一种可分离的高低能Ｘ射线探测器制造技术

本实用新型专利技术专利公开了一种可分离的高低能Ｘ射线探测器，包括一低能探测器、一高能探测器，所述高能探测器设置在所述低能探测器下方，所述高能探测器与所述低能探测器之间设有一过滤片，所述过滤片设置在所述低能探测器的底部。本专利将高能探测器与低能探测器组装成高低能探测器，这样只要其中有一个探测器损坏，就可以直接更换，而不需要报废另外一个没有损坏的探测器。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种X射线探测器，尤指一种高能探测器与低能探测器可分离的X射线探测器。
技术介绍
目前，X射线探测器一般都由高能探测器与低能探测器一体化制作而成，由于需要在高能探测器与低能探测器之间设置一个过滤片，为了降低高低能探测器的体积，同时为了保证过滤的效果，往往使用高密度的钨片等作为过滤片，这样一来增加了成本；二来在使用中，一旦发现高低能探测器中的一个譬如高能探测器或者低能探测器损坏，都必须更换整个高低能探测器，这样就造成了极大的浪费，因为毕竟还有一个探测器是没有损坏可以继续使用的。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可分离的高低能X射线探测器，将高能探测器与低能探测器组装成高低能探测器，这样只要其中有一个探测器损坏，就可以直接更换，而不需要报废另外一个没有损坏的探测器。为了达到上述目的，本技术是通过如下技术方案实现的：一种可分离的高低能X射线探测器，包括一低能探测器、一高能探测器，所述高能探测器设置在所述低能探测器下方，所述高能探测器与所述低能探测器之间设有一过滤片，所述过滤片设置在所述低能探测器的底部或者所述过滤片设置在所述高能探测器的顶部。进一步地，所述低能探测器包括一电路板层、设置在电路板层上的硅片层，设置在硅片层上的探测层，所述电路板层向下引出两排管脚引线；所述高能探测器包括一电路板层，设置在电路板层下方的硅片层、设置在硅片层下方的探测层，所述电路板层向下引出两排管脚引线。进一步地，本专利的过滤片为铜片。本技术将独立的低能探测器与高能探测器组装成高低能探测器，由于不需要再考虑一体化设计时体积过大，这样就可以使用铜片作为过滤片，从而降低了成本。本专利设计的目的就在于将一体化的装置设计成两个独立的装置组装而成，这样其中任何一个装置损坏，只要进行替换就可以，从而大大节约了成本，避免了浪费。附图说明：图1是本技术的结构图；附图标号说明1-探测层  2-硅片层  3-电路板层  4-过滤铜片  5-电路板层6-硅片层  7-探测层  8-管脚引线  9-低能探测器  10-高能探测器-->具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明如图1所示，一种可分离的高低能X射线探测器，包括一低能探测器9、一高能探测器10，高能探测器10设置在低能探测器9下方，高能探测器10与低能探测器9之间设有一过滤铜片4，过滤铜片4设置在低能探测器9的底部或者高能探测器10的顶部。低能探测器9包括一电路板层3、设置在电路板层3上的硅片层2，设置在硅片层2上的探测层1，电路板层3向下引出两排管脚引线8；高能探测器10也同样包括一电路板层5，设置在电路板层5下方的硅片层6、设置在硅片层6下方的探测层7，电路板层5向下引出两排管脚引线8。本领域技术人员应该认识到，上述的具体实施方式只是示例性的，是为了使本领域技术人员能够更好的理解本专利内容，不应理解为是对本专利保护范围的限制，只要是根据本专利所揭示精神所作的任何等同变更或修饰，均落入本专利保护范围。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可分离的高低能Ｘ射线探测器，包括一低能探测器、一高能探测器，其特征在于：所述高能探测器设置在所述低能探测器下方，所述高能探测器与所述低能探测器之间设有一过滤片，所述过滤片设置在所述低能探测器的底部。

【技术特征摘要】
1.一种可分离的高低能X射线探测器，包括一低能探测器、一高能探测器，其特征在于：所述高能探测器设置在所述低能探测器下方，所述高能探测器与所述低能探测器之间设有一过滤片，所述过滤片设置在所述低能探测器的底部。2.一种可分离的高低能X射线探测器，包括一低能探测器、一高能探测器，其特征在于：所述高能探测器设置在所述低能探测器下方，所述高能探测器与所述低能探测器之间设有一过滤片，所述过滤片设置在所述高...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁石磊，董明，向霞，
申请(专利权)人：上海英迈吉东影图像设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]