【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基站的，特别是涉及一种带隙基准产生电路和一种电子设备。
技术介绍
1、带隙基准产生电路在模拟电路及数模混合等电路中是基础且重要的模块，其作用是为系统其它模块提供一个稳定的电压参考，如高精度时钟、数模转换器、模数转换器、低压差线性稳压器、电源管理芯片等电路，其综合性能的优化对高性能模拟电路极其重要。
2、在实际应用中，根据电路设计八边形法则，一些关键性能参数是相互制约的，如电源电压抑制比、功耗、温漂、环路稳定性等；尤其在低功耗的带隙基准产生电路中，对这些矛盾尤其突出，在保证带隙基准产生电路低功耗的要求下，必然会损失其它参数的性能窗口。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种带隙基准产生电路和一种电子设备，包括：
2、一种带隙基准产生电路，所述带隙基准产生电路包括：预稳压电路、启动偏置模块、基准电压核心电路、输出级模块和高频滤波模块；其中，
3、所述预稳压电路，用于将输入电压调整为稳定电压，并经由所述启动偏置模块、基准电压核心电路和输出级模块，向所述高频滤波模块输出第一输出电压；
4、所述高频滤波模块，对所述第一输出电压进行滤波，并输出第二输出电压。
5、可选地，所述预稳压电路包括：
6、第一n沟道金属氧化物半导体管、第二n沟道金属氧化物半导体管、第一电阻、第一npn三极管和第二npn三极管；
7、其中，所述输入电压分别与所述第一n沟道金属氧化物
8、所述第一n沟道金属氧化物半导体管的栅极与所述第二n沟道金属氧化物半导体管的栅极连接；
9、所述第一n沟道金属氧化物半导体管的源极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一npn三极管的集电极和所述第一n沟道金属氧化物半导体管的栅极连接；
10、所述第二n沟道金属氧化物半导体管的源极与所述第二npn三极管的集电极连接，所述第二n沟道金属氧化物半导体管的基极输出所述稳定电压；
11、所述第二npn三极管的发射极接地，且与所述第一npn三极管的基极连接。
12、可选地，所述第二npn三极管包括多个，相邻的第二npn三极管之间，发射极与基极连接。
13、可选地，所述高频滤波模块包括第四电阻和第一电容；
14、所述第四电阻的一端接收所述第一输出电压，所述第四电阻的另一端与所述第一电容的上极板连接，所述第一电容的下极板接地；所述第一电容为极性电容。
15、可选地，所述高频滤波模块包括第五电阻和第三电容；
16、所述第五电阻的一端接收所述第一输出电压，所述第五电阻的另一端与所述第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端接地；所述第三电容为非极性电容。
17、可选地，所述高频滤波模块包括第六电阻和第四n沟道金属氧化物半导体管；
18、所述第六电阻的一端接收所述第一输出电压，所述第六电阻的另一端连接所述第四n沟道金属氧化物半导体管的栅极，且所述第四n沟道金属氧化物半导体管的漏极和源极分别接地。
19、可选地，所述启动偏置模块，用于提供偏置电流。
20、可选地，所述基准电压核心电路，用于提供基准参考电压。
21、可选地，所述输出级模块，用于基于反馈，对输出电压进行调节。
22、可选地，所述输出级模块包括运算放大器、第三n沟道金属氧化物半导体管、第二电阻和第三电阻；其中：
23、所述运算放大器的输入端与所述基准电压核心电路连接；所述运算放大器的第一电源引脚连接所述预稳压电路的输出端；所述运算放大器的第二电源引脚接地，所述运算放大器的输出端与所述第三n沟道金属氧化物半导体管的栅极连接，所述第三n沟道金属氧化物半导体管的漏极连接所述预稳压电路的输出端，所述第三n沟道金属氧化物半导体管的源极连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端分别连接所述第三电阻的一端和所述运算放大器的输入端；
24、所述第三电阻的另一端接地，所述第三n沟道金属氧化物半导体管的源极还连接所述高频滤波模块。
25、可选地，所述带隙基准产生电路还包括：
26、第二电容和第七电阻；所述第二电阻的一端与所述高频滤波模块连接，所述第二电阻的另一端接地；
27、所述第七电阻的一端与所述高频滤波模块连接，所述第七电阻的另一端接地。
28、本专利技术实施例还提供了一种电子设备，包括如上所述的带隙基准产生电路。
29、本专利技术实施例具有以下优点：
30、本专利技术实施例，带隙基准产生电路包括：预稳压电路、启动偏置模块、基准电压核心电路、输出级模块和高频滤波模块；其中，预稳压电路，用于将输入电压调整为稳定电压，并经由启动偏置模块、基准电压核心电路和输出级模块，向高频滤波模块输出第一输出电压；高频滤波模块，对第一输出电压进行滤波，并输出第二输出电压。通过本专利技术实施例，可以在低功耗应用场景中，使得带隙基准产生电路可以在低频和高频时均可以获得较高的电源电压抑制比，从而保证带隙基准产生电路的稳定工作。
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1.一种带隙基准产生电路，其特征在于，所述带隙基准产生电路包括：预稳压电路、启动偏置模块、基准电压核心电路、输出级模块和高频滤波模块；其中，
2.根据权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述预稳压电路包括：
3.根据权利要求2所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述第二NPN三极管包括多个，相邻的第二NPN三极管之间，发射极与基极连接。
4.权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述高频滤波模块包括第四电阻和第一电容；
5.权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述高频滤波模块包括第五电阻和第三电容；
6.根据权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述高频滤波模块包括第六电阻和第四N沟道金属氧化物半导体管；
7.根据权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述输出级模
11.根据权利要求10所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述带隙基准产生电路还包括：
12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的带隙基准产生电路。
...【技术特征摘要】
1.一种带隙基准产生电路，其特征在于，所述带隙基准产生电路包括：预稳压电路、启动偏置模块、基准电压核心电路、输出级模块和高频滤波模块；其中，
2.根据权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述预稳压电路包括：
3.根据权利要求2所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述第二npn三极管包括多个，相邻的第二npn三极管之间，发射极与基极连接。
4.权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述高频滤波模块包括第四电阻和第一电容；
5.权利要求1所述的带隙基准产生电路，其特征在于，所述高频滤波模块包括第五电阻和第三电容；
6.根据权利要求1所述的带隙基准产生电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：王焜，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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