具有临时固定杆的Ｘ射线发射箔片及其制备方法技术

本发明专利技术描述了一种发射器设备（１０）和一种用于将薄膜电子发射器箔片精确安装到阴极杯中的方法。因此，小的固定杆（７１）实现了在将这种构造固定到阴极杯上的过程中，保持精细因而脆弱的发射器结构的位置不变。在安装之后，去除（７２）这些临时结构以得到最终功能的发射阴极构造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于x射线管的快速强流电子源领域。特别地，本专利技术涉及用于带薄膜电子发射器的X射线管的发射器设备，以及在其应用于X射线管之前制备这种发射器的方法。
技术介绍
有关X射线源的高端CT和CV成像的未来需求是，更高的功率/管电 流，有关管电流(脉冲调制)的更短的响应时间以及用于更高图像质量的 更小的焦斑(FS)。在更小的FS中达到更高功率的一个关键是通过使用尖端的电子光学概 念来实现的。但电子源本身以及电子的起始状态同样重要。对于目前的高端管，使用直接加热的薄平发射器，其被构建成能够界 定导电路径并获得所需的高电阻。基本上，众所周知有包括所说明的特征 的两种不同的发射器设计具有圆形或矩形发射表面/发射段的发射器。两种类型中的第一种是具有平衡热传导支架的热离子发射器，例如在 US 6， 426, 587中对其进行了说明。 —通常，这些类型的发射器由于它们的从100pm到几百微米小的厚度而 具有小的热响应时间，并且由于其平坦度而能够保证足够的光学质量。在 目前最先进的X射线管中实现了此类设计的多种变型。由于具有上述设计的薄箔片和精细结构，导致其机械强度脆弱。在将 发射器箔片安装到固定于阴极杯内的端子上的过程中有可能发生发射器箔 片结构内的变形。结果可能是具有对构造的光学性能产生负面影响的狭缝 变宽，或者在最坏的情况下，导电路径出现短路，从而出现系统故障。电 流路径剧烈变化，会导致系统故障。因此，本专利技术的目的是提供一种可以避免在安装过程中发射器设备的 箔片变形的发射器设备。
技术实现思路
根据本专利技术，这一目的是通过使用包括箔片的发射器设备来实现的， 所述箔片至少具有适于发射电子的部分和适于稳定所述箔片的位置的可去 除的固定杆，其中，所述固定杆桥接所述箔片中的狭缝。这样，所述箔片由于其结构而在安装过程中通过固定杆得到稳定。在本专利技术的一个实施例中，所述箔片具有介于50pm和300nm之间的 范围，优选地，介于100pm和20(^m之间的范围的均匀厚度，其中，所述 固定杆是所述箔片的固体部分。根据本专利技术的另一优选变型，所述箔片由 钨或钩合金构成。此外，在本专利技术的另一实施例中，所述固定杆的第一端附接至所述箔 片的电子发射部分的第一边界区，而所述固定杆的第二端附接至所述箔片 电子发射部分的第二边界区，并且其中，所述第一和第二边界区布置成彼 此平行。根据本专利技术的另一优选实施例，所述固定杆的第一端附接至所述箔片 的电子发射部分的第一边界区，而所述固定杆的第二端附接至所述箔片的 非电子发射部分的第二边界区，并且其中，所述第一和第二边界区布置成 彼此平行。根据本专利技术的示例性实施例，将所述箔片设计成使所述非电子发射部 分至少部分地围绕所述电子发射部分。此外，根据本专利技术的另一示例性实施例，所述发射器设备包括多个均 适于稳定所述箔片的位置的可去除的固定杆；其中，所述固定杆桥接所述 箔片内的至少一个狭缝。根据本专利技术的示例性实施例，所述发射器设备还包括至少一个适于固 定所述箔片的端子。根据示例性实施例，本专利技术涉及一种包括根据其中一个所述实施例的 发射器设备的阴极设备。根据示例性实施例，本专利技术涉及包括根据其中一个所述实施例的发射 器设备的X线管。本专利技术在另一实施例中涉及一种用于对根据其中一个所述实施例的发射器设备进行制备的方法。所述方法包括将所述发射设备安装到至少一个 固定设定上以及去除所述箔片的所述固定杆的步骤。根据本专利技术的示例性实施例，通过激光烧蚀去除所述固定杆。 根据本专利技术的示例性实施例，通过对所述杆施加强电流而实现烧穿来 去除所述固定杆。根据本专利技术的示例性实施例，通过锯切来去除所述固定杆。 根据本专利技术的示例性实施例，通过腐蚀来去除所述固定杆。 值得一提的是，已经关于不同的主题描述了本专利技术的实施例。特别地， 已经关于装置类权利要求描述了一些实施例，而已经关于方法类权利要求 描述了其他实施例。然而，所属
的技术人员从上面和下面的描述 中将会获知，除非另有说明，除了属于一种主题的各特征的任意组合外， 同样涉及不同主题各特征之间的任意组合，特别是装置类权利要求的各特 征与方法类权利要求的各特征之间的任意组合被认为是在本申请中公开 了。从下文所述实施例的各示例中以及参考实施例各示例的解释中，本发 明如上定义的各个方面和其他方面将是显然的。本专利技术将参考实施例的各 示例在下文进行更详细地描述，但本专利技术并不限于此。本专利技术的这些和其他方面将参考下文所述的各实施例进行阐述并从这 些实施例中变得明显。附图说明在下文中将参照以下附图来描述本专利技术的示例性实施例。图1示出了具有矩形中央发射部分的普通直接加热第一发射器设备；图2以顶视图示出了根据图1的发射设备的箔片；图3以顶视图示出了狭缝变形的、根据图1的发射设备的箔片；图4示出了具有两个固定杆的发射器设备的第二箔片；图5示出了图1至4的箔片设计的机械原理构造；图6以顶视图示出了在去除两个固定杆之前的第三箔片及其切口以及 在去除两个固定杆之后的第三箔片及其切口 ；图7示出了在安装并去除固定杆之后的具有第四箔片和围框的发射设备；图8示出了在制备之前具有八个固定杆和其切口的完整箔片。 具体实施例方式图1示出了直接加热薄平发射器箔片1，其具有由适于发射电子的精细 构建的中央部分所形成的矩形发射表面。所述部分界定出导电路径和释放 足够的焦耳热所需的高电阻。将该箔片1固定到端子3上，例如通过在点4 处进行焊接而将箔片1固定到端子3上。此外，将箔片1分成三个回转段2， 以增加抵抗诸如CT系统扫描架上的离心力的外力的机械稳定性。图2更详细地示出了所述箔片。发射器的各段2被狭缝5所隔开。此 外，将固定于点41上的第一端子连接到地电势，将固定于点42上的第二 端子连接到相对于地电势的正电势。固定于其他点43上的两个端子处于电 浮接状态。因此，电流经黑色箭头所表征的导电路径6从点42流向点41。图3以顶视图示出了具有变宽的狭缝52的、根据图1的发射设备的箔 片。由于具有上述设计的薄箔片和精细结构，导致其机械强度脆弱。在将 发射器箔片安装到固定于阴极杯内的端子上的过程中有可能发生发射器箔 片结构内的变形。所示出的狭缝变宽52对这种构造的光学属性产生负面影 响，或者在最坏的情况下，导电路径61 (黑色箭头)内出现短路51。因此， 结果可能是系统故障。电流路径61剧烈变化，会导致系统故障。本专利技术避免了由于在安装过程中发射器箔片变形而导致的上述故障。图4示出了具有两个固定杆的发射器设备的第二箔片。通过增加桥接 临界狭缝(critical slit)的固定杆7，克服了上述有关安装过程中箔片变形 的问题。从这个角度讲，术语临界狭缝是指这些狭缝可以在外力作用 下发生明显变形，这种变形会导致这种构造的光学性质降低或者发射器完 全失灵。图5示出了具有图1到4的箔片设计的机械原理构造。发射器设计的 图5中的机械原理构造8示例性地图示出术语临界狭缝。所述构造8主 要受三个对图2的狭缝51、 52产生影响的长杆状杆91至93决定。外力， 例如安装过程中的外力被放大并集中到狭缝的底部，这产生高的压力水平。 由于杠杆状物的长度，在其末端可能产生大的位移(交叉线定理)。通过增加此处未示出的固定杆来消除所述杠杆状物的机械行为。增加固定杆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发射器设备，包括：　至少具有适于发射电子的部分的箔片；　适于稳定所述箔片的位置的可去除的固定杆；　其中，所述固定杆桥接所述箔片中的狭缝。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2007-6-1 07109397.51、一种发射器设备，包括至少具有适于发射电子的部分的箔片；适于稳定所述箔片的位置的可去除的固定杆；其中，所述固定杆桥接所述箔片中的狭缝。2、 根据权利要求1所述的发射器设备，其中，将所述固定杆的第一端附接至所述箔片的电子发射部分的第一边界区，而将所述固定杆的第二端附接至所述箔片的电子发射部分的第二边界区，并且其中，所述第一和第二边界区布置成彼此平行。 3、 根据权利要求1所述的发射器设备，其中，将所述固定杆的第一端附接至所述箔片的电子发射部分的第一边界区，而将所述固定杆的第二端附接至所述箔片的非电子发射部分的第二边界区，并且其中，所述第一和第二边界区布置成彼此平行。3、 根据权利要求3所述的发射器设备，其中，将所述箔片设计成使所述非电子发射部分至少部分地围绕所述电子发射部分。4、 根据前述任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：S胡特曼，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]