连，第一导线(1-1)的一端通过第一焊球(1-D)焊接在第一引线脚(1)上，且第一导线(1-1)从第一焊球(1-D)中向上方拉出，其另一端与芯片(4)上的D级焊球(4-D)相连；d、第二引线脚(2)与芯片(4)上的S极通过第二导线(2-1)相连，第二导线(2-1)的一端通过第二焊球(2-S)焊接在第二引线脚(2)上，且第二导线(2-1)从第二焊球(2-S)中向上方拉出，其另一端与芯片(4)上的S级焊球(4-S)相连。2、 根据权利要求1所迷的结型场效应管，其特征在于所t个引线脚 (1、 2、 3)在塑封体(5)内均具有折弯。专利摘要本技术提供一种结型场效应管。包括第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚、芯片和塑封体，芯片上具有D极、S级和G极，三个引线脚对应地连接在芯片的对应极上后，封装固定在塑封体内，芯片的正面设有D级和S级，和D极焊球、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结型场效应管，包括第一引线脚（１）、第二引线脚（２）、第三引线脚（３）、芯片（４）和塑封体（５），芯片上具有与第一引线脚（１）相连的Ｄ极、与第二引线脚（２）相连的Ｓ级和与第三引线脚（３）相连的Ｇ极，三个引线脚对应地连接在芯片（４）的对应极上后，封装固定在塑封体（５）内，其特征在于：　ａ、芯片（４）的正面设有Ｄ级和Ｓ级，且正面的Ｄ级上具有Ｄ极焊球（４－Ｄ），Ｓ极上具有Ｓ极焊球（４－Ｓ）；　ｂ、芯片（４）反面设有Ｇ级，且Ｇ级与第三引线脚（３）相连；　ｃ、第一 引线脚（１）与芯片（４）上的Ｄ极通过第一导线（１－１）相连，第一导线（１－１）的一端通过第一焊球（１－Ｄ）焊接在第一引线脚（１）上，且第一导线（１－１）从第一焊球（１－Ｄ）中向上方拉出，其另一端与芯片（４）上的Ｄ级焊球（４－Ｄ）相连；　 　ｄ、第二引线脚（２）与芯片（４）上的Ｓ极通过第二导线（２－１）相连，第二导线（２－１）的一端通过第二焊球（２－Ｓ）焊接在第二引线脚（２）上，且第二导线（２－１）从第二焊球（２－Ｓ）中向上方拉出，其另一端与芯片（４）上的Ｓ级焊球（４－Ｓ）相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹燕军，金银龙，徐青青，
申请(专利权)人：常州银河世纪微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[]