清洁硅电极组件表面的装置，其控制或消除对该电极组件粘合材料可能的化学侵蚀，并避免在酸处理、喷淋清洗、吹干、烘烤、装袋过程中用手接触待处理部件。该装置的方面包括一个套件，该套件包括固定电极组件的电极载台、允许接触该电极组件的处理支架、将该电极组件夹持于该电极载台的星形板、在该电极的酸清洗过程中向该电极组件的背侧供应氮气的氮气吹扫板、将水供应到该电极正表面的水漂洗板、供应氮气以干燥该电极组件的吹干板以及在将干净的电极组件装袋之前的烘烤过程中支撑该电极组件的烘烤支架。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体处理装置的组合喷淋头电极组件的清洁硬件糾
技术介绍
等离子体处理装置通过4吏用包^^'J蚀、物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积(CVD )、离子注入和光阻除去等技术来 处理基片。用于等离子体处理的一种类型的等离子体处理装置包括 包含上下电极的反应室。在电极间建立电场以将处理气体激励到等 离子态以在该反应室中处理基片。
技术实现思路
依照本专利技术的 一个方面，l是供一种用于清洁用于等离子 体处理装置的组合喷淋头电极的装置和方法。用于清洁等离子体反应室的组合喷淋头电极的清洁套 件，其中该组合喷淋头电极包括粘着于铝支承板的硅板，该套件包 含电极载台，其支撑该组合喷淋头电才及，该石圭^反朝上；处理支架， 其具有底部和多个啮合该电极载台并支撑该电才及载台的支柱；固定 于该电极载台的第 一侧的第 一板和一个或多个固定构件，该固定构 件啮合该铝板以支撑该组合喷淋头电极，该娃板露出以对其进行清 洁；第二板，其固定于该电极载台的该第一侧以便该第一板位于该 第二板和该组合喷淋头电极之间的空间，该第二板包括啮合该电极 载台的该第一侧的密去于垫以及进气口 ，通过该进气口S夸气体在一定 压强下引入以^f吏其流入该铝4反中的气孑L并流出该石圭板中的相应气 孔，该第二^反允许在对该石圭才反的暴露表面的进4亍酸清洗的过程中将气体流过该气孔；第三才反，其固定于该电才及载台的第二侧，该石圭才反 朝上，该第三板包括啮合该电极载台的密封垫和进水口，通过该进 水口将水在一 定压强下引入，以使其流入该硅板中的气孔并流出该 铝板中的相应气孔，该第三才反允许^f氐压水流过该气孔以在清洁该石圭 表面之后用水漂洗该组合喷淋头电极；干燥支架，其具有底部框架 和多个柱，该底部一匡架支撑该电极载台和该组合喷、淋头电才及以1"更可-淋头电才及；以及第四^反，其包括啮合该底部4医架的密封塾和进气口 ， 通过该进气口 3夸气体在一定压强下引入，以流入该石圭才反中的气孔并 流出该铝冲反中的相应气孔，该第四4反允许气体在水漂洗步骤之后干 燥该组合喷'淋头电才及。在另一个实施方式中，4是供一种^f吏用上述清洁套件清洁 等离子体处理装置的组合喷'淋头电4及组件的方法，该方法包括在电 极载台中支撑该组合喷淋头电极，在处理支架上放置该电极载台， 固定该第一板，固定该第二板，将气体引入该第二板中的该进气口， 同时对该硅板的暴露表面进行酸清洗，移除该第一和第二板，固定 该第三板并将水Sl导通过该第三板中的进水口以漂洗该气孔，移除 该第三才反并将该电才及载台》文在该底部4匡架上，乂人该组合喷'淋头电招^ 移除该电极载台，将第四板固定于该干燥支架的柱上，将气体引入 该第四板中的该进气口以干燥该组合喷淋头电极，移除该第四板， 并将该组合喷淋头电极放入干燥箱中并支撑在该底部框架上。附图说明图1显示了固定组合喷淋头电极的电极载台(electrode carrier)的一个实施方式。图2A和2B显示了该电才及载台的另一个实施方式的详细视图。图3显示了图l中的该电才及载台和电才及，具有处理支架 (treatment stand )的 一个实施方式。图4显示了将该电才及保持在该载台上的星形^反(spider plate)的一个实施方式。图5A和5B显示了该星形^1的两个详细一见图。图6显示了安装在该电极载台上的图4中所示的该星形板的纟田节。图7显示了图1的该电极载台，其中图4的星形板背离该处 理支架和氮气吹扫板安装。图8显示了图7中的安装在该星形4反上方的该电4及载台上 的该p欠4s一反的细节。图9显示了图3的该电才及载台、电4及和处5里支架，该电极 载台的星形板安装侧面对该处理支架和水漂洗才反的一个实施方式。图IO显示图l的该电才及载台和电才及以及干燥支架的一个实施方式。图11显示了图10所示的4九道支柱(rail supports)的详细视图。图12显示了被部分移除的图10的该电极载台和放在该干 燥支架的轨道支柱上的该电极。图13显示了安装在图12的该干燥支架上的电极上方的氮 气p欠干—反(blow dry plate )的一个实施方式。ii具体实施例方式提供用于清洁硅电极组件表面的装置，其控制或消除酸 处理、喷淋清洗、吹干、烘烤和装袋过程中对电极组件粘合材料可 能的化学^f曼蚀并消除与纟寺清洁部件的直4妾处理4妾触。该电才及组件可 能是新的、用过的或修复过的。还提供清洁硅电极组件的方法。在半导体基片的等离子体处理过程中，希望使由室的组 件引入该等离子体处理室的微粒的数量最少化。这种微粒(称为"添 加物，，)可能沉积在该基片上并因而减少处理产量。等离子体处理室可以包括上电才及组件和面对该上电极组 件并具有下电极的基片支架。例如，该上电极可以是喷淋头电极组 件。喷淋头电极组件可能是微粒的来源。这种组件可以包括电极板 和固定于该电极板的支撑构件，比如支承板。该电极板和支承板可 以具有气体通道，处理气体通过这些气体通道被引入该等离子体处 理室中。例如，该支岸4反可以是由铝制成的。例如，该电招^反可以 是由石圭制成的。该电才及氺反可以由粘着剂(比如弹性体(elastomeric ) 粘合材料)粘着于该支承才反。该电极板和/或该支承板可能是^f鼓粒的来源。在制造该电 极组件的过程中，该微:粒可能来自不同的来源。例如，该樣t粒可能 来自该铝支承板的制造、该电极板和/或支承板的预粘着污染物、粘 着过程、操作和不足的清洁以及包装。该微粒可能是无机物(例如 石墨或金属)或有才几物。控制集成电路制造过程中半导体晶片表面上的微粒污染 物对于达成可靠的器件并获得高成品率是必要的。微粒在晶片表面 上的存在可能局部破坏光刻和刻蚀步骤中该处的图形转换(pattern transfer)。结果，这些孩史粒可能带来包括门结构、金属间电介质层或金属互连线在内的关键特征的缺陷，并导致集成电路元件的失灵或故障。提供增强的清洁方法，其能够显著减少上电极组件(比 如喷淋头电才及组件)上的孩i粒凄t量。该装置的实施方式可用于清洁新的、使用过的或修复过 的支承4反和电才及组件。此处所述的"新的"支岸^反和电极组件没有 用于在等离子体处理室中处理过半导体基片；"用过的"支承板和 电极组件用于在等离子体处理室中处理过支承才反和电才及组件；而 "修复过的，，支承板和电极组件用于在等离子体处理室中处理过半 导体基片，而且该电4及板^皮后续处理(例如抛光)过，以除去在等 离子体处理过程中在该硅电极板的底部表面(与等离子体接触)上 形成的不想要的表面污染和/或表面结构，例如黑硅，或不平整的表 面区域。根据情况，可以抛光该电极板的整个底部表面或该底部表 面的 一部分。石圭电招j反可以一t修复一次或多次。例如，该电才及组件的电招J反可以是由石圭(优选地，单晶 硅)或碳化硅构成的。该电极板通常是圆形的，直径可以是例如200 毫米、300毫米或更大。该电极板可以有任何合适的厚度，比如从 约0.25英寸到约0.5英寸。例如，该支承板可以是由石墨或铝构成的。 该支承板通常是圓形的且其尺寸与该电极4反的形状和尺寸相应。该 电才及组件可以包4舌围绕该内部组合喷'淋头电才及的外部电才及(比如外部环)和围绕该支7f^反的外部支撑构^牛(比如外部支撑环)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于清洁等离子体反应室的组合喷淋头电极的清洁套件，其中该组合喷淋头电极包括粘着于铝支承板的硅板，该套件包含： 电极载台，其支撑该组合喷淋头电极，该硅板朝上； 处理支架，其具有底部和多个啮合该电极载台并支撑该电极载台的支柱； 固定于该电极载台的第一侧的第一板和一个或多个固定构件，该固定构件啮合该铝板以支撑该组合喷淋头电极，该硅板露出以对其进行清洁； 第二板，其固定于该电极载台的该第一侧以便该第一板位于该第二板和该组合喷淋头电极之间的空间，该第二板包括 啮合该电极载台的该第一侧的密封垫以及进气口，通过该进气口将气体在一定压强下引入以使其流入该铝板中的气孔并流出该硅板中的相应气孔，该第二板在对该硅板的暴露表面的进行酸清洗的过程中允许气体流过该气孔； 第三板，其固定于该电极载台的第二侧， 该硅板朝上，该第三板包括啮合该电极载台的密封垫和进水口，通过该进水口将水在一定压强下引入，以使其流入该硅板中的气孔并流出该铝板中的相应气孔，该第三板允许低压水流过该气孔以在清洁该硅表面之后用水漂洗该组合喷淋头电极； 干燥支架，其具有底 部框架和多个柱，该底部框架支撑该电极载台和该组合喷淋头电极以便可以将该电极载台从该组合喷淋头电极移除而不用手接触该组合喷淋头电极； 第四板，其包括啮合该底部框架的密封垫和进气口，通过该进气口将气体在一定压强下引入，以流入该硅板中的气孔 并流出该铝板中的相应气孔，该第四板允许气体在水漂洗步骤之后干燥该组合喷淋头电极。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰森奥古斯蒂诺，查尔斯瑞星，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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