【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及故障检测设备。
技术介绍
1、在相关技术中，已提出一种故障检测设备，其检测开关单元（如场效应晶体管（fet））中的异常，如导通故障和断开故障（见专利文献1）。
2、引用列表
3、专利文献
4、专利文献1：jp2021-85733a
技术实现思路
1、在专利文献1所述的故障检测设备中，背对背金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）是故障检测的目标。这里，在使用漏极连接的mosfet的二极管或配置中，即使当mosfet被断开时，由于寄生二极管而存在旁路路径，并且mosfet不能被完全断开，因此不能检测到导通故障。
2、作为对策，当在每个二极管或配置中提供dc/dc转换器作为电源时，可以通过增加或降低输出电压在mosfet之间提供电势差，并可以检测导通故障。然而，在实践中，输出电压由被供应电压的装备（例如车辆装备等）确定，并且由于这些装备基本上在相同的电压下操作，所以不可能自由地增加或降低电压，因此不可能检测到导通故障。
3、因此，需要一对背靠背开关单元中的两个组合的二极管或配置，并且需要至少四个开关单元，这增加了开关单元的数量。
4、因此，本专利技术提供了一种故障检测设备，其能够检测导通故障，同时抑制开关单元的数量。
5、根据本公开的故障检测设备包括：第一开关单元，其中第一端子连接到输出预定电压的第一电池，第二端子连接到连接点，并且第一开关单元包括防止电流从第二端子流向第一端子的寄生二
6、根据本专利技术，可以提供一种故障检测设备，其能够检测导通故障，同时抑制开关单元的数量。
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1.一种故障检测设备，包括：
2.根据权利要求1所述的故障检测设备，其中
3.根据权利要求2所述的故障检测设备，其中
【技术特征摘要】
1.一种故障检测设备，包括：
2.根据权利要求1所述的故障...
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