【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种套刻误差量测图形。
技术介绍
1、套刻误差(overlay，ovl)是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置精度。进行套刻误差量测后，需要利用sso(smart sampling overlay)生成整片晶圆的套刻误差量测图形(overlay map)，然后根据套刻误差量测图形建立套刻误差观测分析模型(overlay model)以观测并分析套刻误差。套刻误差量测图形中具有与曝光区一一对应的量测区，每个量测区内会选取一些套刻误差的量测点，而不会选取所有的量测点，目前，业界在每个量测区选取的量测点都是随机的，导致整个套刻误差量测图形中的量测点的分布不均匀，从而导致得到的套刻误差观测分析模型不精准。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种套刻误差量测图形，以解决现有的套刻误差量测图形中量测点的分布不均匀的问题。
2、为了达到上述目的，本申请提供了一种套刻误差量测图形，包括多个阵列分布的量测区，一个所述量测区对应一个曝光场，每个所述量测区按照4种减点模式中的一者在正常量测点集合中减少n个量测点，n大于或等于1，在多个连续的所述量测区构成的预定区域内，4种所述减点模式按照四色定理分布。
3、可选的，所述量测区包括完整量测区、部分完整量测区和不完整量测区，所述完整量测区为能够完全曝光的量测区，所述部分完整量测区为曝光率大于第一预定值的量测区，所述不完整量测区为曝光率小于或等于所述第一预定值的量测区，所述预定区域为所述完整量测区
4、可选的，所述第一预定值为40％～60％。
5、可选的，所述正常量测点集合至少包括位于所述量测区的每个顶点上的量测点。
6、可选的，4种所述减点模式均包括至少减少所述量测区的顶点上的量测点，4种所述减点模式分别减少不同的顶点上的量测点。
7、可选的，所述正常量测点集合至少包括位于所述量测区的每条边上的量测点，4种所述减点模式还均包括减少所述量测区中与减少的顶点不相交的至少一条边上的至少一个量测点。
8、可选的，所述正常量测点集合至少包括位于所述量测区内部的量测点，4种所述减点模式还均包括减少所述量测区内部的至少一个量测点。
9、可选的，在所述量测区内部减少的量测点与减少的顶点所在的对角线的距离小于第二预定值。
10、可选的，在所述量测区内部减少的量测点与减少的顶点所在的对角线的距离最小。
11、可选的，选取4种所述减点模式中能够留下最多有效的量测点的一者为所述不完整量测区的减点模式；若能够留下最多有效的量测点的所述减点模式至少有两种，则选取有效的量测点在所有所述量测区中的总数量与所有所述量测区中的量测点的总数量的占比的平均数中较小的一者为所述不完整量测区的减点模式；若有效的量测点在所有所述量测区中的总数量与所有所述量测区中的量测点的总数量的占比的平均数相同的所述减点模式至少有两种，则选取符合四色定理的一者为所述不完整量测区的减点模式。
12、可选的，所述量测区内具有横纵交错分布的分割线，所述量测点位于所述量测区的4边、4个顶点及所述分割线上。
13、在本申请提供的套刻误差量测图形中，包括多个阵列分布的量测区，一个所述量测区对应一个曝光场，每个所述量测区按照4种减点模式中的一者在正常量测点集合中减少n个量测点，n大于或等于1，在多个连续的所述量测区构成的预定区域内，4种所述减点模式按照四色定理分布。本申请利用四色原理确定所述预定区域内的每个所述量测区的减点模式，使得所述预定区域内的量测点分布较为均匀，进而提高整个所述套刻误差量测图形中的量测点的分布均匀性，提高套刻误差观测分析模型的精度。
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1.一种套刻误差量测图形，其特征在于，包括多个阵列分布的量测区，一个所述量测区对应一个曝光场，每个所述量测区按照4种减点模式中的一者在正常量测点集合中减少n个量测点，n大于或等于1，在多个连续的所述量测区构成的预定区域内，4种所述减点模式按照四色定理分布。
2.如权利要求1所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述量测区包括完整量测区、部分完整量测区和不完整量测区，所述完整量测区为能够完全曝光的量测区，所述部分完整量测区为曝光率大于第一预定值的量测区，所述不完整量测区为曝光率小于或等于所述第一预定值的量测区，所述预定区域为所述完整量测区和所述部分完整量测区构成的区域。
3.如权利要求2所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述第一预定值为40％～60％。
4.如权利要求1所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述正常量测点集合至少包括位于所述量测区的每个顶点上的量测点。
5.如权利要求4所述的套刻误差量测图形，其特征在于，4种所述减点模式均包括至少减少所述量测区的顶点上的量测点，4种所述减点模式分别减少不同的顶点上的量测点。
7.如权利要求5或6所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述正常量测点集合至少包括位于所述量测区内部的量测点，4种所述减点模式还均包括减少所述量测区内部的至少一个量测点。
8.如权利要求7所述的套刻误差量测图形，其特征在于，在所述量测区内部减少的量测点与减少的顶点所在的对角线的距离小于第二预定值。
9.如权利要求7所述的套刻误差量测图形，其特征在于，在所述量测区内部减少的量测点与减少的顶点所在的对角线的距离最小。
10.如权利要求2所述的套刻误差量测图形，其特征在于，选取4种所述减点模式中能够留下最多有效的量测点的一者为所述不完整量测区的减点模式；若能够留下最多有效的量测点的所述减点模式至少有两种，则选取有效的量测点在所有所述量测区中的总数量与所有所述量测区中的量测点的总数量的占比的平均数中较小的一者为所述不完整量测区的减点模式；若有效的量测点在所有所述量测区中的总数量与所有所述量测区中的量测点的总数量的占比的平均数相同的所述减点模式至少有两种，则选取符合四色定理的一者为所述不完整量测区的减点模式。
11.如权利要求1所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述量测区内具有横纵交错分布的分割线，所述量测点位于所述量测区的4边、4个顶点及所述分割线上。
...【技术特征摘要】
1.一种套刻误差量测图形，其特征在于，包括多个阵列分布的量测区，一个所述量测区对应一个曝光场，每个所述量测区按照4种减点模式中的一者在正常量测点集合中减少n个量测点，n大于或等于1，在多个连续的所述量测区构成的预定区域内，4种所述减点模式按照四色定理分布。
2.如权利要求1所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述量测区包括完整量测区、部分完整量测区和不完整量测区，所述完整量测区为能够完全曝光的量测区，所述部分完整量测区为曝光率大于第一预定值的量测区，所述不完整量测区为曝光率小于或等于所述第一预定值的量测区，所述预定区域为所述完整量测区和所述部分完整量测区构成的区域。
3.如权利要求2所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述第一预定值为40％～60％。
4.如权利要求1所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述正常量测点集合至少包括位于所述量测区的每个顶点上的量测点。
5.如权利要求4所述的套刻误差量测图形，其特征在于，4种所述减点模式均包括至少减少所述量测区的顶点上的量测点，4种所述减点模式分别减少不同的顶点上的量测点。
6.如权利要求5所述的套刻误差量测图形，其特征在于，所述正常量测点集合至少包括位于所述量测区的每条边上的量测点，4种所述减点模式还均包括减少所述量测区中与减少的顶点不...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏博，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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