【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及图像传感器集成芯片结构及其制造方法。
技术介绍
1、具有图像传感器的集成电路用于各种现代电子器件，例如相机和手机。近年来，互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器开始得到广泛应用，在很大程度上取代了电荷耦合器件(ccd)图像传感器。与ccd图像传感器相比，cmos图像传感器由于功耗低、体积小、数据处理速度快、数据直接输出和制造成本低而越来越受到青睐。
技术实现思路
1、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种图像传感器集成芯片(ic)结构，包括：多个图像感测元件，分别设置在衬底内的像素阵列的多个像素区内；层间介电(ild)结构，设置在衬底的表面上并围绕一个或多个互连件；以及多个三维(3d)电容器，布置在多个像素区中的相应像素区内，并通过一个或多个互连件耦合到多个图像感测元件中的一个图像感测元件，其中，多个3d电容器包括平行于衬底的表面延伸的基体区和沿着垂直于衬底的表面的方向从基体区向外延伸的一个或多个指状物。
2、根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种图像传感器集成芯片(ic)结构，包括：多个图像感测元件，分别设置在衬底内的像素阵列的多个像素区内；层间介电(ild)结构，设置在衬底上并围绕一个或多个互连件，ild结构包括由一个或多个蚀刻停止层(esl)分隔的多个ild层；以及多个三维(3d)电容器，布置在多个图像感测元件中的一个图像感测元件下方的多个像素区中的相应一个像素区内，其中，多个3d电容器包括布置在面向相同方向的最外侧壁和外侧壁之间的下表面。
3、根据本申请实施例的又一个方面，提供了一种形成图像传感器集成芯片(ic)结构的方法，包括：提供第一衬底，第一衬底在像素阵列内的多个像素区；在第一衬底上形成一个或多个ild层；形成垂直延伸穿过一个或多个ild层的开口，其中，开口从多个像素区中的一个像素区的相对侧横向以非零距离向后；在开口内和一个或多个ild层上方形成电容器堆叠；以及图案化电容器堆叠以形成电容器，电容器具有在一个或多个ild层上方的水平延伸区段和延伸穿过一个或多个ild层的垂直延伸区段。
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1.一种图像传感器集成芯片结构，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，其中，所述多个三维电容器中的相应三维电容器完全被限制在所述多个像素区中的上面一个像素区内。
3.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，其中，所述层间介电结构包括由一个或多个蚀刻停止层隔开的多个层间介电层，所述多个三维电容器垂直延伸穿过所述多个层间介电层中的两个层间介电层。
4.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，
5.根据权利要求4所述的图像传感器集成芯片结构，其中，所述外围互连结构包括导电通孔，所述第一三维电容器从所述导电通孔的顶部下方垂直延伸到所述导电通孔的底部下方。
6.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，其中，在平面图观察视角下，所述一个或多个指状物分别具有围绕所述层间介电结构的柱连续延伸的封闭形状。
7.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，还包括：
8.一种图像传感器集成芯片结构，包括：
9.根据权利要求8所述的图像传感器集成芯片结构，其中，所述层间介电结构包
10.一种形成图像传感器集成芯片结构的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器集成芯片结构，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，其中，所述多个三维电容器中的相应三维电容器完全被限制在所述多个像素区中的上面一个像素区内。
3.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，其中，所述层间介电结构包括由一个或多个蚀刻停止层隔开的多个层间介电层，所述多个三维电容器垂直延伸穿过所述多个层间介电层中的两个层间介电层。
4.根据权利要求1所述的图像传感器集成芯片结构，
5.根据权利要求4所述的图像传感器集成芯片结构，其中，所述外围互连...
【专利技术属性】
技术研发人员：高敏峰，林杏芝，刘人诚，杨敦年，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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