采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法技术

技术编号:4575358 阅读:252 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版的方法。在根据本发明专利技术的刻蚀玻璃或金属的方法中,由于负性光刻胶与金属或金属氧化物之间的粘合强度优异,光刻胶层不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀,所以不必制备反型光掩膜,制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源,从而确保了经济效益。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版(cliche)的方法。本申请要求享有于2007年9月21日在KIPO递交的第10-2007-0096589号韩国专利申请的优先权,其公开的内容以参考的方式全部引入本文。
技术介绍
胶印法是使特殊电子材料(例如导电胶、具有优异的光学性能的墨汁等) 图形化的一种方法,并且在进行胶印工艺的同时制备用于显示器的电子记录/ 成像/电路器件的基本部件,例如电路材料或彩色滤光片,而印刷版是实现以 上方法所必需的。此处,根据字典的含义,印刷版是被制成一种形状以使预定的实体容易 地插入其中,而在相关
中,其通常指一种包括不平坦部分的工具, 其用于转移电子材料的图形。已知的印刷版是通过以下方式制备的在其上沉积有铬的玻璃上涂敷正 性光刻胶,并使其图形化以刻蚀玻璃的表面,从而得到所需的形状。但是, 由于正性光刻胶和铬表面的粘附问题,存在的问题是,正性光刻胶被铬刻蚀 溶液腐蚀,或者当用玻璃制作印刷版时,对于用于刻蚀玻璃的氢氟酸的耐久 性差。另外,要求使用正性光刻胶时要形成的光掩膜为玻璃刻蚀部分的反型(inversetype)。因此,存在的问题是,当在其它工艺中需要通常的光掩膜时, 应另外制作昂贵的光掩膜。此外,如图2所示,印刷版通过包括多个步骤的复杂工艺来制备。另外, 由于通过使用单一波长的激光来对正性光刻胶进行曝光,对于曝光波长,通 常使用例如157nm、 193 nm、 248 nm等的深紫外或在短波长处的单一激光 束,例如I-线(365 nm)或G-线(436 nm),从而有成本高的缺点。专
技术实现思路
技术问题因此,为了解决上述问题,本专利技术的目的是提供一种刻蚀方法和用该方法制备印刷版的方法,在所述刻蚀方法中,由于对金属或金属氧化物表面的粘附强度优异,使用不会被在玻璃或金属的刻蚀过程中使用的金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀的负性光刻胶,所以不必制备反型光掩膜(inversephotomask),制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源而不使用单一激光束,从而确保了经济效益。技术方案为了实现上述目的,本专利技术提供了一种刻蚀玻璃的方法,该方法包括以下步骤 a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;d)刻蚀金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。此外,本专利技术提供一种刻蚀金属的方法,该方法包括以下步骤a)在金属上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;和d)刻蚀金属,该部分金属上未涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层。另外,本专利技术提供了一种使用所述刻蚀玻璃或金属的方法制备印刷版的方法。再有,本专利技术提供了采用所述制备印刷版的方法制备的印刷版。还有,本专利技术提供了一种在电子材料图形化中使用所述印刷版的方法。有益效果在采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法及使用该方法制备印刷版的方法中,由于金属或金属氧化物表面与负性光刻胶之间的粘附强度优异,负性光刻胶不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀,所以不必制备反型光掩膜,制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源而不使用单一激光束,从而确保了经济效益。附图说明图1为说明根据本专利技术的采用负性光刻胶刻蚀玻璃的方法的流程图;图2为说明采用已知的正性光刻胶制备印刷版的方法的流程图3为采用扫描电镜(Hitach S-4800)拍摄的根据本专利技术的采用负性光刻胶制备的印刷版的正面图片(比例2200:1);图4为显示图3中由左边的圈所指的部分的放大图片(比例9000:1);图5为在比较例中采用正性光刻胶制备的印刷版的图片(比例1000:1);以及图6为显示在实施例2中制备的印刷版的图片。具体实施例方式在下文中将详细描述本专利技术。本专利技术涉及在刻蚀金属层或金属氧化物层时用作掩膜的光刻胶,并且优选使用负性光刻胶。所述负性光刻胶为广泛用于制备在目前LCD彩色滤光片中使用的BM(黑矩阵)的光刻胶。因此,如果使用所述负性光刻胶刻蚀玻璃或金属,由于能够使用采用针对负性光刻胶的显影溶液的已知的彩色滤光片的生产线,所以能够经济有效地制备印刷版。通常,需要印刷版的胶印法是在LCD彩色滤光片和TFT电路中所用的下一代方法,其可降低成本和生产节拍时间(tacttime),并且考虑到LCD面板成本的降低,其可作为针对较低生产率的有效替代方案。因此,本专利技术提出了一种制备能够用在胶印法中的印刷版的新方法。也就是说,作为在已知彩色滤光片工艺中使用的光掩膜,使用负性光刻胶来有效地制备具有所需压纹图形的印刷版。首先,将描述根据本专利技术的刻蚀玻璃的方法。在根据本专利技术的刻蚀玻璃的方法中,在步骤a)中,优选玻璃的厚度在0.2 10mm的范围内。原因是,在玻璃具有上述厚度范围的情况下,在通常的LCD彩色滤光片制备方法中容易地进行光刻胶的刻蚀和图形化之后,其可提供能够承受覆盖层的压力的机械强度。金属可包括选自铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)中的一种或多种金属,但并不限于此。金属氧化物可包括选自氧化铬、氧化钼和氧化鸨中的一种或多种,但不限于此。在本专利技术中,在上述实例中,最优选使用铬或氧化铬。作为负性光刻胶,可以使用用于黑矩阵的黑色光刻胶、用于彩色滤光片的彩色光刻胶等。在此,作为黑色光刻胶和彩色光刻胶,可以使用包括颜料、碱溶性树脂粘合剂、具有烯键式不饱和双键的多官能单体、光敏引发剂、溶剂和添加剂且在本领域中已知的混合物。优选地,设计一种负性光刻胶,以使对由通常汞灯发射的所有波长的混合波束均发生光反应,例如,可以使用由LG化学株式会社(LG Chemicals, Co., Ltd.)生产的化学产品,例如HCR3410R、 HCR3 310G、 HCR3 210B、 BK73D1等,但不限于此。所述负性光刻胶层可以通过在金属层或金属氧化物层上旋涂、狭缝与旋转式涂布(slit and spin coating)、狭缝涂布、毛细管涂布等来形成,但不限于此。在步骤b)中,可以通过本领域中已知的方法进行负性光刻胶层的选择性曝光,例如,可以使用光掩膜来进行选择性曝光,但不限于此。当对负性光刻胶层进行选择性曝光时,可以使用例如包括1-线(365 nm)、H-线(405 nm)和G-线(436 nm)波长的混合波长的低分辨率光源。曝光可以在高压汞灯下实施,其中,以10 300mJ/cmS的曝光量、在1 100mW/cm2的强度下、在包括上述波长范围的200 800 nm的波长范围下进行曝光2 15秒。在此,曝光量根据光刻胶的敏感性而不同且优选200mJ/cm2。如果象已知技术一样使用在200 300 nm范围内的波长,由于上述波长范围不是单一波长而是通过使用滤光片等人工地使曝光机器的波长范围变窄而形成的波长,所以可在负性光刻胶中含有的光敏引发剂的种类受到限制,并且在曝光机器中需要特殊设备,例如滤光器(photofUter)。因此,存在工艺复杂及需要额外成本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种刻蚀玻璃的方法,其包括以下步骤: a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层; b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光; c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化; d)刻蚀 金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和 e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2007-9-21 10-2007-00965891、一种刻蚀玻璃的方法,其包括以下步骤a)在设置于玻璃表面上的金属层或金属氧化物层上形成负性光刻胶层;b)使所述负性光刻胶层选择性地曝光;c)使所述负性光刻胶层的未曝光部分显影从而使负性光刻胶层图形化;d)刻蚀金属层或金属氧化物层,该部分金属层或金属氧化物层上没有涂敷步骤c)中被图形化的负性光刻胶层;和e)刻蚀玻璃,该部分玻璃上没有涂敷步骤d)中被图形化的金属层或金属氧化物层。2、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括在步骤a)之前,在所述玻璃表面上形成金属层或金属氧化物层。3、 根据权利要求2所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤a)之前,所述金属层或金属氧化物层通过使用选自等离子体沉积、电子束沉积和热沉积中的任意一种方法而被沉积到玻璃表面上。4、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括在歩骤e)之后,除去所述负性光刻胶层。5、 根据权利要求4所述的刻蚀玻璃的方法,其进一步包括在除去所述负性光刻胶层的步骤之后,除去所述金属层或金属氧化物层。6、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述玻璃的厚度在0.2 10mm的范围内。7、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述金属包括选自铬、钼和钨中的一种或多种。8、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述金属氧化物包括选自氧化铬、氧化钼和氧化钨中的一种或多种。9、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,所述负性光刻胶为选自黑色光刻胶和彩色光刻胶中的任意一种。10、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在所述金属层或金属氧化物层上,采用选自旋涂法、狭缝与旋转式涂布法、狭缝涂布法和毛细管涂布法中的任意一种方法来形成所述负性光刻胶层。11、 根据权利要求1所述的刻蚀玻璃的方法,其中,在步骤b)中,所述曝光在200 800 nm的...

【专利技术属性】
技术研发人员:金志洙田景秀崔庚铢李基罗李承宪申东明
申请(专利权)人:LG化学株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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