【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及处理基板的技术。
技术介绍
1、以往，在半导体器件的制造中，使用利用各种各样的种类的处理液对半导体基板(下面，简称为“基板”)进行处理的基板处理装置。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给蚀刻液，对基板的表面进行蚀刻。向蚀刻后的基板供给冲洗液，去除基板上的蚀刻液。然后，通过使基板高速地旋转，进行基板的干燥。
2、另外，在日本特开2014-112652号公报(文献1)中，公开了一边抑制基板上的图案的倒塌一边使基板干燥的干燥处理。在该干燥处理中，将基板上的冲洗液置换为有机溶剂，然后，对基板进行加热，由此，在基板的上表面与有机溶剂的液膜之间形成有机溶剂的蒸气层。然后，喷射氮气而在液膜上形成孔，并使孔进一步扩大，由此，去除有机溶剂的液膜。在日本特开2016-136599号公报(文献2)中公开了如下方法：在上述干燥处理中使液膜的孔扩大时，增大氮气的流量，由此，良好地去除液膜。在日本特开2016-162847号公报(文献3)中公开了如下方法：在上述干燥处理中使液膜的孔扩大时，朝向基板的上表面喷射氮气，并且与基板的上表面平行且放射状地喷射气体，由此，抑制雾等附着于上表面。
3、本专利技术的专利技术人确认了如下情况：在上述干燥处理中，在通过基板的加热在上表面与处理液的液膜之间形成处理液的蒸气层时，附着于基板的上表面的异物进入处理液的液膜，与液膜一起漂浮。然而，如上述文献1至3所示，在扩大液膜的孔而去除液膜的情况下，进入液膜的异物的一部分会残留于上表面。
技术实现思路b>
1、本专利技术的目的在于，提供一种处理基板的基板处理方法，能够将随着蒸气层的形成而进入处理液的液膜的异物从基板的上表面合适地去除。
2、本专利技术的基板处理方法具有：a)工序，向被保持为水平状态的基板的上表面供给第一处理液，形成覆盖所述基板的整个上表面的所述第一处理液的液膜；b)工序，对所述基板进行加热，在所述基板的上表面上的所述第一处理液的所述液膜与所述上表面之间形成所述第一处理液的蒸气层；c)工序，通过向所述基板的上表面供给第二处理液，从所述上表面去除所述第一处理液的所述液膜。
3、根据本专利技术，能够将随着蒸气层的形成而进入第一处理液的液膜的异物从基板的上表面合适地去除。
4、在本专利技术的一个优选方式中，在所述b)工序中，通过对所述基板进行加热而使所述液膜的与所述基板的上表面接触的部分气化，在所述上表面与所述液膜之间形成所述蒸气层。
5、在本专利技术的另一优选的方式中，在所述c)工序中，所述基板的加热为关闭状态。
6、在本专利技术的另一优选的方式中，在所述c)工序中，通过使所述基板旋转，去除所述第一处理液的所述液膜。
7、在本专利技术的另一优选的方式中，在所述a)工序中使用的所述第一处理液和在所述c)工序中使用的所述第二处理液是同种处理液。
8、在本专利技术的另一优选的方式中，基板处理方法还具有：d)工序，在所述c)工序之后，形成覆盖所述基板的整个上表面的所述第二处理液的液膜；e)工序，通过对所述基板进行加热而使所述液膜的与所述基板的上表面接触的部分气化，在所述上表面与所述液膜之间形成蒸气层；f)工序，通过朝向所述蒸气层上的所述液膜的中央部喷射气体，在所述液膜的所述中央部形成孔；g)工序，通过朝向所述孔喷射气体，使所述孔向径向外侧扩大而将所述液膜从所述基板上去除。
9、在一个方面中，将具有圆筒状的第一侧壁部和圆环板状的第一顶盖部的第一档板部配置于所述基板的径向外侧，而且，将具有圆筒状的第二侧壁部和圆环板状的第二顶盖部的第二档板部配置于所述基板的径向外侧，其中，所述第一侧壁部包围所述基板的周围，所述第一顶盖部从所述第一侧壁部的上端向所述第一侧壁部的径向内侧且向上方延伸，或者从所述第一侧壁部的上端向所述第一侧壁部的径向内侧且沿水平延伸，所述第二侧壁部在所述第一侧壁部的径向内侧包围所述基板的周围，所述第二顶盖部在所述第一顶盖部的下侧从所述第二侧壁部的上端向所述第二侧壁部的径向内侧且向上方延伸，或者在所述第一顶盖部的下侧从所述第二侧壁部的上端向所述第二侧壁部的径向内侧且沿水平延伸，所述基板处理方法还具有：h)工序，与所述g)工序并行，使所述第一挡板部相对于所述基板相对地向下方移动，将所述第一顶盖部配置于所述基板的所述上表面的下侧且从所述第二顶盖部向上方分离的位置；i)工序，与所述e)至h)工序并行，继续对所述第一顶盖部与从所述第一顶盖部向下方分离的所述第二顶盖部之间的空间即挡板排气空间进行排气。
10、在另一方面中，将具有圆筒状的侧壁部和圆环板状的顶盖部的挡板部配置于所述基板的径向外侧，其中，所述侧壁部包围所述基板的周围，所述顶盖部从所述侧壁部的上端向所述侧壁部的径向内侧且向上方延伸，或者从所述侧壁部的上端向所述侧壁部的径向内侧且沿水平延伸，所述基板处理方法还具有：h)工序，与所述g)工序并行，使所述挡板部相对于所述基板相对地向下方移动，将所述顶盖部在所述基板的所述上表面的下侧配置于所述顶盖部的内周缘与所述基板的所述上表面之间的上下方向的距离小于4mm的位置，i)工序，与所述e)至h)工序并行，继续对所述挡板部的径向内侧的空间进行排气。
11、在另一方面中，将具有圆筒状的侧壁部和圆环板状的顶盖部的挡板部配置于所述基板的径向外侧，其中，所述侧壁部包围所述基板的周围，所述顶盖部从所述侧壁部的上端向所述侧壁部的径向内侧且向上方延伸，或者从所述侧壁部的上端向所述侧壁部的径向内侧且沿水平延伸，所述基板处理方法还具有：h)工序，与所述g)工序并行，使所述挡板部相对于所述基板相对地向下方移动，将所述顶盖部配置于所述基板的所述上表面的下侧；i)工序，与所述e)至h)工序并行，继续对所述挡板部的径向内侧的空间进行排气，在所述i)工序中，与所述h)工序并行，使来自所述挡板部的径向内侧的空间的排气流量增大。
12、本专利技术还提供一种对基板进行处理的基板处理装置。基板处理装置具有：处理液供给部，向被保持为水平状态的基板的上表面供给处理液；加热部，对所述基板进行加热；控制部，通过利用所述处理液供给部向所述基板的上表面供给第一处理液，形成覆盖所述基板的整个上表面的所述第一处理液的液膜，利用所述加热部对所述基板进行加热，在所述上表面上的所述第一处理液的所述液膜与所述上表面之间形成所述第一处理液的蒸气层，然后，利用所述处理液供给部向所述基板的上表面供给第二处理液，从而将所述第一处理液的所述液膜从所述上表面去除。
13、通过参照随附的附图在下面进行的本专利技术的详细说明，使上述的目的以及其他目的、特征、方式以及优点变得清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理方法，对基板进行处理，其中，
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
5.一种基板处理装置，对基板进行处理，其中，
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，对基板进行处理，其中，
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥谷学，大须贺勤，东克荣，阿部博史，吉原直彦，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：
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