本发明专利技术提供一种图像显示装置，其将驱动元件的（Ｖ↓［ｔｈ］）漂移量按照每个像素进行均一化。该图像显示装置具有：由通电而发光的发光元件（Ｄ１）、与发光元件（Ｄ１）连接并对发光元件（Ｄ１）进行发光控制的驱动元件（Ｑ１）、和对驱动元件（Ｑ１）的阈值电压进行检测并根据检测出的阈值电压来控制向驱动元件（Ｑ１）的施加电压的控制器（Ｕ１），控制器（Ｕ１），根据阈值电压与规定的阈值的比较结果，在发光元件（Ｄ１）的非发光时，对驱动元件（Ｑ１）施加成为反偏压的电压或成为正偏压的电压。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有发光元件的。
技术介绍
近来，很多研究者关注着使用了场致发光(electroluminescence)发 光元件(以下称为"发光元件")的图像显示装置或照明装置。特别地，图像显示装置是由多个像素构成、且各像素包含有以规定的 电流值发光的发光元件。此外，各像素包括控制发光元件的亮度的薄膜晶 体管(TFT: Thin Film Transistor )。 TFT例如由非晶硅、多晶硅所形成。由非晶硅所形成的TFT (a-Si TFT)，经过长时间的使用，其栅极阈 值(以下称为"W)上升。该上升被称为a-Si TFT的"Vth漂移"。Vth 漂移的进行的速度取决于a-Si TFT的用途或工作条件。例如，当如液晶显示屏那样地将a-Si TFT作为开关来使用时，由于 只有极短时间在a-Si TFT中流过脉冲状的电流，所以Vth漂移的进行缓慢。 另一方面，当如有机发光图像显示面板那样地将a-Si TFT作为有机发光 元件的驱动元件来使用时，由于在a-Si TFT中需要流过很大的稳定电流， 所以Vth漂移的进行很快。a-Si TFT的Vth漂移，对图像产生两个坏影响。其一是由于Vth漂移 的进行是按照每个像素而不同，从而使图像的均一性变差。另一个是Vth 漂移变大，其结果是，超出Vth的检测范围，使像素的亮度降低。另一方面，存在被称为Vth补偿的电路技术(例如，参照非专利文献 1 )。其是通过构成检测a-Si TFT的Vth漂移而在该Vth漂移中重叠视频信 号的电路，从而获得与Vth的变动无关的均一的图像的技术。指出若进行 Vth补偿，则能够将Vth的影响縮小到1/5 1/10左右。非专利文献l: S. Onoetal.， Proceedings of ID W ，03， 255 (2003)然而，能够补偿Vth的范围是有限度的，若超出了Vth的范围，则由于Vth的变化而引起的像素的亮度变化会快速地进行。此外，即使Vth的变动在补偿范围内，也由于Vth漂移的进行是按照 每个像素而不同，从而难以在各像素中进行适当的Vth补偿。
技术实现思路
本专利技术的一种方式为一种图像显示装置，具有发光元件，其通过通 电进行发光；驱动元件，其与所述发光元件连接，并对该发光元件的发光 进行控制；以及控制单元，其对所述驱动元件的阈值电压进行检测，并根 据该检测出的阈值电压来控制向该驱动元件的施加电压，所述控制单元， 根据所述阈值电压与规定的阈值的比较结果，在所述发光元件的非发光 时，对所述驱动元件施加成为反偏压的电压或成为正偏压的电压。本专利技术的另一种方式为一种图像显示装置的驱动方法，该图像显示装 置具有发光元件，其通过通电进行发光；以及驱动元件，其与所述发光 元件连接，并对该发光元件进行发光控制，所述驱动方法包括使所述发 光元件发光的步骤；对所述驱动元件的阈值电压进行检测的步骤；以及根 据所述阈值电压与规定的阈值的比较结果，当所述发光元件的非发光时对 所述驱动元件施加成为反偏压的电压或成为正偏压的电压的步骤。根据本专利技术的，能够抑制驱动元件的阈值 电压超出检测范围，并能够使像素电路的可靠性提高。此外，根据本专利技术的，驱动元件的阈值电 压的漂移量按照每个像素被均一化，能够改善图像显示装置的图像的均一 性。附图说明图1是表示与本专利技术的优选实施方式的图像显示装置的一个像素对 应的像素电路的构成例的示意图。图2是表示对发光元件进行发光/非发光控制时的驱动波形的一个示 例的示意图。图3是表示驱动元件Ql的栅极-源极间电压Vgs与漏极-源极间电流 (Ids) 1/2的关系(V-I"2特性)的示意图。图4是表示Vth漂移均一化处理的一个示例(第一方法)的流程图。 图5是表示Vth漂移均一化处理的一个示例(第二方法)的流程图。图6是表示Vth漂移均一化处理的一个示例(第三方法)的流程图。 图7是表示与图1不同的像素电路的结构例的示意图。 图8是表示与图1、图7不同的像素电路的结构例的示意图。 图9是表示与图1、图7以及图8不同的像素电路的结构例的示意图。 图10是表示Vth检测时的驱动元件的栅极-源极间电压Vgs与检测时 间的关系的图表。图ll是表示将图10的图表的纵轴用栅极-源极间电压Vgs与阈值电压 Vth的电位差来进行了表示的图表。图12是表示应用本专利技术的一方法来使图像信号线的电位上升/下降时 的栅极-源极间电压Vgs的变化的图表。图中Dl、 D2、 D3、 D4 —发光元件，Ql、 Q2、 Q3、 Q4—驱动元件， Q3b —开关元件，Ul、 U2、 U3、 U4—控制器。具体实施例方式以下，根据附图详细地说明本专利技术的的优 选实施方式。而且，本专利技术并不局限于以下的实施方式。本实施方式的图像显示装置，具有以矩阵状所配置的多个图像电路， 各像素电路具有发光元件以及驱动元件。图1表示与本专利技术的优选实施方式的图像显示装置的一个像素对应的像素电路的示意图。该图中所示的像素电路，为了易于理解驱动元件 Ql的工作而被简化。图l所示的像素电路，具有发光元件D1、与发光元件D1串联连接 的驱动元件Ql、对驱动元件Q1进行控制的控制器U1。驱动元件Q1， 是如a-SiTFT那样的晶体管。发光元件D1，例如是有机发光元件。发光 元件D1的阳极端，与施加电压较高一侧的端子(以下称为"VP端子") 连接，阴极端连接于驱动元件Ql的漏极端子。另一方面，驱动元件Ql 的源极端子与施加电压较低一侧的端子(以下称为"VN端子")连接， 栅极端子连接于控制器U1的输出端子。控制器U1，是用于通过对驱动元件Q1的栅极电压进行控制来对驱动元件Q1施加反偏压电压的控制单元。控制器U1，例如由一个或多个TFT、电容器等的电容元件、对TFT 进行控制的控制线、以及提供图像信号电位的图像信号线构成。而且，图 1所示的连接结构，是将发光元件Dl与驱动元件Ql的漏极端子连接并 对驱动元件Q1的栅极端子进行控制的"电压控制型"的结构，称为"栅 极控制/漏极驱动"。接着，针对图1所示的像素电路的工作进行说明。具有发光元件的像 素电路， 一般地，经过准备期间、Vth检测期间、写入期间以及发光期间 这四个期间进行工作。首先，在准备期间，在发光元件Dl (更详细而言，是发光元件Dl 自身具有的寄生电容)中积蓄规定的电荷。而且，在此期间在发光元件 Dl中积蓄电荷的理由，是由于当驱动元件Q1的Vth检测时，供给电流直 到驱动元件Q1的漏极-源极间电流成为零。接着，在Vth检测期间，VP端子与VN端子被设定为大致同一电位， 此时产生的驱动元件Ql的栅极-源极电压即Vth被存储/保持于控制器U1 内的电容元件(省略图示)等中。由此检测出Vth。而且，在该电容元件 中存储/保持Vth的工作，是利用在准备期间在发光元件D1中所积蓄的电 荷来进行的。而且，在写入期间，在Vth检测期间所检测出的Vth中重叠了图像数 据信号的规定电压，被存储/保持于省略了图示的控制器Ul内的电容元件 (与存储/保持Vth的电容元件相同也可，不同也可)等中。最后，在发光期间，将在写入期间所存储/保持的规定电压施加给驱 动元件Q1，由此控制发光元件D1的发光。控制器Ul，根据规定这一系列工作的规定顺序来控制发光元件Dl 中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种图像显示装置，具有： 发光元件，其通过通电进行发光； 驱动元件，其与所述发光元件连接，并对该发光元件的发光进行控制；以及 控制单元，其对所述驱动元件的阈值电压进行检测，并根据该检测出的阈值电压来控制向该驱动元件的施加电压， 所述控制单元，根据所述阈值电压与规定的阈值的比较结果，在所述发光元件的非发光时，对所述驱动元件施加成为反偏压的电压或成为正偏压的电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：高杉亲知，莲见太朗，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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