【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，尤其涉及一种芯片封装性能测试方法。
技术介绍
1、近年来，汽车雷达技术格局发生重大变化，尤其是在毫米波雷达半导体封装和3d波导天线领域，从最初的微带贴片天线到3d波导天线，一直在推动着毫米波雷达技术的发展。
2、较为先进的封装技术是各大厂商重点研究对象，其中封装上装载(lop)技术是封装将芯片的信号通过封装基板转换为波导形式，之后再通过外接金属波导连接3d天线，实现电磁波的低损耗高效率传输，搭配3d波导天线，可以使雷达拥有更出色的距离探测和目标识别的能力。
3、在传统的封装中，mmic(单片微波集成电路)中的信号通过bga(焊锡球)传输到pcb(印制电路板)上，再经过微带线过渡到天线中，这个信号传输过程中，信号有四次转换损耗，如“裸片-封装基板-bga-pcb-天线”转换损耗，而封装上装载(lop)技术中，信号可以仅有两次“裸片-封装基板-3d波导天线”转换损耗，减少了信号损失，提高了整体信噪比。
4、然而，专利技术人在研究中发现，目前毫米波雷达芯片的性能测试，主要涉及的是整体产品级测试雷达的探测距离、天线的辐射功率、回波中频信号等参数，缺少针对封装结构的性能测试方法，从而无法对封装上装载(lop)技术中的转换损耗进行量化，对于采用封装上装载(lop)技术得到的毫米波雷达芯片的信号损失的减少、整体信噪比的提升的能力难以有效确定。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种芯片封装性能测试方法，以解决无法针对芯片封装结构的封
2、本申请提供的一种芯片封装性能测试方法，包括：
3、获取待测芯片封装结构的芯片的第一损耗值；
4、在波导传输组件没有与所述待测芯片封装结构对应连接的状态下，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述波导传输组件的第二损耗值；
5、保持所述待测芯片封装结构与所述波导传输组件对应连接，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述待测芯片封装结构以及所述波导传输组件的第三损耗值；
6、基于所述第一损耗值、所述第二损耗值和所述第三损耗值，确定所述待测芯片封装结构的封装损耗。
7、在一些实施例中，所述矢量网络分析装置包括矢量网络分析仪以及校准元件；所述获取待测芯片封装结构的芯片的第一损耗值，包括：
8、通过所述校准元件对所述矢量网络分析仪进行校准；
9、在探针台上对探针卡进行标校，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述探针卡连接，通过所述矢量网络分析仪获取所述探针卡的损耗值l1；
10、将所述待测芯片封装结构的芯片置于所述探针台上，保持所述探针卡与所述芯片电连接，通过所述矢量网络分析仪获取芯片和探针卡的总损耗值l2；
11、基于探针卡的损耗值l1以及芯片和探针卡的总损耗值l2，确定所述芯片的第一损耗值。
12、在一些实施例中，所述矢量网络分析装置包括矢量网络分析仪以及校准元件，所述波导传输组件包括电路板、定位件以及波导同轴转换器，所述在波导传输组件没有与所述待测芯片封装结构对应连接的状态下，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述波导传输组件的第二损耗值，包括：
13、在所述定位件没有与所述电路板连接的状态下，保持所述波导同轴转换器与所述定位件连接，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述波导同轴转换器连接，通过所述矢量网络分析仪获取所述定位件的损耗值l3；
14、在所述电路板没有与所述定位件连接的状态下，保持所述波导同轴转换器与所述电路板连接，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述波导同轴转换器连接，通过所述矢量网络分析仪获取所述电路板的损耗值l4。
15、在一些实施例中，所述保持所述待测芯片封装结构与所述波导传输组件对应连接，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述待测芯片封装结构以及所述波导传输组件的第三损耗值，包括：
16、保持所述电路板、所述定位件以及所述波导同轴转换器连接，保持所述待测芯片封装结构与所述电路板连接，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述波导同轴转换器连接，通过所述矢量网络分析仪获取所述待测芯片封装结构、所述电路板以及所述定位件的总损耗值l5。
17、在一些实施例中，所述基于所述第一损耗测量值、所述第二损耗测量值和所述第三损耗测量值，确定所述待测芯片封装结构的封装损耗，包括：
18、通过l5-l4-l3-芯片的第一损耗值，得到所述封装损耗l6。
19、在一些实施例中，当所述待测芯片封装结构具有n个对称设置的信号传输路径时，通过l6/n，得到单个信号传输路径的损耗值。
20、在一些实施例中，所述保持所述波导同轴转换器与所述定位件连接，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述波导同轴转换器连接，包括：
21、保持两个所述波导同轴转换器分别通过所述电缆与所述矢量网络分析仪连接；
22、通过两个所述波导同轴转换器夹紧所述定位件，并使两个所述波导同轴转换器的转换器波导分别与所述定位件的定位件波导对应连接。
23、在一些实施例中，所述定位件的数量为多个，所述通过两个所述波导同轴转换器夹紧所述定位件，并使两个所述波导同轴转换器的转换器波导分别与所述定位件的定位件波导的两端对应连接，包括：
24、多个所述定位件堆叠设置，且多个所述定位件的定位件波导沿堆叠方向依次对应连接；
25、通过两个所述波导同轴转换器夹紧多个堆叠设置的定位件，两个所述波导同轴转换器的转换器波导分别与在堆叠方向上位于外侧的两个所述定位件的定位件波导对应连接。
26、在一些实施例中，所述保持所述波导同轴转换器与所述电路板连接，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述波导同轴转换器连接，包括：
27、保持两个所述波导同轴转换器分别通过所述电缆与所述矢量网络分析仪连接；
28、通过两个所述波导同轴转换器夹紧所述电路板，并使两个所述波导同轴转换器的转换器波导分别与所述电路板的电路板波导的两端对应连接。
29、在一些实施例中，还包括：
30、提供多个同类型的所述待测芯片封装结构，针对每个所述待测芯片封装结构分别获取所述第一损耗值、所述第二损耗值和所述第三损耗值；
31、基于对应的所述第一损耗值、所述第二损耗值和所述第三损耗值，确定各个所述待测芯片封装结构的封装损耗；
32、基于多个所述待测芯片封装结构的封装损耗，判断测试结果是否准确。
33、相较于现有技术，本专利技术提供的芯片封装性能测试方法至少具有以下有益效果：
34、通过分别获取芯片的第一损耗值、波导传输组件的第二损耗值、以及待测芯片封装结构与波导传输组件的第三损耗值，利用第三损耗值减去第一损耗值和第二损耗值，即可得到待测本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片封装性能测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述矢量网络分析装置包括矢量网络分析仪以及校准元件；所述获取待测芯片封装结构的芯片的第一损耗值，包括：
3.根据权利要求1所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述矢量网络分析装置包括矢量网络分析仪以及校准元件，所述波导传输组件包括电路板、定位件以及波导同轴转换器，所述在波导传输组件没有与所述待测芯片封装结构对应连接的状态下，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述波导传输组件的第二损耗值，包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述保持所述待测芯片封装结构与所述波导传输组件对应连接，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述待测芯片封装结构以及所述波导传输组件的第三损耗值，包括：
5.根据权利要求4所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述基于所述第一损耗测量值、所述第二损耗测量值和所述第三损耗测量值，确定所述待测芯片封装结构的封装损耗，包括：>
6.根据权利要求5所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，当所述待测芯片封装结构具有n个对称设置的信号传输路径时，通过L6/n，得到单个信号传输路径的损耗值。
7.根据权利要求3所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述保持所述波导同轴转换器与所述定位件连接，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述波导同轴转换器连接，包括：
8.根据权利要求7所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述定位件的数量为多个，所述通过两个所述波导同轴转换器夹紧所述定位件，并使两个所述波导同轴转换器的转换器波导分别与所述定位件的定位件波导的两端对应连接，包括：
9.根据权利要求3所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述保持所述波导同轴转换器与所述电路板连接，保持所述矢量网络分析仪通过所述电缆与所述波导同轴转换器连接，包括：
10.根据权利要求1所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装性能测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述矢量网络分析装置包括矢量网络分析仪以及校准元件；所述获取待测芯片封装结构的芯片的第一损耗值，包括：
3.根据权利要求1所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述矢量网络分析装置包括矢量网络分析仪以及校准元件，所述波导传输组件包括电路板、定位件以及波导同轴转换器，所述在波导传输组件没有与所述待测芯片封装结构对应连接的状态下，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述波导传输组件的第二损耗值，包括：
4.根据权利要求3所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述保持所述待测芯片封装结构与所述波导传输组件对应连接，保持所述矢量网络分析装置通过电缆与所述波导传输组件连接，获取所述待测芯片封装结构以及所述波导传输组件的第三损耗值，包括：
5.根据权利要求4所述的芯片封装性能测试方法，其特征在于，所述基于所述第一损耗测量值、所述第二损耗...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁婷婷，陈高鹏，刘梦莹，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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