【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造方法、基板加工方法和基板加工装置。
技术介绍
1、为了制造半导体器件，通过诸如摄影术、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积的各种工艺来在基板(诸如，晶圆)上形成所需的图案。在各工艺中使用各种处理溶液和处理气体，并在工艺期间产生颗粒和工艺副产品。清洁工艺在每个工艺之前和之后执行、以从基板去除这些颗粒和工艺副产品。
2、在清洁工艺中，通过用清洁溶液供应基板来清洁基板。然后干燥基板以去除基板上的任何残留清洁溶液。干燥处理的一个示例是旋转干燥工艺，其中基板以高速旋转、以去除基板上的任何残留清洁溶液。然而，旋转基板以去除清洁溶液的旋转干燥工艺存在基板上形成的图案塌陷的风险。此外，当图案的纵横比增大时，由于基板的旋转，引入到图案之间的清洁流体可能不能被充分去除。最近，利用了超临界干燥工艺，在该超临界干燥工艺中，用具有低表面张力的有机溶剂(诸如，异丙醇(isopropyl alcohol，ipa))替换基板上的残留清洁溶液，然后用超临界干燥气体(例如，二氧化碳)供应基板以从基板去除残留有机溶剂。
3、然而，随着基板上的图案的线宽变得更细并且图案的纵横比变得更大，越来越担心，即使在使用低表面张力的ipa时，通过ipa在基板上形成的图案也可以经受图案倾斜现象，从而导致图案塌陷。此外，为了在超临界干燥工艺中有效地进行基板干燥，通过被去除的有机溶剂形成的液膜厚度在整个基板上是均匀的是非常重要的。更具体地说，当液膜的厚度在整个基板上不均匀地提供时，超临界流体的干燥程度可以在基板的不同区域中不同。这可以导致用该基板
技术实现思路
1、本专利技术致力于提供一种能够有效地处理基板的制造方法、基板加工方法(substrate processing method)和基板加工装置。
2、本专利技术还致力于提供一种能够使形成在基板上的图案塌陷的问题最小化的制造方法、基板加工方法和基板加工装置。
3、本专利技术也致力于提供一种能够有效地执行供应到基板的处理溶液的去除的制造方法、基板加工方法和基板加工装置。
4、本专利技术的目的不限于此，并且本领域普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。
5、本专利技术的示例性实施方案提供了一种制造方法，该制造方法包括：基板装载操作，该基板装载操作将基板装载到液体处理腔室中；液体处理操作，该液体处理操作通过喷嘴将处理溶液供应到在液体处理腔室中旋转的基板；基板卸载操作，该基板卸载操作从液体处理腔室卸载基板；以及压力控制操作，该压力控制操作在基板装载操作与基板卸载操作之间的时段中(in a period)改变基板上方的空间的压力至少一次。
6、根据示例性实施方案，压力控制操作可以包括改变基板上方的空间的压力、以降低至少一次。
7、根据示例性实施方案，制造方法还可以包括控制释放操作，该控制释放操作增加在压力控制操作中降低的基板上方的空间的压力。
8、根据示例性实施方案，压力控制操作可以包括：(a)降低下流式流物(downflow)单元的单位时间供应速率(supply rate)，所述下流式流物单元将下流式流物供应到基板上方的空间；(b)中断下流式流物单元的操作；或(c)增加处理空间的单位时间排出量(exhaust volume per unit time)、以使基板上方的空间中的压力低，所述处理空间中通过处理溶液处理基板。
9、根据示例性实施方案，可以在压力控制操作之后和基板卸载操作之前执行控制释放操作。
10、根据示例性实施方案，压力控制操作可以包括在基板上方的空间中放置阻挡板(blocking plate)、以阻挡供应到基板上方的空间的下流式流物，以使基板上方的空间中的压力降低。
11、根据示例性实施方案，可以在压力控制操作之后和基板卸载操作之前执行控制释放操作。
12、根据示例性实施方案，可以在压力控制操作之后和基板卸载操作之后执行控制释放操作。
13、根据示例性实施方案，阻挡板可以设置在等于或高于入口开口的高度处，使得至少部分下流式流物碰撞阻挡板，并且阻挡板朝向用于基板的入口开口而导向，该基板设置在液体处理腔室中。
14、本专利技术的另一示例性实施方案提供一种基板加工方法，该基板加工方法包括：液体处理操作，该液体处理操作将有机溶剂供应到液体处理腔室中旋转的基板；传送操作，该传送操作将在其上残留有机溶剂的基板从液体处理腔室传送到干燥腔室；以及干燥操作，该干燥操作将超临界流体从干燥腔室供应到基板并去除基板上残留的有机溶剂，其中，压力控制操作在将基板装载到液体处理腔室和从液体处理腔室卸载基板之间的时段期间(during a period)、降低装载到液体处理腔室中的基板上方的空间中的压力至少一次。
15、根据示例性实施方案，制造方法还可以包括控制释放操作，该控制释放操作增加在压力控制操作中降低的基板上方的空间的压力。
16、根据示例性实施方案，压力控制操作可以在液体处理操作之后进行，控制释放操作可以在从液体处理腔室卸载基板之后进行，并且压力控制操作可以包括：(a)降低下流式流物单元的单位时间供应速率，所述下流式流物单元将下流式流物供应到基板上方的空间；(b)中断下流式流物单元的操作；或(c)增加处理空间的单位时间排出量、以使基板上方的空间中的压力降低，在所述处理空间中通过处理溶液处理基板。
17、根据示例性实施方案，控制释放操作可以在从液体处理腔室卸载基板之前执行，并且压力控制操作可以包括：(a)降低下流式流物单元的单位时间供应速率，所述下流式流物单元将下流式流物供应到基板上方的空间；(b)中断下流式流物单元的操作；或(c)增加处理空间的单位时间排出量、以使基板上方的空间中的压力降低，在所述处理空间中通过处理溶液处理基板。
18、根据示例性实施方案，控制释放操作可以在从液体处理腔室卸载基板之前执行，并且压力控制操作可以包括在基板上方的空间中设置阻挡板、以阻挡供应到所述基板上方的空间的下流式流物，以使所述基板上方的空间中的压力降低。
19、根据示例性实施方案，有机溶剂为异丙醇。
20、本专利技术的又一示例性实施方案提供了一种用于加工基板的装置，该装置包括：液体处理腔室，该液体处理腔室用于对基板进行液体处理；干燥腔室，该干燥腔室用于对在液体处理腔室中已经进行液体处理的基板进行干燥；传送机械手，该传送机械手用于在液体处理腔室与干燥腔室之间传送基板；以及控制器，该控制器用于控制液体处理腔室、干燥腔室和传送机械手，其中，该液体处理腔室包括：旋转板，该旋转板用于支承和旋转基板；喷嘴，该喷嘴用于将处理溶液供应到支承在旋转板上的基板；以及下流式流物单元，该下流式流物单元用于将下流式流物供应到支承在旋转板上的基板，并且控制器产生压力控制指令，该压力控制指令使在卸载装载到液体处理腔室中的基板之前降低支承在旋转板上的基板上方的空间中的压力。
21、根据示例性实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种制造方法，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述压力控制操作包括改变所述基板上方的空间的压力以降低至少一次。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述压力控制操作包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在所述压力控制操作之后和所述基板卸载操作之前执行所述控制释放操作。
6.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述压力控制操作包括在所述基板上方的空间中设置阻挡板、以阻挡供应到所述基板上方的空间的下流式流物，以使所述基板上方的空间中的压力降低。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述压力控制操作之后和所述基板卸载操作之前执行所述控制释放操作。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述压力控制操作之后和所述基板卸载操作之后执行所述控制释放操作。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述阻挡板设置在等于或高于入口开口的高度处，使得至少部分的下流式流物碰撞所述阻挡板；且所述阻
10.一种基板加工方法，所述基板加工方法包括：
11.根据权利要求10所述的基板加工方法，其中，所述装置还包括：
12.根据权利要求11所述的基板加工方法，其中，在所述液体处理操作之后执行所述压力控制操作，
13.根据权利要求11所述的基板加工方法，其中，在从所述液体处理腔室卸载所述基板之前执行所述控制释放操作，并且
14.根据权利要求11所述的基板加工方法，其中，在从所述液体处理腔室卸载所述基板之前或之后执行所述控制释放操作，并且
15.根据权利要求10所述的基板加工方法，其中，所述有机溶剂为异丙醇。
16.一种用于加工基板的装置，所述装置包括：
17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述压力控制指令为中断所述下流式流物单元的操作的信号。
18.根据权利要求16所述的装置，其中，所述液体处理腔室还包括设置在所述旋转板上方的阻挡板。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述阻挡板是其中在面向所述基板的表面上没有形成孔的阻挡板，并且
20.根据权利要求18所述的装置，其中，所述阻挡板包括第一阻挡板和第二阻挡板，在所述第一阻挡板中形成有多个第一孔，在所述第二阻挡板中形成有多个第二孔，并且
...【技术特征摘要】
1.一种制造方法，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述压力控制操作包括改变所述基板上方的空间的压力以降低至少一次。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述压力控制操作包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在所述压力控制操作之后和所述基板卸载操作之前执行所述控制释放操作。
6.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述压力控制操作包括在所述基板上方的空间中设置阻挡板、以阻挡供应到所述基板上方的空间的下流式流物，以使所述基板上方的空间中的压力降低。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述压力控制操作之后和所述基板卸载操作之前执行所述控制释放操作。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述压力控制操作之后和所述基板卸载操作之后执行所述控制释放操作。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述阻挡板设置在等于或高于入口开口的高度处，使得至少部分的下流式流物碰撞所述阻挡板；且所述阻挡板朝向用于所述基板的所述入口开口而导向，所述基板设置在所述液体处理腔室中。
10.一种基板加工方...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹堵铉，朴美昭，任镕浚，权慧斌，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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