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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐的用途,所述酮酸肟盐作为含功能性金属和/或类金属的酮酸肟盐用作EUV和电子束光刻中的图案化剂,应用于半导体芯片生产领域以及用于掩模生产、传感器和光子学或催化的功能性材料的直接图案化的领域。
2.根据权利要求1所述的用途,其中与酮酸肟基团连接的中心金属或类金属原子为一价、二价、三价、四价、五价或更高价的。
3.根据权利要求1或2所述的用途,其中含二价金属或类金属化合物的酮酸肟盐的组成具有以下结构形式中的一者:
4.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述金属选自包括锌、铟、铝、镍、镁和锡的组。
5.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中金属含量最高至化学组成的总重量的40重量%。
6.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中金属含量最高至化学组成的6原子%。
7.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐适用于通过将其溶解在有机溶剂中来生产涂层制剂,所述涂层制剂为流延在基底上或基底
8.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐用于通过将图案化剂施加到半导体基底上,并将组合物在约50℃至约150℃烘烤0.1分钟至约20分钟来形成抗蚀剂膜。
9.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐使用电子束或EUV光刻在需要或不需要光引发剂或光致产酸剂(PAG)的情况下被图案化。
10.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐使得其中用13.5nm的波长下的光的辐射来照射图案化剂涂覆的基底。
11.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐使得其中用0.5kV至300kV的电子来照射图案化剂涂覆的基底。
12.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐使得由此沿选择的图案照射涂覆的基底以形成具有照射涂层的区域和具有未照射涂层的区域的照射结构;以及使所述照射结构选择性地显影以除去所述未照射涂层的实质部分以形成图案化基底。
13.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐使得由此将所述照射结构在约50℃至约150℃的温度下加热0.1分钟至约20分钟以形成退火照射结构;以及使所述退火照射结构选择性地显影以除去所述未照射涂层的实质部分以形成图案化基底。
14.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐使得其中所述照射结构不溶于有机碱中而未照射涂层可溶于有机碱中,使得所述照射结构能够经受负型成像。
15.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中使用所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐作为用于生产半导体装置的抗蚀剂,包括:
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐的用途,所述酮酸肟盐作为含功能性金属和/或类金属的酮酸肟盐用作euv和电子束光刻中的图案化剂,应用于半导体芯片生产领域以及用于掩模生产、传感器和光子学或催化的功能性材料的直接图案化的领域。
2.根据权利要求1所述的用途,其中与酮酸肟基团连接的中心金属或类金属原子为一价、二价、三价、四价、五价或更高价的。
3.根据权利要求1或2所述的用途,其中含二价金属或类金属化合物的酮酸肟盐的组成具有以下结构形式中的一者:
4.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述金属选自包括锌、铟、铝、镍、镁和锡的组。
5.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中金属含量最高至化学组成的总重量的40重量%。
6.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中金属含量最高至化学组成的6原子%。
7.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐适用于通过将其溶解在有机溶剂中来生产涂层制剂,所述涂层制剂为流延在基底上或基底上的下垫层涂层上的制剂,以及其中所述涂层能够通过直接照射或使用掩模而被图案化。
8.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐用于通过将图案化剂施加到半导体基底上,并将组合物在约50℃至约150℃烘烤0.1分钟至约20分钟来形成抗蚀剂膜。
9.根据前述权利要求中任一项所述的用途,其中所述含金属和/或类金属的酮酸肟盐以及/或者含金属化合物的酮酸肟盐使用电子束...
【专利技术属性】
技术研发人员:穆罕默德·赛夫拉赫,亚辛·埃金吉,
申请(专利权)人:保罗·谢勒学院,
类型:发明
国别省市:
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