【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路，尤其涉及一种电压源电路和micro-led驱动电路。
技术介绍
1、ldo(low-dropout regulator，低压差线性稳压器)是soc(system on chip，系统级芯片)中的重要组成之一，其主要作用是给数模转换器、压控振荡器等作为理想电源电压的电压源。由于ldo的负载是动态变化的，所以ldo的输出电流也是动态变化的。ldo通过运算放大器、功率管、反馈电路等构成负反馈，因此频率补偿对于ldo来说十分的重要。现有的技术中，最常见的补偿方式是米勒补偿，但该补偿方式的缺点是稳定性依然一般。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种电压源电路和micro-led驱动电路，稳定性较好。
2、为实现上述目的，本申请提供一种电压源电路，所述电压源电路包括：放大器、功率管、电阻反馈网络、全阻断前馈式频率补偿模块；所述功率管的源端为所述电压源电路的输入端，连接电源；所述功率管的漏端为所述电压源电路的输出端，输出输出电压；所述功率管的栅端与所述放大器的输出端相连，所述电阻反馈网络连接在所述功率管的漏端与所述放大器的输入端之间，所述放大器、所述功率管、所述电阻反馈网络连接成负反馈回路，所述放大器也连接所述电源，由所述电源供电，所述全阻断前馈式频率补偿模块连接于所述功率管的漏端与所述放大器之间。
3、在一实施方式中，所述全阻断前馈式频率补偿模块包括第九pmos管、第六nmos管、第七nmos管、电阻单元、第二百电容，所述第九pmos管的源端与电源
4、在一实施方式中，所述电阻单元包括第二百电阻和第十五pmos管，所述第二百电阻的一端为所述电阻单元的一端，所述第二百电阻的另一端与所述第十五pmos管的源端相连，所述第十五pmos管的漏端为所述电阻单元的另一端，所述第十五pmos管的栅端与地相连，所述第十五pmos管被偏置在深线性区。
5、在一实施方式中，所述全阻断前馈式频率补偿模块还包括第八电阻，所述第九pmos管的栅端不连接所述第二百p型偏置电压，而是经由所述第八电阻与所述第九pmos管的漏端相连。
6、在一实施方式中，所述放大器包括两级放大结构，其中第一级放大结构包括第三pmos管、第四pmos管、第二百nmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第二电阻、第三电阻，所述第三pmos管的源端、所述第四pmos管的源端共同构成放大器的偏置电流输入端，接收偏置电流，所述第三pmos管的栅端为所述放大器的第一输入端，与所述电阻反馈网络相连，所述第四pmos管的栅端为所述放大器的第二输入端，接收一参考电压，所述第四pmos管的漏端与所述第二百nmos管的漏端、所述第二百nmos管的栅端、所述第一nmos管的栅端、所述第二nmos管的栅端、所述第三nmos管的栅端均相连，且接收同一偏置电压，所述第二百nmos管的源端与所述第二nmos管的漏端相连，所述第二nmos管的源端经由所述第二电阻与地相连，所述第三nmos管的源端经由所述第三电阻与地相连，所述第三nmos管的漏端与所述第一nmos管的源端相连，所述第一nmos管的漏端与所述第四pmos管的漏端相连，所述第四pmos管的漏端为放大器的第一级输出结点，所述第一nmos管的源端与所述第二百电容的另一端相连。
7、在一实施方式中，第二级放大结构包括第五pmos管、第六pmos管、第四nmos管、第五nmos管、第四电阻、第五电阻，所述第五pmos管的源端、所述第六pmos管的源端均连接电源，所述第五pmos管的栅端与所述第六pmos管的栅端、所述第五pmos管的漏端相连，所述第五pmos管的漏端与所述第四nmos管的漏端相连，所述第四nmos管的栅端与所述第四pmos管的漏端相连，所述第四nmos管的源端经由所述第四电阻与地相连，所述第五nmos管的源端经由所述第五电阻与地相连，所述第五nmos管的栅端也接收所述偏置电压，所述第五nmos管的漏端与所述第六pmos管的漏端相连，所述第六pmos管的漏端为放大器的第二级输出结点，也作为放大器的输出端，与所述功率管的栅端相连。
8、在一实施方式中，所述放大器还包括滤波电容和滤波电阻，所述第四pmos管的栅端经由所述滤波电容与地相连，所述第四pmos管的栅端经由所述滤波电阻接收所述参考电压。
9、在一实施方式中，所述电压源电路还包括动态反馈电流和零点补偿模块，所述动态反馈电流和零点补偿模块连接于所述放大器的偏置电流输入端与所述放大器的输出端之间。
10、在一实施方式中，所述动态反馈电流和零点补偿模块包括第二pmos管、第二十pmos管、第七pmos管、第八pmos管、第一电阻、第一电容，所述第二十pmos管的源端与电源相连，所述第二十pmos管的漏端与所述第二pmos管的源端相连，所述第二十pmos管的漏端与所述放大器的偏置电流输入端相连，所述第二pmos管的栅端、所述第二十pmos管的栅端均与所述放大器的输出端相连，所述第七pmos管的源端经由所述第一电阻与电源相连，所述第七pmos管的栅端与所述第八pmos管的栅端、所述第七pmos管的漏端相连，所述第七pmos管的漏端与所述放大器的输出端相连，所述第八pmos管的源端与电源相连，所述第八pmos管的漏端经由所述第一电容与所述放大器的输出端相连。
11、在一实施方式中，所述动态反馈电流和零点补偿模块还包括第七电阻，所述第八pmos管的源端经由所述第七电阻与电源相连。
12、在一实施方式中，所述电压源电路还包括电容放电模块，所述电容放电模块连接于所述放大器与所述电压源电路的输出端之间。
13、在一实施方式中，所述电容放电模块包括第十pmos管、第八nmos管、第九nmos管，所述第十pmos管的源端连接电源，所述第十pmos管的栅端接收第二百p型偏置电压，所述第十pmos管的漏端与所述第八nmos管的漏端相连，所述第八nmos管的栅端与所述第五pmos管的漏端相连，所述第八nmos管的源端与地相连，所述第九nmos管的源端与地相连，所述第九nmos管的栅端与所述第十pmos管的漏端相连，所述第九nmos管的漏端与所述功率管的漏端相连。
14、在一实施方式中，所述电容放电模块还包括第一百pmos管、第八十一nmos管、第八十二nmos管，所述第十pmos管的漏端经由所述第一百pmos管与所述第八nmos管的漏端相连，所述第一百pmos管的源端与所述第十pmos管的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电压源电路，其特征在于，所述电压源电路包括：放大器、功率管、电阻反馈网络、全阻断前馈式频率补偿模块；所述功率管的源端为所述电压源电路的输入端，连接电源；所述功率管的漏端为所述电压源电路的输出端，输出输出电压；所述功率管的栅端与所述放大器的输出端相连，所述电阻反馈网络连接在所述功率管的漏端与所述放大器的输入端之间，所述放大器、所述功率管、所述电阻反馈网络连接成负反馈回路，所述放大器也连接所述电源，由所述电源供电，所述全阻断前馈式频率补偿模块连接于所述功率管的漏端与所述放大器之间。
2.如权利要求1所述的电压源电路，其特征在于，所述全阻断前馈式频率补偿模块包括第九PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、电阻单元、第二百电容，所述第九PMOS管的源端与电源相连，所述第九PMOS管的栅端与第二百P型偏置电压相连，所述第九PMOS管的漏端与所述第六NMOS管的漏端相连，所述第六NMOS管的栅端与所述功率管的漏端相连，所述第六NMOS管的源端与所述第七NMOS管的漏端相连，所述第七NMOS管的栅端与第二百N型偏置电压相连，所述第七NMOS管的源端与地相连，所述第六NM
3.如权利要求2所述的电压源电路，其特征在于，所述电阻单元包括第二百电阻和第十五PMOS管，所述第二百电阻的一端为所述电阻单元的一端，所述第二百电阻的另一端与所述第十五PMOS管的源端相连，所述第十五PMOS管的漏端为所述电阻单元的另一端，所述第十五PMOS管的栅端与地相连，所述第十五PMOS管被偏置在深线性区。
4.如权利要求2所述的电压源电路，其特征在于，所述全阻断前馈式频率补偿模块还包括第八电阻，所述第九PMOS管的栅端不连接所述第二百P型偏置电压，而是经由所述第八电阻与所述第九PMOS管的漏端相连。
5.如权利要求2所述的电压源电路，其特征在于，所述放大器包括两级放大结构，其中第一级放大结构包括第三PMOS管、第四PMOS管、第二百NMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第二电阻、第三电阻，所述第三PMOS管的源端、所述第四PMOS管的源端共同构成放大器的偏置电流输入端，接收偏置电流，所述第三PMOS管的栅端为所述放大器的第一输入端，与所述电阻反馈网络相连，所述第四PMOS管的栅端为所述放大器的第二输入端，接收一参考电压，所述第四PMOS管的漏端与所述第二百NMOS管的漏端、所述第二百NMOS管的栅端、所述第一NMOS管的栅端、所述第二NMOS管的栅端、所述第三NMOS管的栅端均相连，且接收同一偏置电压，所述第二百NMOS管的源端与所述第二NMOS管的漏端相连，所述第二NMOS管的源端经由所述第二电阻与地相连，所述第三NMOS管的源端经由所述第三电阻与地相连，所述第三NMOS管的漏端与所述第一NMOS管的源端相连，所述第一NMOS管的漏端与所述第四PMOS管的漏端相连，所述第四PMOS管的漏端为放大器的第一级输出结点，所述第一NMOS管的源端与所述第二百电容的另一端相连。
6.如权利要求5所述的电压源电路，其特征在于，第二级放大结构包括第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第四电阻、第五电阻，所述第五PMOS管的源端、所述第六PMOS管的源端均连接电源，所述第五PMOS管的栅端与所述第六PMOS管的栅端、所述第五PMOS管的漏端相连，所述第五PMOS管的漏端与所述第四NMOS管的漏端相连，所述第四NMOS管的栅端与所述第四PMOS管的漏端相连，所述第四NMOS管的源端经由所述第四电阻与地相连，所述第五NMOS管的源端经由所述第五电阻与地相连，所述第五NMOS管的栅端也接收所述偏置电压，所述第五NMOS管的漏端与所述第六PMOS管的漏端相连，所述第六PMOS管的漏端为放大器的第二级输出结点，也作为放大器的输出端，与所述功率管的栅端相连。
7.如权利要求5所述的电压源电路，其特征在于，所述放大器还包括滤波电容和滤波电阻，所述第四PMOS管的栅端经由所述滤波电容与地相连，所述第四PMOS管的栅端经由所述滤波电阻接收所述参考电压。
8.如权利要求6所述的电压源电路，其特征在于，所述电压源电路还包括动态反馈电流和零点补偿模块，所述动态反馈电流和零点补偿模块连接于所述放大器的偏置电流输入端与所述放大器的输出端之间。
9.如权利要求8所述的电压源电路，其特征在于，所述动态反馈电流和零点补偿模块包括第二PMOS管、第二十PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一电阻、第一电容，所述第二十PMO...
【技术特征摘要】
1.一种电压源电路，其特征在于，所述电压源电路包括：放大器、功率管、电阻反馈网络、全阻断前馈式频率补偿模块；所述功率管的源端为所述电压源电路的输入端，连接电源；所述功率管的漏端为所述电压源电路的输出端，输出输出电压；所述功率管的栅端与所述放大器的输出端相连，所述电阻反馈网络连接在所述功率管的漏端与所述放大器的输入端之间，所述放大器、所述功率管、所述电阻反馈网络连接成负反馈回路，所述放大器也连接所述电源，由所述电源供电，所述全阻断前馈式频率补偿模块连接于所述功率管的漏端与所述放大器之间。
2.如权利要求1所述的电压源电路，其特征在于，所述全阻断前馈式频率补偿模块包括第九pmos管、第六nmos管、第七nmos管、电阻单元、第二百电容，所述第九pmos管的源端与电源相连，所述第九pmos管的栅端与第二百p型偏置电压相连，所述第九pmos管的漏端与所述第六nmos管的漏端相连，所述第六nmos管的栅端与所述功率管的漏端相连，所述第六nmos管的源端与所述第七nmos管的漏端相连，所述第七nmos管的栅端与第二百n型偏置电压相连，所述第七nmos管的源端与地相连，所述第六nmos管的源端还与所述电阻单元的一端相连，所述电阻单元的另一端与所述第二百电容的一端相连，所述第二百电容的另一端与所述放大器相连。
3.如权利要求2所述的电压源电路，其特征在于，所述电阻单元包括第二百电阻和第十五pmos管，所述第二百电阻的一端为所述电阻单元的一端，所述第二百电阻的另一端与所述第十五pmos管的源端相连，所述第十五pmos管的漏端为所述电阻单元的另一端，所述第十五pmos管的栅端与地相连，所述第十五pmos管被偏置在深线性区。
4.如权利要求2所述的电压源电路，其特征在于，所述全阻断前馈式频率补偿模块还包括第八电阻，所述第九pmos管的栅端不连接所述第二百p型偏置电压，而是经由所述第八电阻与所述第九pmos管的漏端相连。
5.如权利要求2所述的电压源电路，其特征在于，所述放大器包括两级放大结构，其中第一级放大结构包括第三pmos管、第四pmos管、第二百nmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第二电阻、第三电阻，所述第三pmos管的源端、所述第四pmos管的源端共同构成放大器的偏置电流输入端，接收偏置电流，所述第三pmos管的栅端为所述放大器的第一输入端，与所述电阻反馈网络相连，所述第四pmos管的栅端为所述放大器的第二输入端，接收一参考电压，所述第四pmos管的漏端与所述第二百nmos管的漏端、所述第二百nmos管的栅端、所述第一nmos管的栅端、所述第二nmos管的栅端、所述第三nmos管的栅端均相连，且接收同一偏置电压，所述第二百nmos管的源端与所述第二nmos管的漏端相连，所述第二nmos管的源端经由所述第二电阻与地相连，所述第三nmos管的源端经由所述第三电阻与地相连，所述第三nmos管的漏端与所述第一nmos管的源端相连，所述第一nmos管的漏端与所述第四pmos管的漏端相连，所述第四pmos管的漏端为放大器的第一级输出结点，所述第一nmos管的源端与所述第二百电容的另一端相连。
6.如权利要求5所述的电压源电路，其特征在于，第二级放大结构包括第五pmos管、第六pmos管、第四nmos管、第五nmos管、第四电阻、第五电阻，所述第五pmos管的源端、所述第六pmos管的源端均连接电源，所述第五pmos管的栅端与所述第六pmos管的栅端、所述第五pmos管的漏端相连，所述第五pmos管的漏端与所述第四nmos管的漏端相连，所述第四nmos管的栅端与所述第四pmos管的漏端相连，所述第四nmos管的源端经由所述第四电阻与地相连，所述第五nmos管的源端经由所述第五电阻与地相连，所述第五nmos管的栅端也接收所述偏置电压，所述第五nmos管的漏端与所述第六pmos管的漏端相连，所述第六pmos管的漏端为放大器的第二级输出结点，也作为放大器的输出端，与所述功率管的栅端相连。
7.如权利要求5所述的电压源电路，其特征在于，所述放大器还包括滤波电容和滤波电阻，所述第四pmos管的栅端经由所述滤波电容与地相连，所述第四pmos管的栅端经由所述滤波电阻接收所述参考电压。
8.如权利要求6所述的电压源电路，其特征在于，所述电压源电路还包括动态反馈电流和零点补偿模块，所述动态反馈电流和零点补偿模块连接于所述放大器的偏置电流输入端与所述放大器的输出端之间。
9.如权利要求8所述的电压源电路，其特征在于，所述动态反馈电流和零点补偿模块包括第二pmos管、第二十pmos管、第七pmos管、第八pmos管、第一电阻、第一电容，所述第二十pmos管的源端与电源相连，所述第二十pmos管的漏端与所述第二pmos管的源端相连，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱凯嵩，张珂，张皖冬，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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