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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电半导体材料,具体涉及一种agcui2单晶及其制备方法和应用。
技术介绍
1、光电半导体材料的开发对现代科技与工业发展至关重要,它们不仅提升光电器件性能、推动新能源开发、支撑高新技术产业发展,还在保障国家安全、促进信息社会建设及实现环境友好型能源方面发挥关键作用,特别是以viia族碘化物为代表的新一代半导体材料,更是成为国际光电信息
的战略制高点,引领着新能源汽车、5g通讯、光伏发电等领域的清洁能源革命。过渡元素卤化物因其独特的光电特性,在光电领域逐渐崭露头角,成为重要的材料之一。
2、光电半导体材料,例如磷化镓、铅化物、镉化物以及过渡金属二硫化物等,因其高效的光电转换能力、光学稳定性、热稳定性和出色的电学性能,在光电器件领域扮演着至关重要的角色。然而,这些材料也面临着一系列挑战,包括对环境的敏感性、晶界和缺陷问题、载流子迁移率的限制,以及生产成本和能源消耗等。为了克服这些问题,需要持续的研究和技术创新,以实现更广泛的应用和提升光电性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供了一种agcui2单晶及其制备方法和应用。agcui2单晶具有优异的稳定性,为一种p型半导体,具有良好的光电性能。
2、提供一种agcui2单晶,该单晶结构属于立方晶系,空间群为f-43m,单胞体积晶胞参数为α=β=γ=90°。
3、按上述方案,所述agcui2单晶具有2.63ev的带隙。
4、按上述方案,所述agcui2单晶尺寸为0.5
5、提供一种agcui2单晶的制备方法,包括以下步骤:
6、1)将cui和agi研磨混合均匀,加入20-30wt%的hi溶液,搅拌溶解,得到前驱体溶液;
7、2)将步骤1)所得前驱体溶液在120-180℃温度下进行水热反应,反应结束后,分离得到固体,水冲洗去除hi,真空干燥,即得agcui2单晶。
8、按上述方案,所述步骤1)中,cui和agi的摩尔比为0.5-1.5:1。
9、按上述方案,所述步骤1)中,优选地,agi和hi溶液的摩尔体积为:1mmol:2-4ml。
10、按上述方案,所述步骤2)中,水热反应时间为24-48h。
11、按上述方案,所述步骤2)中,水冲洗去除hi时,至冲洗后的溶液呈中性。
12、按上述方案,所述步骤2)中,真空干燥温度为40-100℃,时间为24-48h。
13、按上述方案,所述步骤1)中,hi溶液的浓度优选为25-30wt%。
14、按上述方案,所述步骤1)中,水热反应的温度优选为120-150℃。
15、提供一种上述agcui2单晶作为空穴传输层材料在卤化物钙钛矿太阳能电池器件中的应用。
16、本专利技术的有益效果如下:
17、1.本专利技术提供的agcui2单晶,具有优异的热稳定性,载流子分离传输性能好,光电性能好,为三元宽禁带半导体,带隙宽度2.63ev,可以作为卤化物钙钛矿太阳能电池器件中的空穴传输层材料使用,在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
18、2.本专利技术首次在低温下通过水热反应成功制备出agcui2单晶,制备方法简单,条件温和,时间短,成本低廉,且无需使用有机溶剂,绿色环保,有利于实现大规模生产。
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1.一种AgCuI2单晶,其特征在于,所述AgCuI2单晶结构属于立方晶系,空间群为F-43m,单胞体积晶胞参数为α=β=γ=90°。
2.根据权利要求1所述的AgCuI2单晶,其特征在于,所述AgCuI2单晶尺寸为0.5-2mm。
3.一种权利要求1-2任一项所述的AgCuI2单晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中,CuI和AgI的摩尔比为0.5-1.5:1。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,水热反应时间为24-48h。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中,HI溶液的浓度为25-30wt%。
7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中,水热反应的温度为120-150℃。
8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,真空干燥温度为40-100℃,时间为24-48h。
9.一种权利要求1-2任一项所述的AgCuI2单晶作为空穴传输层
...【技术特征摘要】
1.一种agcui2单晶,其特征在于,所述agcui2单晶结构属于立方晶系,空间群为f-43m,单胞体积晶胞参数为α=β=γ=90°。
2.根据权利要求1所述的agcui2单晶,其特征在于,所述agcui2单晶尺寸为0.5-2mm。
3.一种权利要求1-2任一项所述的agcui2单晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中,cui和agi的摩尔比为0.5-1.5:1。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特...
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