在金属硅化物微晶体上形成纳米结构的方法和得到的结构和器件技术

本发明专利技术的各个实施例涉及用于在非单晶体基底上形成纳米结构的方法和结果产生的结构和纳米级功能器件。一种用于形成纳米结构的方法包括：形成包括金属层（１００）和硅层（１０４）的多层结构（１０６）；将所述多层结构（１０６）进行热处理以形成金属硅化物微晶（１１０）；并且在所述金属硅化物微晶上生长所述纳米结构（１１４）。在本发明专利技术的另一个实施例中，一种结构包括：非单晶体基底（１０２）；在所述非单晶体基底（１０２）上形成的层（１０８），所述层包括金属硅化物微晶（１１０）；以及在所述金属硅化物微晶（１１０）上形成的多个纳米结构（１１４）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于形成纳米结构的方法，包括：　形成包括金属层（１００）和硅层（１０４）的多层结构（１０６）；　使所述多层结构（１０６）经受热处理以形成金属硅化物微晶体（１１０）；并且　在所述金属硅化物微晶体（１１０）上生长所述纳米结 构（１１４）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N科巴亚施，SY王，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]