ＴＥＭ模式谐振器制造技术

一种ＴＥＭ模式谐振器，该谐振器包括：由导电的腔室壁限定的可调谐腔室，该腔室壁包括接地面、电容面和在接地面与电容面之间延伸的围绕壁；导电的谐振器构件，其位于腔室内且从接地面到电容面延伸部分路程；谐振器构件靠近电容面的一部分包括凹陷部，该凹陷部在其内具有孔；调谐机构，其在可调谐腔室外，该调谐机构包括穿过所述孔延伸到可调谐腔室内的调谐臂，且该调谐机构适于使调谐臂朝向和远离电容面位移，位于腔室内的调谐臂的至少一部分是调谐元件，该调谐元件是金属或电介质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种TEM模式谐振器。更具体地，但并不唯一地，本 专利技术涉及一种在可调谐腔室内具有谐振器构件的TEM模式谐振器，该 谐振器构件具有凹陷部和调谐臂，凹陷部在其内具有孔，调谐臂穿过 该孔延伸到该腔室内，以调谐该腔室。
技术介绍
对于根据系统构型远程调谐由谐振腔室构成的微波滤波器存在很 多需求。在存在大功率需求的发射器中，电子调谐机构使信号失真， 并且因此通常使用机电的方法完成调谐。 一个常用的方法是使用能够 电子获取精确位置信息的步进电机。典型地，步进电机使调谐杆穿过孔位移进入和离开调谐腔室，以 调谐谐振器。调谐杆和孔之间的间隙导致了微波信号的泄漏。US 7,078,990 Bl公开了一种复杂的机构来克服这种问题，该机构增加了成 本且降低了可靠性。
技术实现思路
根据本专利技术的TEM模式谐振器试图克服这种问题。因此，在第一方面，本专利技术提供一种TEM模式谐振器，该谐振器包括可调谐腔室，其由导电的腔室壁限定，该腔室壁包括接地面、电 容面和在接地面与电容面之间延伸的围绕壁；导电的谐振器构件，其位于腔室内，并且从接地面向电容面延伸 部分路程；谐振器构件靠近电容面的一部分包括凹陷部，该凹陷部中其内具 有孔；调谐机构，其在可调谐腔室外，该调谐机构包括穿过该孔延伸到 可调谐腔室内的调谐臂，且该调谐机构适于使调谐臂朝向和远离电容 面位移，腔室内的调谐臂的至少一部分是调谐元件，该调谐元件金属或电 介质。调谐臂穿过孔延伸，该孔位于导电的谐振器构件上的凹陷部内。 因而，该孔在该可调谐腔室内屏蔽电场，并且因此微波信号不会从可 调谐腔室泄漏。优选地，调谐臂是电介质。可替代地，调谐臂是金属。优选地，调谐臂沿其长度具有一致的横截面。调谐臂能够包括调谐元件和在调谐元件与调谐机构之间延伸的调 谐杆，调谐元件的横截面大于该杆的横截面。调谐元件能够是盘。调谐杆能够是金属、电介质或塑性材料中的任一种。 调谐元件能够是电介质。优选地，调谐杆和调谐元件两者都是电介质材料，调谐元件的介 电常数大于调谐杆的介电常数。可替代地，调谐元件是金属。优选地，调谐元件在其靠近电容面的面中包括凹陷部。优选地，调谐机构适于使调谐元件从至少部分地位于谐振器构件 凹陷部内的縮回位置朝向电容板位移至伸出的位置。优选地，调谐臂适于使谐振器的谐振频率是位于可调谐腔室内的 调谐臂的位置的线性函数。优选地，调谐机构被布置在谐振器构件内。附图说明现在参考附图通过仅示例但没有任何限定意义的例子来描述本发 明，其中图1以示意性视图示出已知的TEM模式微波谐振器； 图2示出用于图1的等效电路；图3以横截面示出根据本专利技术的TEM模式谐振器；图4是用于具有金属调谐臂的图3实施例的谐振频率关于调谐臂位移量的曲线图5是用于具有电介质调谐臂的图3实施例的谐振频率关于调谐臂位移量的曲线图6以横截面示出根据本专利技术的TEM模式谐振器的又一实施例； 图7是用于图6实施例的谐振频率关于调谐臂位移量的曲线图； 图8以横截面示出根据本专利技术的TEM模式谐振器的又一实施例；以及图9示出用于图8实施例的谐振频率关于调谐臂位移量的曲线图。 具体实施例方式图1中示出TEM模式微波谐振器1的示意性视图。微波谐振器1 包括可调谐腔室2，该腔室由接地面3、电容面4和在接地面与电容面 之间延伸的围绕壁5限定。接地面3、电容面4和围绕壁5全部是导电6的。谐振器构件6位于该可调谐腔室2内。谐振器构件6从接地面3 向电容面4延伸部分路程。在该示例中，可调谐腔室2和谐振器构件6 两者都是圆柱形的。其它变型是可能的，例如可调谐腔室2或谐振器 构件6两者中的一个是矩形。围绕壁5包括输入端和输出端(未示出)，用于微波的进入和输出。谐振器构件6和围绕壁5作为由接地面3在一端短路的传输线。 在该传输线的另一端，电容面4和谐振器构件6的端部作为电容。图2 中示出用于图1的谐振器1的等效电路。图2的电路的谐振频率取决于谐振器1的长度以及电容面4与谐 振器构件6之间的有效电容。增加所述长度和所述有效电容中任何一 个都会降低谐振器1的谐振频率。已知的是，通过可调谐腔室2内的调谐臂(未示出)(典型是电 介质或金属)的位移来调谐这种谐振器1。调谐臂穿过可调谐腔室2内 的孔延伸至可调谐腔室2外的调谐机构(未示出)，该调谐机构使调 谐臂发生位移。微波能量穿过调谐臂与围绕壁5之间间隙中的孔漏出。图3中以横截面示出根据本专利技术的TEM模式谐振器1。除了谐振 器构件6包括靠近电容面4的凹陷部7之外，谐振器1与图1的谐振 器类似。孔8位于凹陷部7内。调谐臂9穿过孔8延伸。位于可调谐 腔室2外的调谐机构10使调谐臂9位移进入和离开可调谐腔室2，以 调谐谐振器1。在该实施例中，调谐臂9是具有一致横截面的电介质杆。在可替代的实施例中，调谐臂9是具有一致横截面的金属杆。在可替代的实 施例(未示出)中，也可能是具有不一致横截面的调谐臂9。通过改变调谐臂9的横截面(该横截面作为沿着臂9的位置的函数)，能够调节谐振频率关于调谐臂位移量的曲线的形状，如下面更加详细描述那 样。因为孔8在谐振器构件6中的凹陷部7内被屏蔽，因而微波能量 不会穿过该孔漏出。另外，利用该几何形状，调谐机构10能够布置在 谐振器构件6中，从而减小该谐振器/调谐机构组件的大小。图4中以示意性形式示出具有金属调谐臂9的谐振器1的谐振频 率。当金属调谐臂9朝向电容面4移动时，两者之间的电容增加，从 而降低了谐振频率。当调谐臂9接近电容面4时，谐振频率迅速降低， 当两者接触时达到零。图5中示出(这次是具有电介质调谐臂9的)类似的曲线图。由 于具有电介质调谐臂9，谐振频率随调谐臂位移的变化更加线性。图6中示出根据本专利技术的TEM谐振器1的又一实施例。在该实施 例中，调谐臂9包括调谐元件11和在调谐元件11与调谐机构10之间 延伸的调谐杆12。调谐元件11是具有比调谐杆12的横截面更大的横 截面的盘。盘的尺寸设置成配合在凹陷部7内。调谐机构IO适于使盘 11从至少部分地在凹陷部7内的位置位移至更靠近电容面4的向前的 位置。在该实施例中，调谐杆12和调谐元件11两者都是电介质材料， 调谐元件11具有比调谐杆12更大的介电常数。在可替代的实施例中， 调谐元件11能够是电介质或金属中的任一种。类似地，在其它实施例 中，调谐杆12能够是塑性材料、电介质或金属中的任一种。8在其它实施例中，调谐元件11的横截面能够是其它的形状，例如 方形。图7中示出用于图6实施例的谐振频率作为位移量的函数的曲线 图。曲线的精确形状取决于调谐杆12和调谐元件11部分的相对尺寸 和介电常数。图8中示出根据本专利技术的TEM模式谐振器1的又一实施例。在该 实施例中，调谐元件11在靠近电容面4的面内包括凹陷部13。图9中 示出谐振频率作为调谐臂位置的函数的结果曲线图。该曲线图大约介 于图7和图5的曲线图之间。通过正确选取调谐元件11和调谐杆12 部分的尺寸，调谐频率随着调谐臂9位置的变化的速率能够布置为在 调谐臂9的大范围的位移上保持近似恒定。权利要求1.一种TEM模式谐振器，包括可调谐腔室，其由导电的腔室壁限定，所述腔室壁包括接地面、电容面和在所述接地面与所述电容面之间延伸的围绕壁；导电的谐振构件，其位于所述腔室内，并且从所述接地面到所述电容面延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＴＥＭ模式谐振器，包括：　可调谐腔室，其由导电的腔室壁限定，所述腔室壁包括接地面、电容面和在所述接地面与所述电容面之间延伸的围绕壁；　导电的谐振构件，其位于所述腔室内，并且从所述接地面到所述电容面延伸部分路程；　所述谐振器构件靠近 所述电容面的一部分包括凹陷部，所述凹陷部在其内具有孔；　调谐机构，其在所述可调谐腔室外，所述调谐机构包括穿过所述孔延伸到所述可调谐腔室内的调谐臂，且所述调谐机构适于使所述调谐臂朝向和远离所述电容面位移，　位于所述腔室内的所述调谐臂的至少 一部分是调谐元件，所述调谐元件是金属或电介质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼古拉斯阿彻，克里斯托弗伊恩莫布斯，
申请(专利权)人：埃瑟泰克电子有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]