光刻设备和方法技术

技术编号:4626483 阅读:210 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种用于测量光刻设备中的像差的系统和方法。辐射束采用单独可控元件的阵列(PD)进行调制,并且所调制的束采用投影系统(PS)进行投影。在单独可控元件的阵列(PD)上设置图案以调制辐射束,并且所述图案包括由多个特征形成的重复的结构,其尺寸被形成为使得辐射束的第一级衍射基本上充满投影系统的光瞳。传感器(S)探测投影的辐射并且测量由投影系统(PS)投影的辐射中的干涉。然后测量在所探测的辐射束中的像差。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光刻设备中进行测量的设备和方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底或衬底的一部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在平板显示器、集成电路(IC)和包括微细结构的其他器件的制造中。在现有设备中,可以将可称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成对应于平板显示器(或其他器件)的单层上的电路图案。通过成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(例如,抗蚀剂)层上可以将该图案转移到衬底(例如,玻璃板)的全部或一部分上。除了电路图案,图案形成装置可以用于产生其他图案,例如滤色片图案(color filter pattern)或点阵。除了掩模,图案形成装置可以是包括单个可控元件阵列的图案化阵列。与基于掩模的系统相比,在这种系统中图案可以更迅速地并且更少成本地进行变化。通常,平板显示器衬底是矩形形状。设计用于曝光这种类型的衬底的光刻设备可以提供覆盖矩形衬底的整个宽度、或覆盖所述宽度的一部分(例如,宽度的一半)的曝光区域。可以在曝光区域下面扫描衬底的同时,通过束同时地扫描掩模或掩模版。在这种方式中,图案被转移到衬底上。如果曝光区域覆盖衬底的整个宽度,则可以用单次扫描完成曝光。如果曝光区域覆盖例如衬底的一半宽度,则可以在第一扫描之后横向移动衬底,并且通常执行另一次扫描来曝光衬底的剩余部分。光刻术需要以高精确度将图案投影到衬底上。为了确保以这种高精确度实现投影,光刻设备可以执行不同的校准测量,并且在一些情况下,光刻设备可以相应于这些测量结果进行调整。传统的光刻设备通常采用透射型的掩模版。然而,在某些提出的光刻-->设备中,透射型的掩模版被单独可控元件阵列替代,例如反射镜阵列。在这些非常规的光刻设备中,传统的校准测量系统和方法不再适合或不再是最佳的。因此,需要一种系统和方法,其测量由采用单独可控元件阵列的光刻设备内的投影系统投影的辐射束的相干性。
技术实现思路
在本专利技术的一个实施例中,提供一种用于测量光刻设备中的像差的设备和方法。在本专利技术的另一实施例中,提供一种光刻设备,所述光刻设备包括单独可控元件的阵列、投影系统、传感器以及控制器。单独可控元件的阵列配置用以调制辐射束。投影系统配置用以投影所调制的辐射束。传感器布置用以探测由投影系统投影的辐射并且测量所投影的辐射中的干涉。控制器布置用以在单独可控元件的阵列上提供图案以调制所述辐射束。所述图案包括重复的结构并且由多个特征形成,这些特征的尺寸形成为使得辐射束的第一级衍射基本上充满投影系统的光瞳。根据本专利技术的另一实施例,提供一种测量光刻设备中存在的像差的方法。所述方法包括:使用单独可控元件的阵列调制辐射束;使用投影系统投影所述辐射束;使用传感器探测所投影的辐射;和测量在所探测的辐射束中的像差。在所述单独可控元件的阵列上设置图案。所述图案具有重复的结构并且由多个特征形成,其中所述多个特征的尺寸形成为使得所述辐射束的第一级衍射基本上充满投影系统的光瞳,并且其中所述传感器布置用以测量由所述投影系统投影的辐射中的干涉。本专利技术的其他实施例、特征以及优点以及本专利技术不同实施例的结构和操作在下文中将参照附图详细描述。附图说明合并与此、形成为说明书的一部分的附图使出本专利技术的一个或更多个实施例,并且与所描述的内容一起用于解释本专利技术的原理,使得本领域普通技术人员能够制造和使用本专利技术。-->图1示出光刻设备;图2示出光刻设备;图3示出如图2所示的将图案转移到衬底的一种模型;图4示出一种光学引擎的布置;图5示出上面图1中所述的光刻设备的示例部分;图6示出消除零衍射级辐射的反射镜的示例性阵列;图7示出消除零衍射级辐射的反射镜的第二示例性阵列;图8a和8b示出传感器在图案下面的移动。下面将参照附图描述本专利技术的一个或更多个实施例。在附图中,相同的附图标记表示相同的或功能类似的元件。附加地,附图标记的最左边的数字可以识别附图标记首次出现的附图。具体实施方式本说明书公开了一个或更多个并入本专利技术的特征的实施例。所公开的实施例仅是本专利技术的示例。本专利技术的范围并不限于所公开的实施例。本专利技术由权利要求进行限定。所述的实施例,以及在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性,但是每个实施例无需必然地包括所述特定特征、结构或特性。而且,这些术语/表达不必然地涉及相同的实施例。而且,当特定特征、结构或特性与实施例联系起来描述时,应该理解为,无论是否明确说明,本领域技术人员可以结合其他实施例实现这些特征、结构或特性。本专利技术实施例可以应用到硬件、固件、软件或其任何组合。本专利技术实施例还可以应用为存储在机器可读介质上的指令,其可以通过一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括任何用于以机器(例如计算设备)可读形式存储或传送信息的机构。例如,机器可读介质可以包括:只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);磁盘存储媒介;光学存储媒介;闪存设备;传播信号的电、光、声或其他形式(例如,载波、红外信号、数字信号等),以及其他。此外,这里可以将固件、软件、程序、指令描述成执行特定操作。然而,应该认识到,这些描述仅为了方便并且-->这些操作实际上由计算设备、处理器、控制器或其他执行所述固件、软件、程序、指令等的设备来完成的。图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备1。所述光刻设备包括照射系统IL、图案形成装置PD、控制器CR、衬底台WT、以及投影系统PS。照射系统(照射器)IL配置用于调节辐射束B(例如,紫外(UV)辐射)。应该认识到的是,虽然本说明书提到的是光刻术,但是在不脱离本专利技术的范围的情况下,可以在显示系统(例如在LCD电视机或投影装置中)形成图案形成装置PD。因此,可以将投影的图案化束投影到许多不同类型的物体上,例如衬底、显示设备等。图案形成装置PD与控制器CR连接,控制器CR配置用以控制设置在图案形成装置上的图案。例如,控制器CR可以在图案形成装置PD上的一系列所需的图案之间转换。衬底台WT构造用于支撑衬底(例如涂覆抗蚀剂的衬底)W,并且与配置用于根据特定参数精确地定位衬底的定位装置PW相连。投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS,其配置用于将由单独可控元件的阵列调制的辐射束投影到衬底W的目标部分C上(例如包括一根或多根管芯)。应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统,包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合,如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。照射系统可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合,以引导、成形、或控制辐射。图案形成装置PD(例如掩模版或掩模或单独可控元件的阵列)调制所述束。通常,单独可控元件的阵列的位置相对于投影系统PS将是固定的。然而,也可以替代地连接到定位装置,该定位装置配置用以根据特定参数精确地定位该单独可控元件的阵列。这里所使用的术语“图案形成装置”或“对比度装置”应该被广义地理解-->为表示能够用于调制辐射束的横截面、例如以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种测量光刻设备中的像差的方法,所述方法包括步骤: 使用单独可控元件的阵列调制辐射束; 使用投影系统投影所调制的辐射束; 使用传感器探测所投影的辐射;和 测量在所探测的辐射束中的像差, 其中在所述单独可控元件的 阵列上设置图案以调制所述辐射束,其中所述图案具有重复的结构并且由多个特征形成,其中所述多个特征的尺寸形成为产生基本上充满投影系统的光瞳的所述辐射束的第一级衍射,并且其中所述传感器测量由所述投影系统投影的辐射中的干涉。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-6-14 11/763,2751.一种测量光刻设备中的像差的方法,所述方法包括步骤:使用单独可控元件的阵列调制辐射束;使用投影系统投影所调制的辐射束;使用传感器探测所投影的辐射;和测量在所探测的辐射束中的像差,其中在所述单独可控元件的阵列上设置图案以调制所述辐射束,其中所述图案具有重复的结构并且由多个特征形成,其中所述多个特征的尺寸形成为产生基本上充满投影系统的光瞳的所述辐射束的第一级衍射,并且其中所述传感器测量由所述投影系统投影的辐射中的干涉。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述特征随机地设置。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,邻近的特征彼此间隔开并且没有重叠。4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法,其中,所述特征测量小于的跨度,其中λ是辐射束的波长,而NA是投影系统的数值孔径。5.根据前面的权利要求中任一项所述的方法,其中,通过相消干涉所述特征基本上消除零级衍射辐射。6.根据权利要求5所述的方法,其中,基本上一半所述特征提供具有第一相的辐射,而基本上一半所述特征提供具有与所述第一相相反的第二相的辐射。7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述单独可控元件是具有相台阶的反射镜,并且其中基本上一半所述特征具有第一取向,而基本上一半所述特征具有相反取向。8.根据前面的权利要求中任一项所述的方法,其中,在所述辐射束的脉冲之间所述特征的位置发生改变。9.根据前面的权利要求中任一项所述的方法,其中,所述特征是盘形、方形、矩形或六边形的。10.根据前面的权利要求中任一项所述的方法,其中,所述图案具有规则地重复的浅色区域和深色区域。11.根据权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:JJM巴塞尔曼斯AJ布理克尔
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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