【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及半导体器件、功率器件以及功率模块。
技术介绍
1、已知具有半导体芯片通过金属间化合物与铜部件接合的结构的功率器件。
2、现有技术文献
3、非专利文献
4、非专利文献1：“evaluation of ag-sinter and cusn-tlp base joiningtechnologies on lead frame”，a.otto，et.al.，proc.pcim europe2018(2018)，691-698.
5、非专利文献2：“reliability modeling of sn-ag transient liquid phasedie-bonds for high-power sic devices”，a.a.bajwa and j.wilde，microelectronicsreliability，60(2016)，116-125.
6、非专利文献3：“formation of initial defects in solid-liquid reactiondiffusion bonding of cu using sn film”，s.fukumoto，et.al.，proc.mses2017(2017)，61-64.
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、提高半导体器件的可靠性。
3、用于解决问题的手段
4、实施方式的半导体器件具备半导体
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1.一种半导体器件，其具备：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层设置在所述半导体芯片与铜层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层进一步包含镍(Ni)、金(Au)及钯(Pd)中的至少一种以上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步具备设置在所述半导体芯片与所述第一导电层之间的第二导电层，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层包含AgSn相和CuSn相。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述AgSn相包含Ag3Sn和Ag5Sn中的至少一种，
7.一种功率器件，其具备：
8.根据权利要求7所述的功率器件，其中，所述半导体器件进一步具备设置于所述焊盘与所述端子之间的第三导电层，
9.一种功率模块，其具备：
10.一种半导体器件，其具备：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一导电层进一步包含金属层，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件，其具备：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层设置在所述半导体芯片与铜层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层进一步包含镍(ni)、金(au)及钯(pd)中的至少一种以上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步具备设置在所述半导体芯片与所述第一导电层之间的第二导电层，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层包含agsn相...
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