【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及光半导体装置。
技术介绍
1、随着近年各种信息终端的普及、信息的云端化等，数据通信量正在急剧增大。为了应对增大的数据通信量的需求，光纤通信的基站内的传输速度的高速化以及大容量化不断发展。
2、作为光纤通信的长距离光通信用光源，使用作为光半导体装置的一种的、将半导体激光器部与光调制器部单片集成的带光调制器的半导体激光装置(electro-absorptionmodulator laser diode：eml-ld)。光调制器部是外部调制器的一种，且相对于对激光束强度进行直接调制的直接调制方式，信号波形的劣化少，能够进行高速并且长距离的光纤传输。
3、在eml-ld中，在由分布反馈式激光器(distributed feedback laser diode：dfb-ld)构成的半导体激光器部与由电场吸收型光调制器(electro-absorption modulator：eml)构成的光调制器部的结合部(对接)中，在从半导体激光器部入射的激光束中未被波导至光调制器部的光吸收层的散射光，从光调制器部的出射端面向外部射出而成为泄漏光，表现为输出光的侧峰，成为eml-ld的光轴调整的障碍或成为消光比、即光的开/关状态下的光强度比的降低的主要因素。eml-ld越以高输出动作、则从eml-ld向外部射出的泄漏光的强度也越增大，因此产生消光比越来越降低的不良情况。
4、专利文献1：日本特开平03-77386号公报
5、为了防止eml-ld中的消光比的降低，例如，在专利文献1所述的半导体发光
6、在专利文献1所述的半导体发光装置的光调制器部设置的遮蔽膜，以遮蔽从光吸收层以外的出射端面输出的泄漏光的方式发挥功能。能够通过遮蔽膜在光调制器部的出射端面可靠地遮蔽泄漏光，因此发挥增大光调制时的消光比的效果。
7、然而，为了在光调制器部的输出端面设置遮蔽膜，在输出端面的整个面形成金属膜之后，需要掩蔽开口部以外的部分并通过离子蚀刻等进行去除的精细的加工，但输出端面上的加工的难度非常高，难以维持作为遮蔽膜所需的加工精度。因此，在再现性良好地制造泄漏光小、即消光比高的光半导体装置这点存在问题。
技术实现思路
1、本公开是为了解决上述那样的问题所做出的，目的在于即使在高输出驱动时，也能获得消光比高的光半导体装置。
2、本公开的光半导体装置，具有形成于共同的半导体基板上的半导体激光器部以及光调制器部，其中，
3、所述半导体激光器部具备以下各层：
4、分别为由iii-v族半导体混晶构成的第一导电型的下部包层、发射激光束的活性层、以及设置有初级衍射光栅的第二导电型的上部包层，
5、所述光调制器部具备：
6、至少一部分由含有bi的iii-v族半导体混晶构成，并吸收从所述活性层入射的所述激光束的光吸收层；和
7、与所述光吸收层的下表面及上表面的任一方的面对置的散射光吸收层、或者与所述光吸收层的下表面及上表面分别对置的一对散射光吸收层。
8、根据本公开的光半导体装置，设置于光调制器部的散射光吸收层吸收向光吸收层波导的波导光以外的散射光，因此能够防止由散射光引起的消光比的降低，进而通过光吸收层含有bi，从而也能够同时抑制因散射光吸收层对散射光的吸收而产生的热所产生的光吸收层内的空穴的堆积引起的消光比的降低，因此发挥获得消光比高的光半导体装置的效果。
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1.一种光半导体装置，具有形成于共同的半导体基板上的半导体激光器部以及光调制器部，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的光半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的光半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的光半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的光半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的光半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求8所述的光半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求9所述的光半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光半导体装置，具有形成于共同的半导体基板上的半导体激光器部以及光调制器部，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述...
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