【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管封装元件检测方法，特别涉及一种提供发光二极管封装元件剖面的检测方法。
技术介绍
1、发光二极管因其体积小、寿命长、节能高效等优点，广泛应用于照明、显示等领域。发光二极管具有多种封装结构，其中常见的插件式发光二极管(lamp led)具有3毫米、5毫米、圆形、凹形、椭圆及方形等多元种类，可普遍应用于消费性产品、家电、交通标志、户外显示屏和工业设备等应用。
2、请参阅图1所示，其显示常见的插件式发光二极管封装元件。此类插件式发光二极管封装元件1的基本组成包括一发光二极管晶粒10、一支架20及一封装载体30。其中，发光二极管晶粒10固定于支架20上，支架20具有两独立电极端分别电性连接至发光二极管晶粒10的阳极与阴极，封装载体30包覆发光二极管晶粒10和部分支架20。
3、为有效控制上述发光二极管封装元件的生产品质，需对此封装元件进行失效分析，其中一种常见的分析方式为采用研磨与离子束切削方式对发光二极管封装元件进行剖面切削，并切削至发光二极管晶粒以形成发光二极管封装元件中各元件间的剖面，通过剖面的分析找出上述封装元件中各元件间的不良状态及其可能发生的原因，进而提出产品改善方案。
4、然而，上述研磨切削发光二极管封装元件后，经常发生封装元件内各元件间有彼此分离的现象。如图2所示，图中清楚显示封装载体30与支架20间、银胶40与支架20间、银胶40与发光二极管晶粒10间均有裂痕产生。然而，这些裂痕究竟为发光二极管封装元件的制程异常导致。抑或是上述研磨切削剖面的检测过程所导致，
5、为克服上述问题，业界亟需一种创新的检测方法，减少封装元件中因不当研磨切削所导致的非预期裂痕，以期能真正地判断出封装元件生产制程的异常原因，减少因检测过程不当研磨切削发生的裂痕影响异常判断。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种创新的发光二极管封装元件检测方法，减少封装元件中因不当研磨切削所导致的非预期裂痕，减少因检测过程不当研磨切削发生的裂痕影响异常判断，正确地判断出封装元件生产制程的异常原因。
2、为达上述目的，本专利技术提供一种发光二极管封装元件检测方法，包含：提供一发光二极管封装元件，其中发光二极管封装元件包含一发光二极管晶粒、一支架及一包覆载体。发光二极管晶粒设置于支架上，支架的高度高于发光二极管晶粒的高度，而且，包覆载体包覆发光二极管晶粒及部分的支架。接着，去除部分包覆载体以裸露发光二极管晶粒的上表面。
3、于一实施方案中，本专利技术提供的发光二极管封装元件检测方法，进一步包含去除发光二极管晶粒一侧面的部分包覆载体。
4、于一实施方案中，本专利技术提供的发光二极管封装元件检测方法，进一步包含以离子束抛光发光二极管晶粒，以形成发光二极管封装元件的一剖面。
5、于一实施方案中，本专利技术提供的发光二极管封装元件检测方法，其中去除部分包覆载体以裸露发光二极管晶粒的上表面的步骤为以砂轮研磨去除发光二极管晶粒上表面的部分包覆载体。
6、于一实施方案中，本专利技术提供的发光二极管封装元件检测方法，其中去除发光二极管晶粒一侧面的部分包覆载体的步骤为以砂轮研磨去除发光二极管晶粒一侧面的部分包覆载体。
7、于一实施方案中，本专利技术提供的发光二极管封装元件检测方法，其中发光二极管封装元件进一步包含一导电胶，用以将发光二极管晶粒固定于支架上。
8、于一实施方案中，本专利技术提供的发光二极管封装元件检测方法，其中发光二极管晶粒可以是一水平式发光二极管晶粒或一垂直式发光二极管晶粒二者其中之一。
9、在参阅附图及随后描述的实施方式后，此
普通技术人员便可了解本专利技术的其他目的，以及本专利技术的技术手段及实施方案。
【技术保护点】
1.一种发光二极管封装元件检测方法，包含：
2.如权利要求1所述的发光二极管封装元件检测方法，进一步包含去除该发光二极管晶粒一侧面的部分该包覆载体。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装元件检测方法，进一步包含以离子束抛光该发光二极管晶粒，以形成该发光二极管封装元件的一剖面。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装元件检测方法，其中去除部分该包覆载体以裸露该发光二极管晶粒的上表面的步骤为以砂轮研磨去除该发光二极管晶粒上表面的部分该包覆载体。
5.如权利要求2所述的发光二极管封装元件检测方法，其中去除该发光二极管晶粒一侧面的部分该包覆载体的步骤为以砂轮研磨去除该发光二极管晶粒一侧面的部分该包覆载体。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装元件检测方法，其中该发光二极管封装元件进一步包含一导电胶，用以将该发光二极管晶粒固定于该支架上。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装元件检测方法，其中该发光二极管晶粒可以是一水平式发光二极管晶粒或一垂直式发光二极管晶粒二者其中之一。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装元件检测方法，包含：
2.如权利要求1所述的发光二极管封装元件检测方法，进一步包含去除该发光二极管晶粒一侧面的部分该包覆载体。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装元件检测方法，进一步包含以离子束抛光该发光二极管晶粒，以形成该发光二极管封装元件的一剖面。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装元件检测方法，其中去除部分该包覆载体以裸露该发光二极管晶粒的上表面的步骤为以砂轮研磨去除该发光二极管晶粒上表面的部分该包覆载...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈智鸿，郭惠祯，
申请(专利权)人：台亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。