【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种半导体装置，其包括：半导体层，其具有形成有沟槽的主面；第一导电型的主体区域，其在所述半导体层的所述主面的表面部沿着所述沟槽的侧壁而形成；第二导电型的杂质区域，其在所述主体区域的表面部沿着所述沟槽的侧壁而形成；栅极绝缘层，其形成在所述沟槽的内壁上；栅极电极，其被埋入至所述沟槽中，并隔着所述栅极绝缘层而与所述主体区域以及所述杂质区域对置；接触电极，其从所述沟槽内贯穿所述沟槽的侧壁而被引出至所述半导体层的所述主面的表面部，并与所述主体区域以及所述杂质区域电连接；埋入绝缘层，其在所述沟槽内介于所述栅极电极以及所述接触电极之间，并对所述栅极电极以及所述接触电极进行绝缘。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2019/103135号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本公开的一个实施方式提供一种半导体装置，能够提高发射极区域以及源极区域等第一杂质区域的尺寸的设计自由度，由此能够提高破坏耐量。
3、本公开的一个实施方式提供一种半导体装置，在包括与栅极沟槽交叉的接触沟槽的结构中，能够抑制沟道宽度的缩小，降低导通电阻。
4、用于解决课题的方案
5、本公开的一个实施方式的半导体装置包括：芯片，其具有形成有栅极沟槽的第一主面，该栅极沟槽具有底壁以及侧壁且在第一方向上延伸；第一导电型的主体区域，其在所述第一主面的表面部沿着所述栅
6、专利技术效果
7、根据本公开的一个实施方式，第一杂质区域形成得比交叉区域的周边部的栅极电极的上表面深。由此，能够在交叉区域的周边部形成沟道，因此能够抑制沟道宽度的缩小，降低导通电阻。
8、根据本公开的一个实施方式，第一杂质区域形成得比栅极电极的上表面深。由此，在交叉区域的周边部的下部区域也能够形成沟道。因此，不需要考虑蚀刻、接触图案形成时的图案化的余量，能够提高第一杂质区域的尺寸的设计自由度，由此能够提高破坏耐量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求1～13中任一项所述的
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于...
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