System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种陶瓷多层膜镀膜装置制造方法及图纸_技高网
当前位置: 首页 > 专利查询>合肥大学专利>正文

一种陶瓷多层膜镀膜装置制造方法及图纸

技术编号:45039702 阅读:3 留言:0更新日期:2025-04-18 17:23
本发明专利技术公开了一种陶瓷多层膜镀膜装置,属于镀膜技术领域,解决了现有装置靶材的位置相对固定,无法根据基材多层镀膜需求进行灵活调整切换,影响镀膜的均匀性和一致性的问题,包括装置主体、基材放置组件、溅射靶材部、辅助调整组件,镀膜箱内设置有镀膜室、驱动盖板,靶材切换部包括切换电机、切换联动部、靶材导向座、切换推杆、间歇导电件;本发明专利技术中设置有靶材切换部以及辅助调整组件,靶材切换部的自动切换机制使得不同类型的溅射靶基材能够灵活地移动到正对陶瓷基材上方的位置,无需停机即可完成切换。协同配合的靶材切换部和辅助调整组件能够确保溅射粒子以最佳能量和角度沉积在基材表面。增强了膜层与基材之间的附着力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于镀膜,具体涉及一种陶瓷多层膜镀膜装置


技术介绍

1、陶瓷是指所有以黏土为主要原料与其他天然矿物原料经粉碎、混炼、成型、烧结等过程而制成的各种材料和制品,同时由于陶瓷基板具有良好的绝缘和导热性能,在电子元器件封装和特殊线路板领域具有广阔的运用前景,陶瓷基板金属化成为近年来的研究热点,陶瓷基板金属化技术主要包括共烧法(htcc/ltcc)、厚膜法(tfc)、直接敷铜法(dbc)、直接敷铝法(dba)及薄膜法(dpc)等,磁控溅射镀膜技术作为一种高效的物理气相沉积(pvd)方法,在陶瓷金属化领域具有显著的优势,磁控溅射可以使用多种材料作为靶材,包括金属、合金、氧化物、氮化物等,能够满足不同陶瓷金属化的需求,在陶瓷镀膜时真空镀膜室是常用的镀膜设备/装置。

2、而在传统的镀膜装置中,靶材的位置通常固定,无法根据基材的形状和尺寸进行灵活调整。导致靶材与基材之间的距离难以优化,从而影响镀膜的均匀性和一致性,同时,中国专利cn115386848b公开了一种多靶直流磁控溅射镀膜装置及其在沉积陶瓷基底多层金属膜中的应用。所述多靶直流磁控溅射装置的结构:镀膜室内于底部上工件架,工件架的上部设有第一至第五靶材、离子源、加热管;镀膜室的顶部设有三流量计;真空抽气系统包括粗抽系统和精抽系统,用于对镀膜室抽真空;测量系统包括设于镀膜室上的第一热电偶传感器和第二热电偶真空计;控制系统包括第一热电偶真空计控制单元、第一分子泵控制器、第一至第五溅射靶材电源、第一离子源电源和第一偏压电源;但是现有装置虽然配备了多个靶材,但是靶材的位置相对固定,无法根据基材多层镀膜需求进行灵活调整切换,固定位置难以保证靶材始终位于基材的中心区域,导致靶材与基材之间的距离无法优化,影响镀膜的均匀性和一致性,针对上述问题,我们提出了一种陶瓷多层膜镀膜装置。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于针对现有技术的不足之处,提供一种陶瓷多层膜镀膜装置,解决了现有装置靶材的位置相对固定,无法根据基材多层镀膜需求进行灵活调整切换,固定位置难以保证靶材始终位于基材的中心区域,影响镀膜的均匀性和一致性的问题。

2、本专利技术是这样实现的,一种陶瓷多层膜镀膜装置,所述陶瓷多层膜镀膜装置包括:

3、装置主体,装置主体包括镀膜箱,镀膜箱内设置有镀膜室、驱动盖板;

4、可移动的基材放置组件,所述基材放置组件设置于镀膜室底部,用于承托镀膜基材;

5、至少一组溅射靶材部,所述溅射靶材部设置在镀膜室顶部,溅射靶材部连接有靶材切换部,靶材切换部设置于驱动盖板内,用于切换调整溅射靶材部的位置;

6、辅助调整组件,所述辅助调整组件安装在驱动盖板上,辅助调整组件分别与溅射靶材部、基材放置组件连接,辅助调整组件用于辅助调整所述溅射靶材部、基材放置组件的位置;

7、其中,靶材切换部包括切换电机、切换联动部、靶材导向座、切换推杆、间歇导电件,切换电机固定安装在驱动盖板上,靶材导向座固定设置于驱动盖板内侧,并承托所述切换联动部,切换推杆固定于靶材导向座内,且切换推杆与间歇导电件固定连接,间歇导电件与溅射靶材部导电连接。

8、优选地,所述装置主体还包括:

9、箱支座,所述箱支座固定安装在镀膜箱下方,且箱支座与镀膜箱之间固定连接;

10、负压排气口,负压排气口开设在驱动盖板上;

11、工作气体导管,所述工作气体导管固定安装在镀膜箱的一侧,且工作气体导管用于向镀膜室内鼓入工作气体和反应气体,所述镀膜箱的侧壁可拆卸安装有基材取放座以及靶材取放座。

12、优选地,所述切换联动部包括:

13、第一齿轮,所述第一齿轮转动安装在驱动盖板内,第一齿轮的一侧与切换电机的输出端固定连接;

14、至少一组第二齿轮,所述第二齿轮转动设置在靶材导向槽内,靶材导向槽开设于靶材导向座内,第二齿轮之间啮合传动,且任一一组所述的第二齿轮与第一齿轮啮合传动;

15、至少一组靶材容纳槽,靶材容纳槽开设在所述第二齿轮内,靶材容纳槽内滑动安装有连接滑块,连接滑块的底部通过连接导向条与靶材导向槽滑动连接,连接滑块的顶部可拆卸连接有溅射靶材部。

16、优选地,所述溅射靶材部包括:

17、靶材导电座,所述靶材导电座与连接滑块可拆卸连接,靶材导电座远离连接滑块的一端转动连接有靶材保护座;

18、第三齿轮,所述第三齿轮固定套设于靶材保护座底部;

19、第四齿轮,第四齿轮转动设置于靶材导向座内,且第四齿轮与第三齿轮之间啮合传动,第四齿轮还与辅助调整组件连接;

20、靶材安装座,所述靶材安装座可拆卸安装在靶材保护座内,靶材安装座内可拆卸安装有溅射靶基材;

21、靶材保护部,所述靶材保护部设置于靶材保护座内,靶材保护部用于保护溅射靶基材。

22、优选地,所述靶材保护部包括:

23、辅助阴极,所述辅助阴极固定安装在靶材导电座的端部,辅助阴极用于向溅射靶基材施加负电压,辅助溅射靶基材的原子溅射;

24、n型半导体,固定安装于靶材导电座内;

25、至少一组p型半导体,设置在n型半导体的一侧,用于与n型半导体配合吸收靶材保护座内热量;

26、金属连接片,所述金属连接片设置在靶材保护座内,用于连接n型半导体、p型半导体;

27、螺旋扰流条,所述螺旋扰流条固定安装在靶材导电座的端部,螺旋扰流片用于对靶材保护座内气体扰流,并对溅射靶基材辅助降温。

28、优选地,所述辅助调整组件包括:

29、辅助电机,所述辅助电机固定安装在驱动盖板上;

30、与辅助电机输出端固定连接的辅助驱动轴,所述辅助驱动轴远离辅助电机的一端延伸至镀膜室内,并与基材放置组件连接;

31、辅助联动部,所述辅助联动部与辅助驱动轴连接,辅助联动部用于驱动第四齿轮,辅助联动部包括第一转轮、第二转轮和传动带,所述第一转轮固定套设在辅助驱动轴的外壁,第二转轮转动安装在驱动盖板上,第二转轮通过连接杆与第四齿轮固定连接,第一转轮与第二转轮之间通过传动带转动连接;

32、加热调整部,所述加热调整部设置于镀膜室内,加热调整部包括第五齿轮、联动齿圈,联动齿圈转动安装在镀膜室内,且镀膜室内周向设置有至少一组电加热棒,电加热棒可拆卸安装在联动齿圈内,联动齿圈的一侧与第五齿轮啮合传动,第五齿轮固定套设于辅助驱动轴上。

33、优选地,所述基材放置组件包括:

34、基材放置架,所述基材放置架活动设置在镀膜室底部,基材放置架内开设有至少一组基材容纳槽;

35、联动平移座,所述联动平移座滑动安装在镀膜箱内,联动平移座与基材放置架滑动连接;

36、平移联动部,平移联动部设置在镀膜室内,且平移联动部分别与联动平移座、辅助驱动轴连接,平移联动部用于平移驱动所述基材放置架。

37、优选地,所述基材放置架包括:

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述装置主体还包括:

3.如权利要求1所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述切换联动部包括:

4.如权利要求3所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述溅射靶材部包括:

5.如权利要求4所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述靶材保护部包括:

6.如权利要求4所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述辅助调整组件包括:

7.如权利要求6所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述基材放置组件包括:

8.如权利要求7所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述基材放置架包括:

9.如权利要求7所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述平移联动部包括:

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述装置主体还包括:

3.如权利要求1所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述切换联动部包括:

4.如权利要求3所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:所述溅射靶材部包括:

5.如权利要求4所述的陶瓷多层膜镀膜装置,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:余洋明飞梅琳孙矗丽鲁翠萍
申请(专利权)人:合肥大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1