【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光元件和发光装置。
技术介绍
1、公知有通过紫外光的照射对流水中的细菌、病毒进行杀菌的杀菌装置。光源广泛使用汞灯。汞灯使用水银，因此，存在毒性强、环境负担大这样的问题。此外，若使用汞灯则也存在杀菌装置尺寸变大的问题。
2、另一方面，使用iii族氮化物半导体的发光元件的紫外光的波长对应于约210nm～400nm的范围的波段。公知的是，uvc(波长100nm～280nm)能够高效地进行杀菌、除菌，用于水、空气等的杀菌、消毒这种情况受到关注。因此，正在推进通过使用发光波长为uvc的iii族氮化物半导体的发光元件来替代汞灯这种操作。
3、专利文献1、2示出一种构造，其在使用了iii族氮化物半导体的发光元件中，n侧电极具有二维排列的多个点的图案。
4、专利文献1：日本特表2017-513234号公报
5、专利文献2：国际公开第2010/146808号
6、但是，现有的uvc的发光元件的光输出和寿命没有达到替代汞灯所需的性能。此外，uvc的发光元件安装于基座这种发光装置的光输出也需要改善。
技术实现思路
1、本公开是鉴于这样的背景而完成的。第1提供光输出和寿命提高了的发光元件。第2提供一种使发光元件安装于基座的发光装置中光输出提高了的发光装置。
2、本公开的一方式是一种发光元件，在使用包含al的iii族氮化物半导体且具有200nm～280nm的发光波长的发光元件中，具有：基板；半导体层，其是在上述基板上从上
3、此外，本公开的其他方式是一种发光装置，其具有：上述方式的发光元件；以及基座，其倒装安装有上述，且在安装发光元件这侧的表面具有反射层，上述反射层针对上述发光元件的发光波长的紫外光的反射率为50％以上，在上述反射层的平面视图中，在从上述发光元件的侧端面起向外侧偏出至少0μm以上且500μm以下的区域设置有上述反射层。
4、此外，本公开的其他方式是一种发光装置，其具有：发光元件，其使用包含al的iii族氮化物半导体，且具有200nm～280nm的发光波长；以及基座，其倒装安装有上述发光元件，并且，具有设置于安装发光元件这侧的表面的反射层和与上述发光元件接合的表面电极层，并且，上述基座以平板状形成，上述反射层具有绝缘层来作为最下层，在上述表面电极层的平面视图中，上述表面电极层的局部设置于比上述发光元件的侧端面靠外侧处，上述反射层针对上述发光元件的发光波长的紫外光的反射率为50％以上，在平面视图中，上述反射层设置于从上述发光元件的侧端面起向外侧偏出至少0μm以上且500μm以下的区域。
5、在上述方式的发光元件中，n侧电极具有二维排列的多个点的图案。因此，能够扩大p侧电极的面积。而且，使p侧电极的面积为0.75mm2以上。由此，能够提高光输出和寿命。此外，在上述方式的发光装置中，在俯视反射层时，在从发光元件的侧端面起向外侧偏出至少0μm以上且500μm以下的区域设置有反射层。因此，能够实现光输出提高。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光元件，使用包含Al的III族氮化物半导体，且具有200nm～280nm的发光波长，所述发光元件的特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
7.一种发光装置，其特征在于，具有：
8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
11.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
12.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
13.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
14.一种发光装置，其特征在于，具有：
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，使用包含al的iii族氮化物半导体，且具有200nm～280nm的发光波长，所述发光元件的特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：松井慎一，面家英树，水谷浩一，牧野浩明，大矢昌辉，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：
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