【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mos芯片蚀刻，具体涉及一种mos芯片蚀刻设备。
技术介绍
1、mos芯片，全称为金属氧化物半导体芯片，是一种广泛应用于数字和模拟电路的半导体器件，mos技术是现代电子设备中最常见的技术之一，它包括金属氧化物半导体场效应晶体管等器件。
2、现有技术中，mos芯片常使用蚀刻机进行蚀刻处理，将大批量的mos芯片放置在蚀刻机上，蚀刻机上的静电吸盘会直接吸附mos芯片，然后蚀刻机上的喷淋头将腐蚀液喷射在mos芯片上，从而实现对mos芯片进行蚀刻处理。
3、但是，当大批量的mos芯片进行蚀刻处理时，喷淋头在对多个芯片喷射腐蚀液时，多个芯片集中在一起喷射容易出现腐蚀液喷射不均匀的现象，从而影响mos芯片进行蚀刻处理的精度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种mos芯片蚀刻设备，以解决现有技术中当大批量的mos芯片进行蚀刻处理时，喷淋头在对多个芯片喷射腐蚀液时，多个芯片集中在一起喷射容易出现腐蚀液喷射不均匀的现象，从而影响mos芯片进行蚀刻处理的精度的技术问题。
2、本专利技术所要解决的技术问题可以通过以下技术方案实现：
3、一种mos芯片蚀刻设备，包括：
4、蚀刻机主体，所述蚀刻机主体两端分别开设有进出口,蚀刻机主体底端固定连接有静电吸附台,蚀刻机主体内壁顶端滑动连接有控制组件；
5、喷淋头，所述喷淋头设有若干组且分别沿控制组件长度方向等距分布，喷淋头与控制组件固定连接；
6、驱动器，
7、作为本专利技术进一步的方案：所述控制组件包括：控制器和控制板，所述控制器顶端与蚀刻机主体滑动连接，控制器底端与控制板固定连接，所述控制板与若干喷淋头固定连接。
8、作为本专利技术进一步的方案：所述蚀刻机主体两端内部分别开设有滑槽，所述滑槽内壁滑动连接有封堵门。
9、作为本专利技术进一步的方案：所述封堵门与滑槽内壁卡设连接。
10、作为本专利技术进一步的方案：所述导杆底部设有输送机，所述输送机设有两组且分别与蚀刻机主体两侧固定连接，所述输送机侧端与驱动器固定连接，所述夹持组件位于输送机顶部，所述驱动器在远离夹持组件的一端底部固定连接有支撑板。
11、作为本专利技术进一步的方案：所述夹持组件包括：夹持器和夹板，所述夹持器侧端与导杆固定连接，所述夹板设有两组且分别与夹持器底部滑动连接。
12、作为本专利技术进一步的方案：所述夹持器侧端固定连接有定位器。
13、作为本专利技术进一步的方案：所述静电吸附台顶部滑动连接有去除板，静电吸附台侧端开设有回收槽,静电吸附台侧端设有吸杂器，所述吸杂器与蚀刻机主体远离夹持组件的一端固定连接。
14、作为本专利技术进一步的方案：所述去除板侧端固定连接有伸缩杆，所述蚀刻机主体开设有定位孔，所述伸缩杆与蚀刻机主体内壁滑动连接，伸缩杆侧端固定连接有伸缩器，所述伸缩器与蚀刻机主体侧端固定连接。
15、作为本专利技术进一步的方案：所述回收槽侧端设有出料管，所述静电吸附台侧端贯穿开设有连接孔，所述出料管与静电吸附台侧端固定连接，所述连接孔两端分别与回收槽和出料管相互连通。
16、本专利技术的有益效果：
17、1、当大批量的mos芯片需要进行蚀刻时，驱动器控制导杆进行伸缩移动，导杆带着夹持组件进行移动，夹持组件夹持mos芯片穿过进出口，夹持组件将mos芯片逐个放置在静电吸附台上，mos芯片之间保持等距，此时，静电吸附台运行，静电吸附台将mos芯片进行吸附，然后控制组件控制多个喷淋头喷射腐蚀液在mos芯片上，从而实现了对多个mos芯片针对性的进行蚀刻，保证每个mos芯片都能得到充分的腐蚀液，从而实现了mos芯片得到充分的蚀刻的效果。
18、2、每个mos芯片在静电吸附台上等距分布，从而避免了mos芯片集中在一起的现象，其中，夹持组件可以对mos芯片进行夹持上料，同时，夹持组件通过驱动器和导杆可以将mos芯片进行定位放置，从而实现了mos芯片保持间隔放置的效果。
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1.一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述控制组件包括：控制器(20)和控制板(21)，所述控制器(20)顶端与蚀刻机主体(1)滑动连接，控制器(20)底端与控制板(21)固定连接，所述控制板(21)与若干喷淋头(22)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻机主体(1)两端内部分别开设有滑槽(8)，所述滑槽(8)内壁滑动连接有封堵门(7)。
4.根据权利要求3所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述封堵门(7)与滑槽(8)内壁卡设连接。
5.根据权利要求1所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述导杆(5)底部设有输送机(2)，所述输送机(2)设有两组且分别与蚀刻机主体(1)两侧固定连接，所述输送机(2)侧端与驱动器(3)固定连接，所述夹持组件位于输送机(2)顶部，所述驱动器(3)在远离夹持组件的一端底部固定连接有支撑板(4)。
6.根据权利要求5所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述夹持组件
7.根据权利要求6所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述夹持器(10)侧端固定连接有定位器(9)。
8.根据权利要求1所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述静电吸附台(14)顶部滑动连接有去除板(16)，静电吸附台(14)侧端开设有回收槽(18),静电吸附台(14)侧端设有吸杂器(23)，所述吸杂器(23)与蚀刻机主体(1)远离夹持组件的一端固定连接。
9.根据权利要求8所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述去除板(16)侧端固定连接有伸缩杆(15)，所述蚀刻机主体(1)开设有定位孔(17)，所述伸缩杆(15)与蚀刻机主体(1)内壁滑动连接，伸缩杆(15)侧端固定连接有伸缩器(6)，所述伸缩器(6)与蚀刻机主体(1)侧端固定连接。
10.根据权利要求8所述的一种MOS芯片蚀刻设备，其特征在于，所述回收槽(18)侧端设有出料管(13)，所述静电吸附台(14)侧端贯穿开设有连接孔(19)，所述出料管(13)与静电吸附台(14)侧端固定连接，所述连接孔(19)两端分别与回收槽(18)和出料管(13)相互连通。
...【技术特征摘要】
1.一种mos芯片蚀刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种mos芯片蚀刻设备，其特征在于，所述控制组件包括：控制器(20)和控制板(21)，所述控制器(20)顶端与蚀刻机主体(1)滑动连接，控制器(20)底端与控制板(21)固定连接，所述控制板(21)与若干喷淋头(22)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种mos芯片蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻机主体(1)两端内部分别开设有滑槽(8)，所述滑槽(8)内壁滑动连接有封堵门(7)。
4.根据权利要求3所述的一种mos芯片蚀刻设备，其特征在于，所述封堵门(7)与滑槽(8)内壁卡设连接。
5.根据权利要求1所述的一种mos芯片蚀刻设备，其特征在于，所述导杆(5)底部设有输送机(2)，所述输送机(2)设有两组且分别与蚀刻机主体(1)两侧固定连接，所述输送机(2)侧端与驱动器(3)固定连接，所述夹持组件位于输送机(2)顶部，所述驱动器(3)在远离夹持组件的一端底部固定连接有支撑板(4)。
6.根据权利要求5所述的一种mos芯片蚀刻设备，其特征在于，所述夹持组件包括：夹持器(10)和夹板(11)，所述夹持器(10)侧端与导杆(5...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕娟娟，张正兵，顾梦甜，
申请(专利权)人：安徽积芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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