【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种优化光刻胶厚度的方法。
技术介绍
1、在集成电路制造技术中，光刻工艺是其中的关键工艺。随着半导体技术的发展，对光刻关键尺寸的要求越来越高，因此，如何控制关键尺寸的稳定成为光刻工艺中越发重要的问题。光刻胶的厚度对光刻过程是至关重要的，光刻胶的厚度不同，曝光时光刻胶的反射率也就不同，从而影响到光刻胶图形的关键尺寸和边缘粗糙度，最终影响到半导体器件的工作性能，在光刻领域将光刻图形的关键尺寸与光刻胶厚度之间的关系曲线称为关键尺寸摇摆曲线，并通过该曲线评估光刻胶的厚度进而稳定关键尺寸。
2、目前获取上述关键尺寸摇摆曲线的工艺技术中，通常需要10片至20片的晶圆，每片晶圆分别旋涂有一定厚度的光刻胶，再对这些晶圆进行曝光和显影，然后测量不同晶圆所对应的关键尺寸，以得到关键尺寸摇摆曲线。但这一工艺技术所需的晶圆数量较多，且光刻胶用量较大，增加了测试时间和成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种优化光刻胶厚度的方法，以解决现有技术中制作关键尺寸摇摆曲线所需测试时间较长、测试成本较高的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种优化光刻胶厚度的方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶层，且位于不同曝光区域的所述第一光刻胶层的厚度不同；获取每一所述曝光区域中的所述第一光刻胶层的厚度值；对各所述曝光区域进行逐个曝光及显影，并将掩膜版上的掩膜图形转移至各所述曝光区域，其中，对各所述曝光区域进行曝光的曝光参数相同；以及，测量各所
3、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中形成所述第一光刻胶层的方法包括：在所述半导体衬底上形成第一光刻胶薄膜，在所述第一光刻胶薄膜上形成第二光刻胶薄膜；对所述第二光刻胶薄膜进行曝光，其中，对每一所述曝光区域的曝光能量不同；对所述第二光刻胶薄膜进行显影以形成第二光刻胶层，不同曝光区域的第二光刻胶层的厚度不同；以及，对所述第一光刻胶薄膜执行刻蚀工艺，以将所述第二光刻胶层位于不同所述曝光区域的厚度转移至所述第一光刻胶薄膜，以形成所述第一光刻胶层。
4、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，调整对每一所述曝光区域的曝光能量不同，并调整所述曝光区域的曝光能量沿所述半导体衬底的径向呈阶梯分布。
5、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层为不同类型的光刻胶层。
6、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，在所述第一光刻胶薄膜和所述半导体衬底之间涂布第一抗反射层，和/或，在所述第二光刻胶薄膜和所述第一光刻胶薄膜之间涂布第二抗反射层。
7、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，所述刻蚀工艺包括氧气等离子体刻蚀工艺。
8、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，所述掩膜版包括多种所述掩膜图形，多种所述掩膜图形在所述掩膜版上以行或列的形式依次排布。
9、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，所述掩膜图形包括孤立线、孤立沟槽、密集线、密集沟槽或孔。
10、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，利用膜厚测量仪测量每一所述曝光区域中的所述第一光刻胶层的厚度值；利用线宽扫描测试电子显微镜测量各所述曝光区域中的相同所述掩膜图形的关键尺寸。
11、优选的，在优化光刻胶厚度的方法中，，将所述光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线中最高点对应的光刻胶厚度值或最低点对应的光刻胶厚度值作为光刻胶厚度的优选值。
12、综上所述，本专利技术通过在半导体衬底上形成第一光刻胶层，并使得位于不同曝光区域的所述第一光刻胶层的厚度不同，接着在各所述曝光区域形成掩膜图形，再测量各所述曝光区域中的相同所述掩膜图形之间的关键尺寸，根据关键尺寸以及对应的光刻胶厚度制作光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线，并根据所述光刻胶后度和关键尺寸关系曲线调整光刻胶厚度，由此实现通过单个半导体衬底采集不同光刻胶厚度及其对应的关键尺寸以调整光刻胶厚度，相比于现有技术中利用10片至20片的半导体衬底，可节约成本，简化工艺步骤和时间，节省人力。
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1.一种优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，形成所述第一光刻胶层的方法包括：
3.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，调整对每一所述曝光区域的曝光能量不同，并调整所述曝光区域的曝光能量沿所述半导体衬底的径向呈阶梯分布。
4.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层为不同类型的光刻胶层。
5.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括氧气等离子体刻蚀工艺。
7.如权利要求1所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，所述掩膜版包括多种所述掩膜图形，多种所述掩膜图形在所述掩膜版上以行或列的形式依次排布。
8.如权利要求7所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，所述掩膜图形包括孤立线、孤立沟槽、密集线、密集沟槽或孔。
9.如权利要求1所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，利用膜厚测
10.如权利要求1所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，将所述光刻胶厚度和关键尺寸关系曲线中最高点对应的光刻胶厚度值或最低点对应的光刻胶厚度值作为光刻胶厚度的优选值。
...【技术特征摘要】
1.一种优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，形成所述第一光刻胶层的方法包括：
3.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，调整对每一所述曝光区域的曝光能量不同，并调整所述曝光区域的曝光能量沿所述半导体衬底的径向呈阶梯分布。
4.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层为不同类型的光刻胶层。
5.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求2所述的优化光刻胶厚度的方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括氧气等离子体刻蚀工艺。
7.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡航，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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