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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及零件镀膜,尤其涉及一种离子注入及磁控溅射复合镀膜设备。
技术介绍
1、随着国内科学技术的不断发展进步,涉及真空环境下的高功率激光器的光源作为国家航天及激光产业的关键部件,其智能制造设备尤其重要。现有的制造设备都是单体设备,各自完成不同的工艺,光源器件在大气下进行周转,会产生不同程度的污染,导致最终成品质量不稳定,且产量极低;基于以上原因,研发一种在真空环境下对光学器件进行连续复合镀膜的设备尤为关键。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,将多工序集成,实现了工件的连续稳定生产,确保了工件的加工质量,极大的提高了加工效率。
2、本专利技术提供的一种离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,包括:
3、离子注入室,其一侧连通有离子清洗源,另一侧连通有离子注入源;
4、镀膜室,连通的设置于所述离子注入室的一端,其两侧分别与磁控溅射镀膜机相连;所述镀膜室与离子注入室之间设置有隔离插板阀;
5、退火室,连通的设置于所述镀膜室远离所述离子注入室的一端,其内设置有退火加热机构;所述退火室与镀膜室之间设置有水冷式插板阀;
6、抽真空机构,所述离子注入室、镀膜室和退火室分别连接有互相独立的所述抽真空机构;
7、多组样品架,所述样品架设置有竖直的中心轴,所述样品架上位于所述中心轴的外周安置有若干工件,所述样品架用于带动若干工件以所述中心轴为轴公转,以及带动各工件自转;
...【技术保护点】
1.一种离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述离子注入室(1)、镀膜室(2)和退火室(3)固定设置于机架(9)上;所述抽真空机构(4)固定设置于所述机架(9)内。
3.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述离子注入室(1)远离所述镀膜室(1)的一端设置有输入密封门;所述退火室(3)远离所述镀膜室(2)的一端设置有输出密封门。
4.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述退火加热机构包括分别设置于所述退火室(3)内的顶部和两侧的电加热板;所述退火室(3)的内壁设置有隔热板。
5.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述抽真空机构(4)包括真空泵,所述真空泵通过高压管路与对应的所述离子注入室(1)、镀膜室(2)或退火室(3)相连。
6.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述样品架(5)设置有至少6组;
7.根据权利
8.根据权利要求7所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述传输机构(6)包括两条平行设置的第一导轨(61),所述第一导轨(61)的顶部对应所述滚轮(55)上的V形槽(521)呈倒V形,两条所述第一导轨(61)之间设置有与所述齿条(516)相啮合的主动齿轮(62),所述主动齿轮(62)的一侧设置有通过第一减速机(63)驱动其转动的第一电机(64)。
9.根据权利要求6所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述驱动机构(7)包括安装架(71),所述安装架(71)的一侧固定设置有z轴模组(72),所述z轴模组(72)的一侧传动连接有滑动板(73),所述滑动板(73)的外侧固定设置有架板(74),所述架板(74)上固定设置有传动连接的第二电机(75)和第二减速机(76),所述架板(74)的底面设置有与所述第二减速机(76)传动连接的驱动轴(77),所述驱动轴(77)的底端固定设置有连接座(78),所述连接座(78)的底部固定设置有与所述定位槽(58)相匹配的定位销(79),所述连接座(78)的底部位于所述定位销(79)的外周固定设置有与所述卡槽(59)相匹配的卡块(710)。
10.根据权利要求7所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述周转车(8)设置有至少4台,所述周转车(8)包括车架(81),所述车架(81)的底部设置有万向轮(82),顶部设置有两条平行的第二导轨(83),所述第二导轨(83)的顶部对应所述滚轮(55)上的V形槽(521)呈倒V形,所述车架(81)顶部的两侧分别固定设置有扶手架(84),所述第二导轨(83)上位于所述样品架(5)的两端分别设置有挡块(85),所述挡块(85)与车架(81)转动连接。
...【技术特征摘要】
1.一种离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述离子注入室(1)、镀膜室(2)和退火室(3)固定设置于机架(9)上;所述抽真空机构(4)固定设置于所述机架(9)内。
3.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述离子注入室(1)远离所述镀膜室(1)的一端设置有输入密封门;所述退火室(3)远离所述镀膜室(2)的一端设置有输出密封门。
4.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述退火加热机构包括分别设置于所述退火室(3)内的顶部和两侧的电加热板;所述退火室(3)的内壁设置有隔热板。
5.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述抽真空机构(4)包括真空泵,所述真空泵通过高压管路与对应的所述离子注入室(1)、镀膜室(2)或退火室(3)相连。
6.根据权利要求1所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述样品架(5)设置有至少6组;
7.根据权利要求6所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述滚轮(55)的外侧固定设置有第一护罩(520);所述底板(52)至少一侧的所述滚轮(55)上均开设有v形槽(521);所述支撑板(52)的顶面位于若干所述自转轴(510)的内侧固定设置有第二护罩(522),所述第二护罩(522)上位于所述传动座(57)的上方开设有避让孔(523)。
8.根据权利要求7所述的离子注入及磁控溅射复合镀膜设备,其特征在于,所述传...
【专利技术属性】
技术研发人员:张学星,
申请(专利权)人:北京中科科美科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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