新型除草剂制造技术

公开了吡喃二酮、硫代吡喃二酮和环己烷三酮化合物，其适合用作除草剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利说明新型除草剂 本专利技术涉及新的除草活性环二酮及其衍生物，涉及它们的制备方法，涉及包含这些化合物的组合物，和涉及它们防治杂草的用途，特别是在有用植物作物比如稻、玉米、谷物、棉花、大豆，甜菜、油菜或者芸苔、甘蔗中，或者抑制植物生长的用途。 具有除草活性的环二酮类描述于，例如，WO 01/74770中。 目前已发现具有除草和生长抑制特性的新型吡喃二酮、硫代吡喃二酮和环己烷三酮化合物。 因此，本专利技术涉及式I化合物。 其中 R1、R2、R3和R4各自独立地是氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基C1-C4烷基、C1-C4烷硫基C1-C4烷基、C1-C4烷基亚磺酰基C1-C4烷基、C1-C4烷基磺酰基C1-C4烷基、环丙基或被C1-或C2烷基、C1-或C2卤代烷基或卤素取代的环丙基；环丁基或被C1-或C2烷基取代的环丁基；氧杂环丁烷基或被C1-或C2烷基取代的氧杂环丁烷基；C5-C7环烷基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C5-C7环烷基，其中所述环烷基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；C4-C7环烯基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C4-C7环烯基，其中所述环烯基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；环丙基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基、C1-或C2卤代烷基或卤素取代的环丙基C1-C5烷基；环丁基C1-C5烷基或被C1-C2烷基取代的环丁基C1-C5烷基；氧杂环丁烷基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基取代的氧杂环丁烷基C1-C5烷基；C5-C7环烷基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C5-C7环烷基C1-C5烷基，其中所述环烷基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；C4-C7环烯基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C4-C7环烯基C1-C5烷基，其中所述环烯基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；苯基或被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、卤素、硝基、氰基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基或C1-C4烷基羰基取代的苯基；苄基或被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、卤素、硝基、氰基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基或C1-C4烷基羰基取代的苄基；杂芳基或被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、卤素、硝基、氰基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基或C1-C4烷基羰基取代的杂芳基；或者 R1和R2或R3和R4合起来形成3-7元饱和的环，其中亚甲基任选地被氧或硫原子替代，并且其可以任选被C1-或C2-烷基、卤素或C1-C2烷氧基取代，或者5-7元不饱和的环，其中亚甲基任选地被氧或硫原子替代，并且其可以任选被C1-或C2-烷基、卤素或C1-C2烷氧基取代；或 R1和R3合起来形成5-7元饱和的或不饱和的环或5-7元饱和的或不饱和的环，其任选被C1-或C2烷基、C1-或C2烷氧基、羟基或卤素取代； Y是O、C＝O、S(O)m或S(O)nNR5；条件是当Y是C＝O时，如果R1或R2是氢，R3和R4不是氢，以及如果R3或R4是氢，R1和R2不是氢；m是0或1或2和n是0或1； R5是氢、C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C1-C6烷氧基羰基、三(C1-C6烷基)甲硅烷基乙氧基羰基、C1-C6卤代烷氧基羰基、氰基、C1-C6卤代烷基、C1-C6羟基烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基、C2-C6卤代烯基、C1-C6烷基羰基、C1-C6卤代烷基羰基、C1-C6环烷基羰基、苯基羰基或被R6取代的苯基羰基；苄基羰基或被R6取代的苄基羰基；吡啶基羰基或被R6取代的吡啶基羰基；苯氧基羰基或被R6取代的苯氧基羰基；苄氧基羰基或被R6取代的苄氧基羰基； R6是C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基羰基、硝基、氰基、甲酰基、羧基或卤素； Het是任选取代的单环或二环杂芳族的环；以及 G是氢、碱金属、碱土金属、锍，铵或潜伏基团。 在式I化合物的取代基定义中，具有1-6个碳原子的烷基取代基和烷氧基、烷基氨基等的烷基部分优选是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基，形式为它们的直链和支化异构体。具有2-6个碳原子和至多10个碳原子的烯基和炔基残基可以是直链或支化的并且可以包含多于1个的双键或三键。实例是乙烯基、烯丙基、炔丙基、丁烯基、丁炔基、戊烯基和戊炔基。适宜的环烷基包含3-7个碳原子并且是例如环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。优选环丙基、环丁基、环戊基和环己基。杂环通常对应于前文所提及的可以被进一步取代的碳环或环烷基残基，只是1或2个亚甲基被氧、硫或氮原子替代。优选的卤素是氟、氯和溴。杂芳基R1、R2、R3、R4、R8和R12的优选实例是噻吩基、呋喃基、吡咯基、异噁唑基、噁唑基、异噻唑基、噻唑基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪三嗪基、噁二唑基、噻二唑基和哒嗪基，以及合适时，其N氧化物和盐。这些杂芳基可以被一个或多个取代基所取代，其中优选取代基是例如卤素、C1-C4烷基、C3-C6环烷基、C1-C4卤代烷基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C4卤代烷硫基、C1-C4卤代烷基亚磺酰基、C1-C4卤代烷基磺酰基、多C1-C4烷氧C1-C4基烷基、C1-C4烷硫基C1-C4烷基、硝基、氰基， C2-C4烯基，C2-C4卤代烯基，C2-C4炔基，芳基，被C1-C2-烷基、C1-C2-烷氧基、C1-C2卤代烷基、C1-C2卤代烷氧基、氰基或硝基取代的芳基或者杂芳基或被C1-C2-烷基、C1-C2-烷氧基、C1-C2卤代烷基、C1-C2卤代烷氧基、氰基或硝基取代的杂芳基。 基团G表示氢、碱金属阳离子、碱土金属阳离子、硫鎓阳离子(优选-S(C1-C6烷基3)+)或铵阳离子(优选-NH4+或-N(C1-C6烷基)4+)或潜伏基团(latentiating group)。选择这些潜伏基团G从而在施用至经处理的区域或植物之前、期间或之后，可以通过生化、化学或物理过程中的一种或者组合将其除去以产生其中G是H的式I化合物。上述过程的实例包括酶解、化学水解和光解。带有这种基团G的化合物可以提供一些优势，比如经处理植物的改进的表皮穿透，作物增加的耐受性，包含其它除草剂、除草剂安全剂、植物生长调节剂、杀真菌剂或杀虫剂的制剂混合物中改进的相容性和稳定性，或者减少的土壤淋溶。所述潜伏基团G优选选自基团G是C1-C8烷基、C2-C8卤代烷基、苯基C1-C8烷基(其中所述苯基可以任选地被C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3烷基亚磺酰基、C1-C3烷基磺酰基、卤素、氰基取代或被硝基取代)、杂芳基C1-C8烷基(其中所述杂芳基可以任选地被C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基、C1-C3烷氧基本文档来自技高网...

【技术保护点】
式Ⅰ化合物　　＊＊＊　（Ⅰ），　　其中　　Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］各自独立地是氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷硫基Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基亚磺酰基Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基磺酰基Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基、环丙基或被Ｃ↓［１］－或Ｃ↓［２］烷基、Ｃ↓［１］－或Ｃ↓［２］卤代烷基或卤素取代－Ｃ↓［４］烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷氧基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］卤代烷基、卤素、硝基、氰基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷硫基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基亚磺酰基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基磺酰基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基羰基取代的杂芳基；或者　　Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］或Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］合起来形成３－７元饱和的环，其中亚甲基任选地被氧或硫原子替代，并且其可以任选被Ｃ↓［１］－或Ｃ↓［２］－烷基、卤素或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２］烷氧基取代，或者５－７元不饱和的环，其中亚甲基任选地被氧或硫原子替代，并且其可以任选被Ｃ↓［１］－或Ｃ↓［２］－烷基、卤素或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２］烷氧基取代；或　　Ｒ↑［１］和Ｒ↑［３］合起来形成５－７元饱和的或不饱和的环或５－７元饱和的或不饱和的环，任选被Ｃ↓［１］－或Ｃ↓［２］烷基、Ｃ↓［１］－或Ｃ↓［２］烷氧基、羟基或卤素取代；　　Ｙ是Ｏ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ（Ｏ）↓［ｍ］或Ｓ（Ｏ）↓［ｎ］ＮＲ↑［５］；条件是当Ｙ是Ｃ＝Ｏ时，如果Ｒ↑［１］或Ｒ↑［２］是氢，Ｒ↑［３］和Ｒ↑［４］不是氢，以及如果Ｒ↑［３］或Ｒ↑［４］是氢，Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］不是氢；ｍ是０或１或２和ｎ是０或１；　　Ｒ↑［５］是氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［６］环烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷氧基羰基、三（Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基）甲硅烷基乙氧基羰基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］卤代烷氧基羰基、氰基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］卤代烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］羟基烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］烯基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］炔基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［６］卤代烯基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基羰基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］卤代烷基羰基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］环烷基羰基、苯基羰基或被Ｒ↑［６］取代的苯基羰基；苄基羰基或被Ｒ↑［６］取代的苄基羰基；吡啶基羰基或...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2007-6-28 0712653.51.式I化合物(I)，其中R1、R2、R3和R4各自独立地是氢、C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷氧基C1-C4烷基、C1-C4烷硫基C1-C4烷基、C1-C4烷基亚磺酰基C1-C4烷基、C1-C4烷基磺酰基C1-C4烷基、环丙基或被C1-或C2烷基、C1-或C2卤代烷基或卤素取代的环丙基；环丁基或被C1-或C2烷基取代的环丁基；氧杂环丁烷基或被C1-或C2烷基取代的氧杂环丁烷基；C5-C7环烷基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C5-C7环烷基，其中所述环烷基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；C4-C7环烯基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C4-C7环烯基，其中所述环烯基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；环丙基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基、C1-或C2卤代烷基或卤素取代的环丙基C1-C5烷基；环丁基C1-C5烷基或被C1-C2烷基取代的环丁基C1-C5烷基；氧杂环丁烷基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基取代的氧杂环丁烷基C1-C5烷基；C5-C7环烷基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C5-C7环烷基C1-C5烷基，其中所述环烷基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；C4-C7环烯基C1-C5烷基或被C1-或C2烷基或C1-或C2卤代烷基取代的C4-C7环烯基C1-C5烷基，其中所述环烯基部分的亚甲基任选地被氧或硫原子或亚磺酰基或磺酰基代替；苯基或被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、卤素、硝基、氰基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基或C1-C4烷基羰基取代的苯基；苄基或被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、卤素、硝基、氰基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基或C1-C4烷基羰基取代的苄基；杂芳基或被C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷基、卤素、硝基、氰基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基或C1-C4烷基羰基取代的杂芳基；或者R1和R2或R3和R4合起来形成3-7元饱和的环，其中亚甲基任选地被氧或硫原子替代，并且其可以任选被C1-或C2-烷基、卤素或C1-C2烷氧基取代，或者5-7元不饱和的环，其中亚甲基任选地被氧或硫原子替代，并且其可以任选被C1-或C2-烷基、卤素或C1-C2烷氧基取代；或R1和R3合起来形成5-7元饱和的或不饱和的环或5-7元饱和的或不饱和的环，任选被C1-或C2烷基、C1-或C2烷氧基、羟基或卤素取代；Y是O、C＝O、S(O)m或S(O)nNR5；条件是当Y是C＝O时，如果R1或R2是氢，R3和R4不是氢，以及如果R3或R4是氢，R1和R2不是氢；m是0或1或2和n是0或1；R5是氢、C1-C6烷基、C3-C6环烷基、C1-C6烷氧基羰基、三(C1-C6烷基)甲硅烷基乙氧基羰基、C1-C6卤代烷氧基羰基、氰基、C1-C6卤代烷基、C1-C6羟基烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基、C2-C6卤代烯基、C1-C6烷基羰基、C1-C6卤代烷基羰基、C1-C6环烷基羰基、苯基羰基或被R6取代的苯基羰基；苄基羰基或被R6取代的苄基羰基；吡啶基羰基或被R6取代的吡啶基羰基；苯氧基羰基或被R6取代的苯氧基羰基；苄氧基羰基或被R6取代的苄氧基羰基；R6是C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基羰基、硝基、氰基、甲酰基、羧基或卤素；Het任选经取代的单环或二环杂芳基，以及G是氢、碱金属、碱土金属、锍，铵或潜伏基团。2.根据权利要求1的化合物，其中R1、R2、R3和R4彼此独立地是氢、C1-C4烷基。3.根据权利要求2的化合物，其中R1、R2、R3和R4彼此独立地是氢、甲基或乙基。4.根据权利要求3的化合物，其中R1、R2、R3和R4是甲基。5.根据权利要求1的化合物，其中R1和R3合起来形成5-7元饱和的或不饱和的环或者被C1-或C2烷基、C1-或C2烷氧基或卤素取代的5-7元饱和的或不饱和的环，其中R2和R4彼此独立地是氢、甲基或乙基。6.根据权利要求1的化合物，其中Y是O、S或C＝O。7.根据权利要求1的化合物，其中G是氢、碱金属或碱土金属。8.根据权利要求7的化合物，其中G是氢。9.根据权利要求1的化合物1，其中Het是任选经取代的单环5-或6-元的含氮或硫的杂芳基。10.根据权利要求的化合物9，其中Het是式R1-R12的基团其中A指定与酮烯醇部分的连接点，和W1是N或CR10；W2和W3彼此独立地是N或CR8；W4是N或CR11；条件是W1、W2、W3或W4中至少-个是N；X是O、S、S e或NR13；Z是N或CR14；R7是卤素、C1-C4烷基、C3-C6环烷基、C1-C4卤代烷基、C2-C4烯基、C2-C4卤代烯基、C2-C4炔基、C1-C4烷氧基、C1-C4卤代烷氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基、硝基或氰基；R8是氢、卤素、氰基、硝基、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C1-C4烷氧基、C2-C4烯氧基、C1-C4烷硫基、C1-C4烷基亚磺酰基、C1-C4烷基磺酰基、C1-C4烷氧基C1-C4烷基、多C1-C4烷氧基C1-C4烷基、C1-C4烷硫基C1-C4烷基，其各自是未经取代的或者被卤素取代，C3-C8环烷基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、异噁唑基、噁唑基、异噻唑基、噻唑基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、吡...

【专利技术属性】
技术研发人员：SAM让马特，CJ马修斯，SC史密斯，JB泰勒，M戈芬卡，
申请(专利权)人：辛根塔有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]