【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种可变出风角度气浴装置。
技术介绍
1、光刻机是制造半导体芯片的重要设备之一，它通过将光投射在硅片上，在硅片表面形成微小的线路，从而制造出微芯片。光刻机是半导体制造工艺中最关键的步骤之一，它在芯片制造过程中决定了线路的分辨率和芯片的最终性能。
2、光刻机内部的温度，湿度及压强等参数是影响芯片制造的重要因素，为保证稳定的工作微环境，整机内会采用一整套的环境控制方案，而针对高精度控制区域使用的是局部气浴装置吹扫。
3、现有方案都是通过高效空气过滤器（hepa）或超高效空气过滤器（ulpa）向光刻机内部输入的洁净气流经由气浴装置以固定角度吹扫来维持控制区域温度、压力的稳定，但对某些热源随机台工作会发生位置变动区域，如ws（工件台）区域，固定角度吹扫的气流在某些位置工况下无法达到理想的温度稳定控制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的某些热源随机台工作会发生位置变动区域，如工件台区域，固定角度吹扫的气流在某些位置工况下无法达到理想的温度稳定控制的缺点，而提出的一种可变出风角度气浴装置。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种可变出风角度气浴装置，包括气浴板、固定板以及用于调整出风角度的导风叶片，所述气浴板的内部设置有腔室，且腔室底部的一侧贯穿开设有出风口，所述固定板与气浴板的底部固定连接，所述固定板的底部贯穿开设有通口，所述通口与出风口位于同一平面上，所述通
4、优选地，所述腔室内部的一侧通过螺栓连接有多个滤布，且滤布的滤孔直径逐渐减小。
5、优选地，所述工件台向右侧运动时，左侧测量光程增大，调整气浴吹扫角度使整体气浴流向调整为向右侧光程缩短区域；同理，工件台向左侧运动时，右侧测量光程增大，调整气浴吹扫角度使整体气浴流向调整为向左侧光程缩短区域。
6、优选地，所述整体吹扫角度调整范围控制在60°-120°（与水平向夹角）范围内。
7、优选地，所述测量区域的环境参数影响测量误差，且环境参数主要为温度、压力和湿度等，以上因素中对温度敏感性最高。
8、本专利技术的有益效果为：
9、本专利技术通过设置的固定板和导风叶片，当气流从出风口排出时，通过导风叶片能够对出风角度进行调整，根据热源位置变动情况调整吹扫角度，有效提高工作台运动情况下周围微环境的控制稳定性，如图5，当工件台向右侧运动时，左侧测量光程增大，调整气浴吹扫角度使整体气浴流向调整为向右侧光程缩短区域；同理，如图6，当工件台向左侧运动时，右侧测量光程增大，调整气浴吹扫角度使整体气浴流向调整为向左侧光程缩短区域，上述中工作台向右侧或者向左侧运动，是本申请针对该效果作出的简单说明，以便于直观的了解本申请的效果，与实际运动轨迹有区别。
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1.一种可变出风角度气浴装置，包括气浴板（1）、固定板（2）以及用于调整出风角度的导风叶片（3），其特征在于，所述气浴板（1）的内部设置有腔室，且腔室底部的一侧贯穿开设有出风口（4），所述固定板（2）与气浴板（1）的底部固定连接，所述固定板（2）的底部贯穿开设有通口，所述通口与出风口（4）位于同一平面上，所述通口相对的两侧与导风叶片（3）之间通过轴承形成转动连接，所述工件台向右侧运动时，左侧测量光程增大，调整气浴吹扫角度使整体气浴流向调整为向右侧光程缩短区域；同理，工件台向左侧运动时，右侧测量光程增大，调整气浴吹扫角度使整体气浴流向调整为向左侧光程缩短区域，，所述测量区域的环境参数影响测量误差，且环境参数主要为温度、压力和湿度等，以上因素中对温度敏感性最高。
2.根据权利要求1所述的一种可变出风角度气浴装置，其特征在于，所述腔室内部的一侧通过螺栓连接有多个滤布，且滤布的滤孔直径逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的一种可变出风角度气浴装置，其特征在于，所述整体吹扫角度调整范围控制在60°-120°（与水平向夹角）范围内。
【技术特征摘要】
1.一种可变出风角度气浴装置，包括气浴板（1）、固定板（2）以及用于调整出风角度的导风叶片（3），其特征在于，所述气浴板（1）的内部设置有腔室，且腔室底部的一侧贯穿开设有出风口（4），所述固定板（2）与气浴板（1）的底部固定连接，所述固定板（2）的底部贯穿开设有通口，所述通口与出风口（4）位于同一平面上，所述通口相对的两侧与导风叶片（3）之间通过轴承形成转动连接，所述工件台向右侧运动时，左侧测量光程增大，调整气浴吹扫角度使整体气浴流向调整为向右侧光程缩短区域；同理，工件台向...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：上海芯东来半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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