发光装置及其制造方法制造方法及图纸

一种发光装置封装包括：衬底；在衬底上的第一和第二导电构件；在衬底上的发光二极管，该发光二极管与第一和第二导电构件电连接；以及在发光二极管上的磷光体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种。
技术介绍
近来，发光二极管(LED)被广泛用作发光装置。 LED被用于各个领域，诸如显示装置的光源、可以代替荧光灯或白炽电灯的照明设备、以及用于汽车的光源。 LED可以被制造为发出诸如红、黄、绿和蓝的各种颜色的光。可以使用磷光体或者组合从多个LED发出的彩色光来发出白光。 特别地，由于发出白光的发光二极管可以应用于各个领域，所以关于高效率的发光装置的众多研究正在进展中。 —般地，为了在发光装置中实现白光，通过将主要发出蓝光波长的光的LED和由LED发出的蓝光波长的光激发以发出黄光波长的激发光的磷光体组合来形成发光装置。在使用该方法的发光装置中，发光装置的白光实现显著地受包括磷光体的磷光体层的效率的影响。 例如，从LED发出的光和/或由LED发出的光所激发的激发光经常不是从发光装置发出到外部，而是由于形成LED的材料和发光装置外部的空气之间折射率的不同消失在发光装置内部，使得发光装置的发光效率降低。 因此，需要使得从LED发出的光和/或由LED发出的光所激发的激发光从发光装置有效地发出。
技术实现思路
技术问题 本专利技术的实施例提供了 一种新结构的。 本专利技术的实施例还提供了一种具有提高的发光效率的。 技术方案 在一个实施例中，一种发光装置包括发光二极管；以及在发光二极管上的磷光体层，该磷光体层包括图案。 在一个实施例中，一种发光装置封装包括衬底；在衬底上的第一和第二导电构件；在衬底上的发光二极管，该发光二极管与第一和第二导电构件电连接；以及在发光二极管上的磷光体层。在一个实施例中，一种用于制造发光装置的方法包括在衬底上形成发光二极管；形成向发光二极管供电的电极层；并且在所述发光二极管的外表面上形成其中形成有图案的磷光体层。 有益效果 本专利技术的实施例可以提供一种新结构的。 本专利技术的实施例还可以提供一种具有提高的发光效率的。附图说明 图1至图6是示出了根据一个实施例的各种类型的LED和磷光体层的示例图。 图7至图9是示出了根据一个实施例的其中安装有LED 10的发光装置封装的示例图。 图10至图18是说明了根据实施例的用于制造发光装置的方法的图。具体实施例方式现在将参照附图对本公开的实施例详细地进行介绍。 尽管本公开允许很多修改和变型，但是在将要详细描述的图中示例性地示出了其特定实施例。然而，这些实施例不是意在将本公开限制于所公开的特定形式，而是本公开包括了所有符合由所附权利要求限定的本公开的精神的修改、等价物和可替选项。 在对附图的描述中，相同的参考标记指代相同的元件。为了清晰起见，图中放大了层和区域的尺寸。此外，这里所描述的每个实施例都包括互补导电类型的可替选实施例。 在诸如层、区域和衬底等的元件被提及为在另一个元件上的情况中，应该理解为该元件直接在另一个元件上或者其间可以存在居间元件。在诸如表面等的元件的一部分被表达为内部部分的情况中，应该理解为与该元件的其他部分相比该部分被设置为远离装置的外侧。 应该理解这些术语意在除了图中所描述的方向之外，还包括装置的其他方向。最后，术语"直接"意味着没有居间元件。如同这里所使用的，术语"和/或"包括所描述的相关项目中的一个或者两个或更多个的任意组合以及所有组合。 本公开主要描述了 LED和磷光体层。S卩，实施例公开了发光二极管和磷光体层之间的位置关系或耦合关系，并且公开了磷光体层的形状。 图1至图6是示出了根据一个实施例的各种类型的LED和磷光体层的示例图。在描述图1至图6时，省略了重复的描述。 首先参照图l，在LED 10上形成磷光体层20。 LED 10包括第一导电型半导体层11、有源层12和第二导电型半导体层13。 LED10的结构不限于图中所示的结构，而是可以不同地设计。 磷光体层20由包括磷光体的材料形成。例如，可以使用包括磷光体的树脂。 磷光体层20可以在完成了 LED 10的制造之后或者在制造LED 10的同时形成。 在图1中，磷光体层20形成在LED 10上并且具有预定图案21 。例如，当从上方看时图案21可以形成为诸如圆形、环形、格状、蜂窝状和方形的各种形状。此外，图案21可以形成为诸如圆柱形、环形、半球形、六棱柱状、四棱柱状、格栅图案、四面体状和棱锥状的形状。 因为磷光体层20以预定图案部分地形成在LED 10上，所以LED 10的上表面通过磷光体层20部分地暴露于朝上方向。 例如，磷光体层20的图案21的间隔(period)可以是0. 8 y m至5 y m，而图案21的高度可以是3Q0nm至3000nm。 参照图2，与图1不同，磷光体层20可以形成在LED 10的整个上表面上。 图2中所示的磷光体层20具有第一厚度和第二厚度。具有第一厚度的部分可以形成为如图1中所示的预定图案21。 图1和图2中所示的磷光体层之间的区别在于图案21之间的凹槽21a的深度不同，通过该深度来确定LED 10的上表面是否暴露。图案21之间的凹槽21a的深度可以通过磷光体层20的蚀刻量来确定。 参照图3，磷光体层20可以形成在LED 10的侧表面上。在侧表面上形成的磷光体层23可以具有预定厚度，并且对发射到LED 10的侧表面的光进行颜色变换。 参照图4，磷光体层20可以具有半球形图案22。此外，半球形图案22之间的凹槽22a可以被形成为具有与磷光体层20的厚度几乎相同的厚度。尽管在图4中LED 10的上表面没有通过在磷光体层20中形成的凹槽22a暴露出来，但是可以通过增加磷光体层20的蚀刻量部分地暴露LED IO的上表面。 用如下工艺形成半球形图案22。采用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、原子层沉积(ALD)、射频(RF)溅射、电子束蒸发和热蒸发的方法形成磷光体层20。采用光刻工艺以预定间隔图案化光致抗蚀剂。在这之后，执行热处理工艺以回流光致抗蚀剂从而形成半球形光致抗蚀剂图案(未示出)。在同时蚀刻光致抗蚀剂图案和磷光体层20时，用形状与光致抗蚀剂图案的形状相似的半球形图案22来蚀刻磷光体层20。 参照图5，磷光体层20可以在具有预定厚度的同时形成为半球形图案22。在这种情况下，LED 10的上表面不通过磷光体层20暴露。 参照图6，磷光体层20可以形成在LED 10的侧表面上。在侧表面上形成的磷光体层23可以具有预定厚度，并对向LED 10的侧表面发射的光进行颜色变换。 图7至图9是示出了根据一个实施例的其中安装有LED 10的发光装置封装的示例图。 图7至图9是说明根据LED的形状安装LED的方式的图。图7示出了安装侧向型LED，图8示出了安装垂直型LED，图9示出了安装倒装型LED。 参照图7，发光装置封装包括其中形成有空腔42的衬底40 ;形成于衬底40中的第一导电构件1和第二导电构件2 ;安装在空腔42内部的LED IO，并且在LED 10的上表面和侧表面上形成有磷光体层20 ;在LED10上形成的第一电极层15和第二电极层14 ;将第一电极层15和第二电极层14与第一导电构件1和第二导电构件2电连接的电线3 ;以及填充空腔42的成形构件30。 空腔42是其中安装有LED 10的区域，并且通过部分地移除衬底40来形成。衬底40可以包括倾斜表面41。此外，可以在倾斜表面41上形成由具有高反光率的Ag或Al形成的反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：发光二极管；以及在所述发光二极管上的磷光体层，所述磷光体层包括图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：元裕镐，金根浩，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]