【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜沉积设备，尤其涉及一种半导体设备的晶圆暂存机构及其薄膜沉积设备。
技术介绍
1、随着微电子技术的迅猛发展，晶圆加工的关键尺寸逐渐减小，而晶圆加工的复杂程度却不断增加，这使得晶圆加工的总体周期不断变长。为了更加快速地得到客户需要的晶圆产品，在不影响晶圆加工工艺的前提下，如何有效地减少晶圆的总体加工时间成为了提高晶圆加工效率的关键。晶圆的总体加工时间包括晶圆的工艺时间和晶圆的传输时间。因此，晶圆传输时间的提升对晶圆加工效率的提升十分重要。传输模块是晶圆加工过程中的重要组成部分，晶圆传输时间长短直接影响机台腔室的使用效率。
2、此外，晶圆的加工程序繁复且精密，其中很多都属于高温工艺过程。高温工艺过程需要对晶圆进行加热和冷却，但加热和冷却时间影响机台的工艺加工效率。基于上述技术问题，需要提出一种在晶圆加热或冷却单元与工艺加工单元之间的快速高效的机构。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种半导体设备的晶圆暂存机构及其薄膜沉积设备，以解决现有晶圆加工设备中晶圆缓存及其传输时间较长，影响工艺效率的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术的实施例提供了一种半导体设备的晶圆暂存机构，其包括：冷却缓存腔体单元，连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元，用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元，以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶
4、其中，所述冷却缓存腔体单元与所述加热缓存腔体单元在竖直方向层叠设置。
5、其中，所述冷却缓存腔体单元与所述加热缓存腔体单元共同连接于一机架上。
6、其中，所述第一晶圆加载单元包括：装载环，连接于所述装载环边缘的升降杆，连接于所述升降杆的第一升降模组，以及驱动所述第一升降模组的第一驱动模组。
7、其中，所述装载环包括：环状件，以及连接于所述环状件的底部边缘的两个固定部，所述固定部与所述环状件的环形腔形成用于装载晶圆的固定腔，两个所述固定部正相对设置。
8、其中，所述固定部包括：内侧边与所述环形件的内环壁平行的定位部，以及由所述定位部的内侧边横向延伸而出的两个承托部。
9、其中，所述第一升降模组为直线升降模组。
10、其中，所述第二晶圆加载单元包括：第二驱动模组，连接于所述第二驱动模组的驱动端的第二升降模组，连接于所述第二升降模组的移动端的连接杆，以及连接于所述连接杆上的装载板。
11、其中，所述装载板包括：板体以及由所述板体的顶面延伸的三个顶杆。
12、第二方面，本专利技术的实施例提供了一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括如上任意一项所述的半导体设备的晶圆暂存机构。
13、本专利技术的半导体设备的晶圆暂存机构及其薄膜沉积设备，其将晶圆加热腔体和晶圆冷却腔室集成在一起，降低晶圆工艺设备与冷却或加热单元之间的距离，降低晶圆转移所需时间，提高转移效率，同日集成结构提高了空间利用率，且采用升降模组驱动晶圆升降，方便晶圆加热或冷却以及传片，增强了通用性。
14、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术技术手段，可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征及优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。
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1.一种半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，包括：冷却缓存腔体单元，连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元，用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元，以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶圆加载单元。
2.根据权利要求1所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述冷却缓存腔体单元与所述加热缓存腔体单元在竖直方向层叠设置。
3.根据权利要求2所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述冷却缓存腔体单元与所述加热缓存腔体单元共同连接于一机架上。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述第一晶圆加载单元包括：装载环，连接于所述装载环边缘的升降杆，连接于所述升降杆的第一升降模组，以及驱动所述第一升降模组的第一驱动模组。
5.根据权利要求4所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述装载环包括：环状件以及连接于所述环状件的底部边缘的两个固定部，所述固定部与所述环状件的环形腔形成用于装载晶圆的固定腔，两个所述固定部正相对设置。
6.根据
7.根据权利要求6所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述第一升降模组为直线升降模组。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述第二晶圆加载单元包括：第二驱动模组，连接于所述第二驱动模组的驱动端的第二升降模组，连接于所述第二升降模组的移动端的连接杆，以及连接于所述连接杆上的装载板。
9.根据权利要求8所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述装载板包括：板体以及由所述板体的顶面延伸的三个顶杆，三个所述顶杆呈三角形分布。
10.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括如权利要求1至9任意一项所述的半导体设备的晶圆暂存机构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，包括：冷却缓存腔体单元，连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元，用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元，以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶圆加载单元。
2.根据权利要求1所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述冷却缓存腔体单元与所述加热缓存腔体单元在竖直方向层叠设置。
3.根据权利要求2所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述冷却缓存腔体单元与所述加热缓存腔体单元共同连接于一机架上。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述第一晶圆加载单元包括：装载环，连接于所述装载环边缘的升降杆，连接于所述升降杆的第一升降模组，以及驱动所述第一升降模组的第一驱动模组。
5.根据权利要求4所述的半导体设备的晶圆暂存机构，其特征在于，所述装载环包括：环状件以及连接于所述环状件的底部边缘的两个固定部，所述固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：李赫，王磊，沙俊汀，马硕，周海洋，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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